一种选择性发射极太阳电池硅片制造技术

本实用新型专利技术提供一种选择性发射极太阳电池硅片，包括正面电极、背电极和铝背场，所述正面电极在硅片的正面，所述背电极和铝背场在硅片的背面，所述硅片表面为金字塔状表面，所述硅片的选择性扩散面沉积一层氮化硅薄膜；该种选择性发射极太阳电池硅片结构合理，可形成更好的欧姆接触，能得到更高的转换效率，更容易实现产业化。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电池硅片，尤其涉及一种选择性发射极太阳电池硅片。
技术介绍
目前已有多种选择性发射极太阳电池硅片，但其成本太高，且存在着如何形成良好的欧姆接触，如何能使电池得到更高的转换效率且容易实现产业化的问题。这是我们在生产过程中需要研究并解决的问题。以此，我们在生产中需要一种结构合理、可形成更好的欧姆接触、能得到更高的转换效率、更容易实现产业化的选择性发射极太阳电池硅片。
技术实现思路
本技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种结构合理、可形成更好的欧姆接触、能得到更高的转换效率、更容易实现产业化的选择性发射极太阳电池娃片。本技术的技术解决方案是一种选择性发射极太阳电池硅片，包括正面电极、背电极和铝背场，所述正面电极在硅片的正面，所述背电极和铝背场在硅片的背面，所述硅片表面为金字塔状表面，所述硅片的选择性扩散面沉积一层氮化硅薄膜。进一步改进在于所述氮化娃薄膜厚度为75nm-85nm。进一步改进在于所述氮化硅薄膜的折射率为2. 0-2. 2。进一步改进在于所述正面电极的数量为三个，所述背电极的数量为一个。本技术一种选择性发射极太阳电池硅片，其中硅片表面为金字塔状表面，使表面具有良好的陷光效果。硅片的选择性扩散面沉积一层氮化硅薄膜，以保证有良好的减反射和钝化效果。本技术的有益效果是本技术一种选择性发射极太阳电池硅片结构合理，可形成更好的欧姆接触，能得到更高的转换效率，更容易实现产业化。附图说明图I是本技术实施例的结构示意图；其中1-正面电极，2-背电极，3-铝背场，4-氮化硅薄膜。具体实施方式以下结合附图详细说明本技术的优选实施例。如图I所示，本实施例提供一种选择性发射极太阳电池硅片，包括正面电极I、背电极2和铝背场3，所述正面电极I在硅片的正面，所述背电极2和铝背场3在硅片的背面，所述硅片表面为金字塔状表面，所述硅片的选择性扩散面沉积一层氮化硅薄膜4，所述氮化硅薄膜4厚度为80nm，所述氮化硅薄膜4的折射率为2. I，所述正面电极I的数量为三个，所述背电极2的数量为一个。本实施例一种选择性发射极太阳电池娃片，其中娃片表面为金字塔状表面，使表面具有良好的陷光效果。硅片的选择性 扩散面沉积一层氮化硅薄膜，氮化硅薄膜4厚度为80nm，且氮化硅薄膜4的折射率为2. 1，以保证有良好的减反射和钝化效果。本实施例的有益效果是本实施例一种选择性发射极太阳电池硅片结构合理，可形成更好的欧姆接触，能得到更高的转换效率，更容易实现产业化。权利要求1.一种选择性发射极太阳电池硅片，包括正面电极(I)、背电极(2)和铝背场(3)，所述正面电极(I)在硅片的正面，所述背电极(2)和铝背场(3)在硅片的背面，其特征在于所述硅片表面为金字塔状表面，所述硅片的选择性扩散面沉积一层氮化硅薄膜(4)。2.如权利要求I所述的一种选择性发射极太阳电池硅片，其特征在于所述氮化硅薄膜(4)厚度为 75nm-85nm。3.如权利要求2所述的一种选择性发射极太阳电池硅片，其特征在于所述氮化硅薄膜(4)的折射率为2. 0-2.2。4.如权利要求I或2所述的一种选择性发射极太阳电池硅片，其特征在于所述正面电极(I)的数量为三个，所述背电极(2)的数量为一个。专利摘要本技术提供一种选择性发射极太阳电池硅片，包括正面电极、背电极和铝背场，所述正面电极在硅片的正面，所述背电极和铝背场在硅片的背面，所述硅片表面为金字塔状表面，所述硅片的选择性扩散面沉积一层氮化硅薄膜；该种选择性发射极太阳电池硅片结构合理，可形成更好的欧姆接触，能得到更高的转换效率，更容易实现产业化。文档编号H01L31/0236GK202601631SQ201220075238公开日2012年12月12日 申请日期2012年3月2日 优先权日2012年3月2日专利技术者张振光, 刘宏亮 申请人:安徽东日昌新能源电力有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性发射极太阳电池硅片，包括正面电极（1）、背电极（2）和铝背场（3），所述正面电极（1）在硅片的正面，所述背电极（2）和铝背场（3）在硅片的背面，其特征在于：所述硅片表面为金字塔状表面，所述硅片的选择性扩散面沉积一层氮化硅薄膜（4）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张振光，刘宏亮，
申请(专利权)人：安徽东日昌新能源电力有限公司，
类型：实用新型
国别省市：