太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳电池的制备方法，包括以下步骤：提供多片单晶硅片进行表面织构化；将多片织构化的硅片层叠在一起在其周边沉积上一层氮化硅或氧化硅掩蔽膜，然后在硅片待制作正电极的前表面上扩散上一层磷掺杂层，形成ＰＮ结，而在硅片的周边由于掩蔽膜的存在而没有形成扩散ＰＮ结；去除周边掩蔽膜和表面磷硅玻璃；制作钝化及减反射层；进行丝网印刷和烧结形成背面Ａｇ电极、背面铝背场和正面Ａｇ电极。本发明专利技术提供的太阳电池的制备方法，在进行杂质源扩散制作ＰＮ结前先形成掩蔽膜，由于掩蔽膜的存在，在硅片四周边缘不会形成ＰＮ结，将扩散后的硅片进行酸洗去除硅片四周掩蔽膜和扩散表面的磷硅玻璃，从而达到替代刻蚀的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法，尤其涉及一种，属 于太阳能电池生产制作

技术介绍
目前常规硅太阳电池生产的工艺流程为，表面预清洗、制绒去除损伤层并形成减 反射的绒面结构、化学清洗并干燥；通过液态源扩散的方法在硅片表面各点形成均勻掺杂 的PN结；去除扩散过程中形成的周边PN结和表面磷硅玻璃；表面沉积钝化和减反射膜；制 作太阳电池的背面电极、背面电场和正面电极；烧结形成欧姆接触，从而完成整个电池片的 制作过程。其中去除扩散过程中形成的周边PN结这一步骤，目前大都采用等离子干法刻蚀 和酸液湿法刻蚀的方法来实现。刻蚀是用化学或物理方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料的过程，所谓干 法刻蚀，通常指的就是利用辉光放电的方式，产生包含离子或电子等带电粒子和具有高化 学活性的中性原子及自由基的等离子体来进行薄膜移除的刻蚀技术。等离子体干法刻蚀虽 然有较好的刻蚀均勻性和刻蚀各向异性。但干法刻蚀对下层材料具有较差的刻蚀选择比， 且等离子体刻蚀中常伴随着离子轰击和辐射，这些现象对器件的损伤较大。另外经常有反 应残留物沉积在硅片边缘导致颗粒玷污和缺陷。这些都会严重影响刻蚀的稳定性，影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供多片单晶硅片，对单晶硅片表面织构化形成绒面结构；将多片织构化的硅片层叠在一起，并采用化学气相沉积法在其四周沉积氮化硅或氧化硅掩蔽膜，或者通过化学氧化的方法在其四周沉积一层氧化硅掩蔽膜；将上述硅片通过扩散工艺，在硅片待制作栅电极的前表面上扩散上一层磷掺杂层，形成ＰＮ结，而在硅片的周边由于掩蔽膜的存在而没有形成扩散磷掺杂层；去除在硅片周边形成的掩蔽膜和在硅片表面形成的副产物磷硅玻璃；采用等离子增强化学气相沉积法在上述硅片的扩散面沉积一层氮化硅薄膜形成钝化及减反射层；用丝网印刷的方法，在上述硅片层的背面依次印刷背电极浆料和背电场浆料，在正...

【技术特征摘要】
一种太阳电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤提供多片单晶硅片，对单晶硅片表面织构化形成绒面结构；将多片织构化的硅片层叠在一起，并采用化学气相沉积法在其四周沉积氮化硅或氧化硅掩蔽膜，或者通过化学氧化的方法在其四周沉积一层氧化硅掩蔽膜；将上述硅片通过扩散工艺，在硅片待制作栅电极的前表面上扩散上一层磷掺杂层，形成PN结，而在硅片的周边由于掩蔽膜的存在而没有形成扩散磷掺杂层；去除在硅片周边形成的掩蔽膜和在硅片表面形成的副产物磷硅玻璃；采用等离子增强化学气相沉积法在上述硅片的扩散面沉积一层氮化硅薄膜形成钝化及减反射层；用丝网印刷的方法，在上述硅片层的背面依次印刷背电极浆料和背电场浆料，在正面印刷细栅电极和主栅电极浆料后进行烧结；烧结后背电极浆料和背电场浆料形成太阳能电池的背面Ag电极和铝背场，而正面电极浆料则穿过钝化及减反射层与扩散层接触，形成具有良好欧姆接触的太阳能电池的正面Ag电极。2.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述对单晶硅片表面织构 化形成绒面结构包括如下步骤对单晶硅片进行预清洗，预清洗采用超声波，并添加一定的 清洗去污剂；之后将单晶硅片置于温度为75-80°C，质量百分比浓度为1% - 2%的氢氧化钠 溶液中进行表面织构化工艺，并添加适量制绒催化剂，以在100晶向的硅片表面形成均勻 一致的大小在l_3um...

【专利技术属性】
技术研发人员：石劲超，
申请(专利权)人：浙江百力达太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]