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本发明公开了一种太阳电池的制备方法，包括以下步骤：提供多片单晶硅片进行表面织构化；将多片织构化的硅片层叠在一起在其周边沉积上一层氮化硅或氧化硅掩蔽膜，然后在硅片待制作正电极的前表面上扩散上一层磷掺杂层，形成ＰＮ结，而在硅片的周边由于掩蔽膜的...
该专利属于浙江百力达太阳能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江百力达太阳能有限公司授权不得商用。

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