【技术实现步骤摘要】
各种示例实施例涉及图像传感器，更具体地，涉及包括反射吸收层的图像传感器和/或其制造方法。
技术介绍
1、图像传感器是捕获物体的二维图像和/或三维图像的装置或者包括捕获物体的二维图像和/或三维图像的装置。图像传感器通过使用根据从物体反射的光的强度进行反应的光电转换元件来生成对象的图像。最近，能够实现高分辨率的互补金属氧化物半导体(cmos)类图像传感器正在广泛使用。
技术实现思路
1、各种示例实施例提供了一种具有改善的透射率和/或分辨率的图像传感器，和/或一种制造该图像传感器的方法。
2、然而，示例实施例不限于以上描述，并且本领域普通技术人员可以从以下描述中清楚地理解其他专利技术构思。
3、根据一些示例实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，包括多个光电转换器件；滤色器，在基底上；反射吸收层，在滤色器上并且包括钨、钛和铝中的至少一种；抗反射层，在反射吸收层上；以及多个微透镜，在抗反射层上。滤色器包括在与基底的后表面平行的第一方向上延伸的多个介电层，所述...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，
4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，第二光电转换器件上的第四介电层的厚度小于第三光电转换器件上的第四介电层的厚度。
6.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，第二光电转换器件上的第八介电层的厚度大于第一光电转换器件上的第八介电层的厚度和第三光电转换器件上的第八介电层的厚度中的每个。
7.根据权利要求4所述的图像传感器，其...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，
4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，第二光电转换器件上的第四介电层的厚度小于第三光电转换器件上的第四介电层的厚度。
6.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，第二光电转换器件上的第八介电层的厚度大于第一光电转换器件上的第八介电层的厚度和第三光电转换器件上的第八介电层的厚度中的每个。
7.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，第一光电转换器件上的第八介电层的厚度大于第三光电转换器件上的第八介电层的厚度。
8.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述多个介电层的在第二方向上与第一光电转换器件叠置的部分被构造为用作蓝色滤光器，蓝色滤光器将入射在滤色器上的外部光中的可见蓝色光线透射到第一光电转换器件，并且阻挡外部光中的可见绿色光线和可见红色光线通过滤色器传播到第一光电转换器件。
9.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述多个介电层的在第二方向上与第二光电转换器件叠置的部分被构造为用作绿色滤光器，绿色滤光器将入射在滤色器上的外部光中的可见绿色光线透射到第二光电转换器件，并且阻挡外部光中的可见蓝色光线和可见红色光线通过滤色器传播到第二光电转换器件。
10.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述多个介电层的在第...
【专利技术属性】
技术研发人员：金珉宽，许民成，洪钟宇，赵寅成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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