【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及使用光致抗蚀剂图案化技术形成结构的方法。更具体地，本公开涉及形成包括光致抗蚀剂底层或使用光致抗蚀剂底层形成的结构的方法，以及使用这种方法形成的结构。
技术介绍
1、在电子器件的制造过程中，通过图案化衬底表面并使用例如气相蚀刻过程从衬底表面蚀刻材料，可以在衬底表面上形成特征的精细图案。随着衬底上器件密度的增加，越来越希望形成尺寸更小的特征。
2、在蚀刻之前，光致抗蚀剂通常用于图案化衬底表面。通过将光致抗蚀剂层施加到衬底表面，掩蔽光致抗蚀剂的表面，将光致抗蚀剂的未掩蔽部分暴露于辐射，例如紫外光，并去除光致抗蚀剂的一部分(例如未掩蔽或掩蔽的部分)，同时在衬底表面上留下光致抗蚀剂的一部分，可以在光致抗蚀剂中形成图案。
3、最近，已经开发了使用极紫外(euv)波长来显影具有相对小的图案特征(例如10nm或更小)的图案的技术。为了使用euv在衬底上形成特征，通常在衬底表面上沉积光致抗蚀剂底层，然后在光致抗蚀剂底层上沉积euv光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂底层可促进光致抗蚀剂和硬掩模材料之间的蚀刻选择性，并促进光致抗蚀...
【技术保护点】
1.一种形成包括光致抗蚀剂底层的结构的方法，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂底层包括以下中的一种或多种：氧化硅、碳氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、金属氧化物、金属氮化物、金属碳氧化物、金属氮氧化物、金属碳氮氧化物和金属碳氮化物。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，还包括形成覆盖所述粘合层并与其接触的光致抗蚀剂层的步骤，其中光致抗蚀剂层包括极紫外(EUV)光刻光致抗蚀剂。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，包括形成覆盖所述粘合层并与其接触的光致抗蚀剂层的步骤，其中...
【技术特征摘要】
1.一种形成包括光致抗蚀剂底层的结构的方法，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂底层包括以下中的一种或多种：氧化硅、碳氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、金属氧化物、金属氮化物、金属碳氧化物、金属氮氧化物、金属碳氮氧化物和金属碳氮化物。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，还包括形成覆盖所述粘合层并与其接触的光致抗蚀剂层的步骤，其中光致抗蚀剂层包括极紫外(euv)光刻光致抗蚀剂。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，包括形成覆盖所述粘合层并与其接触的光致抗蚀剂层的步骤，其中光致抗蚀剂层包括化学放大抗蚀剂。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，形成所述粘合层的步骤包括：
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，形成所述粘合层的步骤不包括提供包含氧的反应物。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述无氧反应物包括氩、氦、氖、氪、氙和氢中的一种或多种。
8.根据权利要求5-7中任一项所述的方法，其中，在所述循环沉积过程的一个或多个循环期间连续提供所述无氧反应物。
9.根据权利要求5-8中任一项所述的方法，其中，在形成所述底层的步骤和所述循环沉积过程的一个或多个循环期间连续提供所述无氧反应物。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，所述过程条件选自以下中的一个或多个：反应室温度、反应室压力、电极之间的间隙、前体流量、反应物流量、前体稀释、反应物稀释、前体吹扫时间、沉积循环数、等离子体功率和等离子体功率脉冲时间。
11.根据权利要求5-10中任一项所述的方法，其中，形成所述底层的步骤包括提供所述硅前体。
【专利技术属性】
技术研发人员：J·S·尼古拉斯，F·冉，J·R·A·阿丰索，Y·孙，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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