【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理装置及具有该基板处理装置的基板处理系统，更详细地说，设置可同时执行大量的基板处理的基板处理装置及具有该基板处理装置的基板处理系统。
技术介绍
1、为了制造器件，进行在基板上沉积所需薄膜的工艺或者为了改性沉积薄膜而执行热处理的工艺，尤其是在薄膜沉积工艺主要使用溅射法、化学气相沉积法(cvd)、原子层沉积法(ald)等。
2、溅射法作为将在等离子体状态下生成的氩离子碰撞于目标表面，从目标的表面脱离的目标物质沉积于基板上形成薄膜的技术，具有可形成粘结性优秀的高纯度薄膜的优点，但是在形成具有高纵横比的精细图案上存在局限性。
3、化学气相沉积法作为将各种气体注入于反应腔室，将通过热、光或者等离子体的高能量诱导的气体与反应气体发生化学反应，进而在基板上沉积薄膜的技术，化学气相沉积法利用迅速发生的化学反应，因此存在非常难以控制热力学稳定性，并且降低薄膜的物理性、化学性及电气性特性的问题。
4、原子层沉积法作为交替供应作为反应气体的源气体与吹扫气体，以在基板上沉积原子层单位的薄膜的技术，原子层沉积法为了克服台阶覆盖的局限性而利用表面反应，因此具有适合形成具有高纵横比的精细图案，并且薄膜的电气性及物理性特性优秀的优点。
5、另一方面，即使有原子层沉积法有上述优点，但是因为在供应源气体与反应气体的间隙交替供应吹扫气体的步骤降低基板处理速度，因此存在降低生产率的问题。
6、不仅是上述的沉积工艺，在热处理等的过程中对于个别基板分别执行热处理的工艺因为基板进出的时间而降低基
7、为了解决这种问题，使用立式批量式的处理模块，即在腔室内装载多个基板，统一执行基板处理。
8、另外，更进一步地，为了提高生产率，配置垂直装载多个基板同时执行基板处理的多个处理模块来使用。
9、如此批量式处理模块为，在下侧配置用于装载及卸载基板的装载区域，及在上侧配置用于处理垂直配置的多个基板的基板处理部，因此基板处理部及对于基板处理部供应各种气体及排气的附加结构的设置位置高，因此存在需要工作人员为了维护而在狭窄空间放置梯子进行作业的问题。
10、尤其是，在有限的空间难以放置梯子等用于维护的工具，在配置之后也难以保障作业空间，而且是在梯子上进行作业，因此存在工作人员的安全得不到保障的问题。
11、另外，以往的基板处理装置为，因为维护工具无法同时执行在与装载区域相对应的高度的维护及在与处理模块相对应的高度的维护，因此存在增加维护时间及空间的问题。
技术实现思路
1、要解决的问题
2、本专利技术的目的在于，为了解决如上所述的问题，提供一种对于上侧处理模块可容易且安全地执行维护的基板处理装置及具有该基板处理装置的基板处理系统。
3、解决问题的手段
4、本专利技术是为了达到如上所述的本专利技术的目的而提出的，本专利技术公开了一种基板处理装置，包括：第一处理模块100，对于多个基板1执行基板处理；第二处理模块200，与所述第一处理模块100相邻配置，并且对于多个基板1执行基板处理；第一公用部300，与所述第一处理模块100背面相邻配置；第二公用部400，与所述第二处理模块200背面相邻配置，并且在与所述第一公用部300之间形成维护空间；上部支撑部500，配置在所述第一公用部300及所述第二公用部400之间，将所述维护空间区分为上部区域s1及下部区域s2。
5、所述第一处理模块100可包括：第一基板处理部110，配置在上侧来处理所述基板1；第一基板装载部120，配置在所述第一基板处理部110的下侧，执行所述基板1的装载及卸载。第二处理模块200可包括：第二基板处理部210，配置在上侧来处理所述基板1；第二基板装载部220，配置在所述第二基板处理部210的下侧，与所述第一基板装载部120相邻，执行所述基板1的装载及卸载。
6、所述上部支撑部500可配置在与所述第一基板处理部110及所述第二基板处理部210下侧相对应的高度。
7、所述上部支撑部500可接触于所述第一处理模块100及所述第二处理模块200的背面配置。
8、所述上部支撑部500可包括：支撑框架520，以彼此相向的方向凸出配置在所述第一公用部300及所述第二公用部400；上部支撑架510，被所述支撑框架520支撑。
9、所述上部支撑部500可包括：支撑框架，对应于由所述第一处理模块100背面、所述第二处理模块200背面、所述第一公用部300内侧面及所述第二公用部400内侧面包围的区域配置；上部支撑架510，被支撑并设置在所述支撑框架。
10、所述上部支撑部500可包括：框架部，设置在所述第一公用部300及所述第二公用部400之间；盖部，覆盖所述框架部并且可拆卸设置。
11、所述上部支撑部500可包括多个贯通口501，所述多个贯通口501以上下方向贯通形成。
12、所述第一公用部300可配置成使所述第二公用部400所在方向的相反侧外侧面与所述第二处理模块200所在方向的相反侧的所述第一处理模块100的侧面位于同一平面上；所述第二公用部400可配置成使所述第一公用部300所在方向的相反侧外侧面与所述第一处理模块100所在方向的相反侧的所述第二处理模块200的侧面位于同一平面上。
13、所述第一公用部300可包括：第一气体供应部310，向所述第一处理模块100供应气体；第一气体排放部320，从所述第一处理模块100排放气体；第一控制部330，配置在所述第一气体供应部310及所述第一气体排放部320上侧，以控制所述第一处理模块100。所述第二公用部400可包括：第二气体供应部410，向所述第二基板处理模块200供应气体；第二气体排放部420，从所述第二处理模块200排放气体；第二控制部430，配置在所述第二气体供应部410及所述第二气体排放部420上侧，以控制所述第二处理模块200。
14、所述上部支撑部500为，一端可配置在与所述第一气体供应部310及所述第一气体排放部320中的至少一个与所述第一控制部330之间的边界相对应的高度，另一端可配置在与所述第二气体供应部410及所述第二气体排放部420中的至少一个与所述第二控制部430之间的边界相对应的高度。
15、所述基板处理装置还可包括下部支撑部600，所述下部支撑部600在所述第一公用部300及所述第二公用部400之间中配置在所述维护空间下部区域s2底面。
16、所述基板处理装置还可包括辅助公用部800，所述辅助公用部800配置在所述上部支撑部500内部及下侧、所述第一处理模块100及所述第二处理模块200与所述上部支撑部500之间的至少一处。
17、所述辅助公用部800可配置成，在所述第一处理模块100及所述第二处理模块200与所述上部支撑部500之间，使上面与所述上部支撑部500上面构成同一平面。
18、所述辅助本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
16.根据
17.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
18.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
19.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
20.根据权利要求19所述的基板处理系统，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：金岐俊，李承镐，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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