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本公开涉及具有重布层的晶片级混合接合RF开关。公开一种IC装置的实施例。在一些实施例中，一种集成电路(IC)装置包含：第一有源半导体层，其包含第一有源半导体装置区；第二有源半导体层，其包含有源半导体区，所述第二有源半导体层连接到所述第一有源...
该专利属于QORVO美国公司所有，仅供学习研究参考，未经过QORVO美国公司授权不得商用。

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