【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及用于处理半导体晶片的设备。更具体地,本公开涉及用于设备中的容器的液位传感器,该设备用于从在例如原子层沉积(ald)过程、化学气相沉积(cvd)过程或外延沉积过程中在半导体晶片上沉积膜的系统中使用的液体源提供蒸发气体前体。液位传感器将用于高温环境或液体沸腾或蒸发成气体的环境中。
技术介绍
1、在膜沉积系统中,气体通过半导体晶片,由此气体可以与其他气态前体反应以形成特定膜。气体可以通过使容器中的液体沸腾或蒸发来产生。
2、可能重要的是知道容器中的前体量,以便监测所产生的蒸气量以及剩余的液体量。监测可以通过使用液位传感器来实现,例如birtcher等人的题为“ultrasonic liquidlevel sensing systems”的美国专利号10,151,618中描述的液位传感器。通过对容器的适当监测,可以根据需要进行容器的再填充。
3、然而,使容器中的液体沸腾或蒸发的过程可能导致气泡在现有技术的液位传感器管中上升,从而导致现有技术的液位传感器的错误读数。错误读数可能是由于随机的湿信号和干信号,导致
...【技术保护点】
1.一种化学容器,包括:
2.根据权利要求1所述的化学容器,其中,所述液位传感器管壳体包括与内壳体部分连接的外壳体部分,并且其中,所述多个传感器中的所述至少一个与液位传感器管壳体的内壳体部分的内壁表面接触。
3.根据权利要求1所述的化学容器,其中,所述护罩从所述容器壳体的顶部竖直延伸到距容器壳体的底部约2毫米和约1毫米之间。
4.根据权利要求1所述的化学容器,其中,所述护罩从所述容器壳体的顶部竖直延伸到容器壳体的底部。
5.根据权利要求1所述的化学容器,其中,所述盖壁设置在所述狭槽的前面。
6.根据权利要求1
...【技术特征摘要】
1.一种化学容器,包括:
2.根据权利要求1所述的化学容器,其中,所述液位传感器管壳体包括与内壳体部分连接的外壳体部分,并且其中,所述多个传感器中的所述至少一个与液位传感器管壳体的内壳体部分的内壁表面接触。
3.根据权利要求1所述的化学容器,其中,所述护罩从所述容器壳体的顶部竖直延伸到距容器壳体的底部约2毫米和约1毫米之间。
4.根据权利要求1所述的化学容器,其中,所述护罩从所述容器壳体的顶部竖直延伸到容器壳体的底部。
5.根据权利要求1所述的化学容器,其中,所述盖壁设置在所述狭槽的前面。
6.根据权利要求1所述的化学容器,其中,所述护罩包括从护罩的顶部部分延伸到护罩的底部部分的开口。
7.根据权利要求1所述的化学容器,其中,所述盖壁包括周向围绕所述液位传感器管的顶部部分和部分地围绕液位传感器管的底部部分。
8.根据权利要求1所述的化学容器,其中,所述护罩被焊接到所述容器壳体的顶部。
9.一种反应系统,包括:
10.根据权利要求9所述的反应系统,其中,所述护罩从所述容器壳体的顶部竖直延伸到距容器壳体的底...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·M·耶德纳克三世,
申请(专利权)人:ASMIP私人控股有限公司,
类型:发明
国别省市:
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