选择性发射极太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种选择性发射极太阳电池的制备方法，包括以下步骤：提供单晶硅片进行表面织构化；通过第一丝网印刷网版对上述硅片印刷扩散渗透膜；所述第一丝网印刷网版所印刷的扩散渗透膜遮挡住非电极区，裸露待印刷电极区域，硅片在有渗透膜的非电极受光区域形成轻扩散层，而在没有渗透膜的待印刷电极区域形成重扩散层；然后进行刻蚀去除周边的ＰＮ结，再进行洗膜并去除磷硅玻璃；制作钝化及减反射层；用印刷网版印刷并烧结形成背面Ａｇ电极、背面铝背场和正面Ａｇ电极。本发明专利技术提供的选择性发射极太阳电池的制备方法，采用一次扩散就可形成选择性发射极太阳电池所需的轻重掺杂，减少了一次高温扩散过程，简化了工艺路径，使得成本更低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法，尤其涉及一种选择性发射极太阳电池的 制备方法，属于太阳能电池生产制作

技术介绍
选择性发射极太阳电池的制作要求是在正面电极柵线下区域形成高掺杂深结区， 从而可形成更好的欧姆接触；在其他区域，也即活性受光区域形成低掺杂浅结区，从而减少 了少子的复合，可得到更高的短路电流。因此两个方面，该电池能得到更高的转换效率。欧姆接触的实现与电流的提升在传统结构电池中是一对矛盾。因此如何在大规模 生产中实现选择性发射极电池的制作一向是讨论的热点和制作的难点。目前已有多种选择 性发射极太阳电池的制作方法，诸如光刻，激光开槽等成本太高，工艺复杂。另外南京中电 光伏有限公司公布了一种小规模生产SE电池的方法，以其为代表的典型工艺流程如下1. 去除硅片表面损伤层形成绒面化结构；2. 热生长二氧化硅作阻挡层；3. 开 窗形成电极窗口 ；4. 高浓度重扩；5.去除二氧化硅层；6. 低浓度轻扩；7.去除周边及背面PN结；8.PECVD沉积钝化、减反层；9.对准选择性的发射极印刷正反面电极及背电场并进行烧结。采用该方法生产SE电池的成本已大大降低，但该方法采用了扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一单晶硅片，对单晶硅片表面织构化形成绒面结构；通过第一丝网印刷网版对上述硅片印刷扩散渗透膜；所述第一丝网印刷网版所印刷的扩散渗透膜遮挡住非电极区，裸露待印刷电极区域，硅片在有渗透膜的非电极受光区域形成轻扩散层，而在没有渗透膜的待印刷电极区域形成重扩散层；将硅片进行等离子刻蚀去除周边的ＰＮ结，再进行酸洗去除硅片表面的磷硅玻璃和扩散渗透膜；采用等离子增强化学气相沉积法在上述硅片的扩散面沉积一层氮化硅薄膜形成钝化及减反射层；通过背面电极网版、背面电场网版对上述硅片层的背面依次印刷背电极浆料和背电场浆料，通过第二丝网印刷网版在正...

【技术特征摘要】
一种选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤提供一单晶硅片，对单晶硅片表面织构化形成绒面结构；通过第一丝网印刷网版对上述硅片印刷扩散渗透膜；所述第一丝网印刷网版所印刷的扩散渗透膜遮挡住非电极区，裸露待印刷电极区域，硅片在有渗透膜的非电极受光区域形成轻扩散层，而在没有渗透膜的待印刷电极区域形成重扩散层；将硅片进行等离子刻蚀去除周边的PN结，再进行酸洗去除硅片表面的磷硅玻璃和扩散渗透膜；采用等离子增强化学气相沉积法在上述硅片的扩散面沉积一层氮化硅薄膜形成钝化及减反射层；通过背面电极网版、背面电场网版对上述硅片层的背面依次印刷背电极浆料和背电场浆料，通过第二丝网印刷网版在正面印刷细栅电极和主栅电极浆料后进行烧结，所述第二丝网印刷网版和第一丝网印刷网版图形设计相反；烧结后背电极浆料和背电场浆料形成太阳能电池的背面Ag电极和铝背场，而正面电极浆料则穿过钝化及减反射层与扩散层接触，形成具有良好欧姆接触的太阳能电池的正面Ag电极。2.如权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，所述对单晶 硅片表面织构化形成绒面结构包括如下步骤对单晶硅片进行预清洗，预清洗采用超声波...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐冬星，石劲超，
申请(专利权)人：浙江百力达太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]