具有过度生长的发射极的SiC双极结晶体管制造技术

本发明专利技术提供了用于碳化硅（SiC）双极结晶体管（BJT）的新设计和制造这种SiC?BJT的新方法。SiC?BJT包括布置为叠层的集电极区域（220）、基极区域（240）和发射极区域（260）。发射极区域在叠层的顶部上形成由外侧壁（265）限定的凸起结构。基极区域的与发射极区域界面连接的部分限定本征基极区域（245）。此外，本征基极区域包括第一部分（246），其通过第二部分（247）与发射极区域的外侧壁沿侧向隔开，第二部分具有的掺杂剂剂量比第一部分的掺杂剂剂量高。本发明专利技术的有利之处在于，提供了具有改进的闭锁能力并仍具有足够高的电流增益的SiC?BJT。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈·康斯坦丁诺夫，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：
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