一种承载硅片的载具及选择性发射极太阳电池的掩膜工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种可实现选择性掩膜的工艺和设备，其特征在于在一种气相淀积设备或一种扩散系统上，设计一种承载硅片的载具，把织构化后的太阳电池片置于载具中，载具子结构的栅线状设计正好将硅片的正面电极区域或非电极受光区域掩盖住，将整个载具通过传输进入该气相淀积系统或氧化系统或扩散系统，运行工艺后，硅片正面被载具内子结构掩盖的区域没有形成沉积膜或氧化膜或扩散层，而在没有被掩盖的区域形成沉积膜或氧化膜或扩散层，这样就形成了选择性的掩膜层或扩散层。本发明专利技术的优点是提供了一种可以简单的实现ＳＥ电池的大规模生产方法的掩膜工艺和设备，大大减少了实验室ＳＥ电池制备工艺流程，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可实现工业化大规模生产的选择性发射极太阳电池的掩膜设备 和使用该设备的工艺。
技术介绍
目前常规硅太阳电池生产的工艺流程为表面预清洗、制绒去除损伤层并形成减 反射的绒面结构、化学清洗并干燥；通过液态源扩散的方法在硅片表面各点形成均勻掺杂 的PN结；去除扩散过程中形成的周边PN结和表面磷硅玻璃；表面沉积钝化和减反射膜；制 作太阳电池的背面电极、背面电场和正面电极；烧结形成欧姆接触，从而完成整个电池片的 制作过程。硅太阳电池的制造工艺中，PN结作为一个核心的制作步骤，对电池的光电转换效 率有决定性的影响。为了得到更高的转换效率需要改变目前对硅片表面各点进行均勻性掺 杂的PN结的结构，需要对硅片表面实现定域扩散，即制作选择性的发射极，又称SE电池。SE电池的制作要求是在正面电极柵线下区域形成高掺杂深结区，从而可形成更好 的欧姆接触；在其他区域，也即活性受光区域形成低掺杂浅结区，从而减少了少子的复合， 可得到更高的短路电流。因此两方面，SE电池能得到更高的转换效率。欧姆接触的实现与电流的提升在传统结构电池中是一对矛盾。因此如何在大规模 生产中实现SE电池的制作一向是讨论的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种承载硅片的载具，其特征在于：包括至少一个有序排列的子结构，每个子结构外围是硅片形状大小的硅片承载框（１），每个子结构的内部图案（２）呈栅线状且跟丝网正面的电极印刷图案一致或反一致。

【技术特征摘要】
一种承载硅片的载具，其特征在于包括至少一个有序排列的子结构，每个子结构外围是硅片形状大小的硅片承载框(1)，每个子结构的内部图案(2)呈栅线状且跟丝网正面的电极印刷图案一致或反一致。2.一种选择性发射极太阳电池的掩膜工艺，其特征在于步骤为步骤1、硅片的表面织构化处理将预清洗完成后的单晶硅或多晶硅片放入化学腐蚀 液中进行织构化处理并去除损伤层；步骤2、把织构化后的硅片通过上片系统置于承载硅片的载具的每个子结构中，若子结 构的内部图案(2)跟丝网正面的电极印刷图案一致，则传输进入气相沉积设备或氧化系统 进行淀积工艺或氧化工艺，在非电极受光区域形成选择性扩散所需要的具有一定厚度和致 密性的阻挡膜；若子结构的内部图案(2)跟丝网正面的电极印刷图案反一致，则传输进入 扩散系统进行扩散工艺，使硅片表面无掩膜的待印刷电极的区域形成重扩散掺杂层，而在 有掩膜层覆盖的非电极受光区域没有形成扩散层；步骤3、若步骤2进行的是淀积工艺或氧化工艺，则将制作完掩膜的硅片放入高温扩散 炉中进行液态源扩散，在硅片受光有掩膜的区域形成轻掺杂，在硅片待印刷电极的无掩膜 区域形成重掺杂；若步骤2进行的是扩散工艺，则将掩膜的子结构去除后，对硅片的前表面 进行低浓度的轻扩散掺杂；步骤4、将选择性扩散后的硅片进行刻蚀去除周边PN结，并清洗去除表面磷硅玻璃；步骤5、将干燥后的硅片正面制作一层钝化和减反射薄膜；步骤6、通过丝网印刷的方法制作背电极、背电场和正电极，并进行烧结，完毕。3.如权利要求2所述的选择性发射极太阳电池的掩膜工艺，其特征在于步骤1所述 化学腐蚀液为温度为75-80°C，质量百分比浓度为1%...

【专利技术属性】
技术研发人员：石劲超，
申请(专利权)人：浙江百力达太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]