沉积掩模和电子装置制造方法及图纸

本公开涉及一种沉积掩模和电子装置。沉积掩模包括：掩模基底，包括多个单元区域和围绕多个单元区域的单元外围区域；掩模隔膜，设置在掩模基底的多个单元区域中并且包括限定像素开口的掩模遮蔽件；掩模框架，设置在掩模基底的单元外围区域中并且包括位于掩模基底上的第一上无机层和位于第一上无机层上的第二上无机层；以及掩模导电层，包括位于掩模框架上的第一部分和位于掩模遮蔽件上的第二部分，其中，第一部分和第二部分彼此间隔开，且像素开口在第一部分和第二部分之间。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及沉积掩模和电子装置。

技术介绍

1、以眼镜或头盔的形式并且在靠近用户的眼睛的位置处形成焦点的可穿戴装置近来正在被开发。例如，可穿戴装置可以是头戴式显示(hmd)装置或增强现实(ar)眼镜。这样的可穿戴装置为用户提供ar屏幕或虚拟现实(vr)屏幕。

2、诸如hmd装置和ar眼镜的可穿戴装置要求至少2,000像素每英寸(ppi)的显示规格，以允许用户长时间使用可穿戴装置而不会头晕。因此，作为高分辨率小型有机发光元件显示装置的硅上有机发光二极管(oledos)技术可以用于这样的可穿戴装置。oledos是一种用于将有机发光二极管(oled)设置在其上设置有互补金属氧化物半导体(cmos)的半导体晶圆基底上的技术。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种可以制作高分辨率显示面板的硅沉积掩模。

2、本公开的实施例还提供一种可以防止掩模在使用中损坏的沉积掩模。

3、应当注意的是，本公开的实施例不限于本文中描述的实施例；并且从以下描述中，本公开的其他实施例对于本领域技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沉积掩模，其中，所述沉积掩模包括：

2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述掩模导电层的高度等于或大于20纳米且等于或小于300纳米。

3.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，所述掩模导电层包括导电金属材料。

4.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第一部分完整地围绕所述掩模框架，并且

5.根据权利要求4所述的沉积掩模，其中，所述第二上无机层包括比所述第一上无机层的侧表面朝向所述多个单元区域突出的突出部，并且

6.根据权利要求5所述的沉积掩模，其中，所述第一上无机层的所述侧表面和所述第二上无机层的所述突出部共同地...

【技术特征摘要】

1.一种沉积掩模，其中，所述沉积掩模包括：

2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述掩模导电层的高度等于或大于20纳米且等于或小于300纳米。

3.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，所述掩模导电层包括导电金属材料。

4.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第一部分完整地围绕所述掩模框架，并且

5.根据权利要求4所述的沉积掩模，其中，所述第二上无机层包括比所述第一上无机层的侧表面朝向所述多个单元区域突出的突出部，并且

6.根据权利要求5所述的沉积掩模，其中，所述第一上无机层的所述侧表面和所述第二上无机层的所述突出部共同地形成底切。

7.根据权利要求6所述的沉积掩模，其中，所述第一部分完全地覆盖所述底切。

8.根据权利要求4所述的沉积掩模，其中，所述第一部分与所述掩模基底、所述第一上无机层和所述第二上无机层接触。

9.根据权利要求8所述的沉积掩模，其中，所述第二部分与所述掩模遮蔽件完全地接触。

10.根据权利要求4所述的沉积掩模，其中，所述掩模框架还包括：

11.根据权利要求10所述的沉积掩模，其中，所述第一上无机层和所述第一下无机层包括彼此相同的材料，并且

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【专利技术属性】
技术研发人员：金成云，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：