沉积装置制造方法及图纸

技术编号:46624920 阅读:0 留言:0更新日期:2025-10-14 21:21
本发明专利技术涉及一种沉积装置,沉积装置包括:腔室,提供进行沉积工艺的内部空间;以及至少一个磁体单元,位于所述腔室的下部,并且所述至少一个磁体单元中的每一个具有第一磁体部件以及位于所述第一磁体部件的外廓并与所述第一磁体部件相隔的第二磁体部件,其中,所述第一磁体部件包括:第一磁体主体部,沿第一方向延伸;以及第一磁体扩张部,位于所述第一磁体主体部的两端部中的至少一端部,并且以与所述第一方向交叉的第二方向为基准,具有大于所述第一磁体主体部的宽度的宽度,其中,所述第一磁体扩张部包括贯通孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种沉积装置


技术介绍

1、随着信息化社会的发展,对用于显示图像的显示装置的要求正以多样的形态增加。例如,显示装置可以应用于诸如智能手机、数码相机、笔记本计算机、导航仪以及智能电视之类的多种电子设备。

2、作为显示装置正在使用诸如液晶显示装置(lcd:liquid crystal display)、有机发光显示装置(oled:organic light emitting display)等的多种种类的显示装置。其中,有机发光显示装置利用借由电子与空穴的再结合产生光的有机发光元件来显示图像。有机发光显示装置包括向有机发光元件提供驱动电流的多个晶体管。

3、在显示装置的制造工艺中,薄膜晶体管(tft:thin film transistor)制造工艺可以根据所要沉积的物质而使用溅射(sputtering)法和等离子体增强化学气相沉积(pecvd:plasma enhanced chemical vapor deposition)法。溅射法是在真空状态下用离子轰击所要沉积的物质,以使从所要沉积的物质射出的原子沉积于玻璃的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沉积装置,包括:

2.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

3.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

4.根据权利要求3所述的沉积装置,其中,

5.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

6.根据权利要求5所述的沉积装置,其中,

7.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

8.根据权利要求7所述的沉积装置,其中,

9.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

10.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

11.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,>

12.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种沉积装置,包括:

2.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

3.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

4.根据权利要求3所述的沉积装置,其中,

5.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

6.根据权利要求5所述的沉积装置,其中,

7.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

8.根据权利要求7所述的沉积装置,其中,

9.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

10.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,

11....

【专利技术属性】
技术研发人员:张奇善李宽龙朴锺镐赵亨键
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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