【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种用于高电压静电放电防护的双向双极型结晶体管及其制作方法、包含该双向双极型结晶体管的电路，该双向双极型结晶体管包含一衬底、一N+掺杂埋层、一N型阱区、和两个P型阱区。该N+掺杂埋层可以邻近于该衬底而被设置。该N型阱区可以围绕该两个P型阱区，从而使该N型阱区的一部分被安插于该两个P型阱区之间。该多个P型阱区可以邻近于该N+掺杂埋层而被设置，且包含一或更多的N+掺杂板、一或更多的P+掺杂板、一或更多的场氧化物(FOX)部分、和一或更多的场板。一多重射极结构也被提供。【专利说明】用于高电压静电放电防护的双向双极型结晶体管
本专利技术的实施例一般地有关于半导体装置，且更特别地有关于用于高电压静电放电(ESD)防护的一双向双极型结晶体管(BJT)。
技术介绍
实际上在电子装置制造的全部方面中，目前存在着朝缩小装置尺寸继续前进的驱动力。当较小和较大的两种装置实质上具有等效的能力时，较小的电子装置对比于较大的、较笨重的装置趋向于较受欢迎。于是，能够制造较小的元件明显地将趋向便利于结合那些元件的较小装置的生产。然而，许多现代的电子装置需要电子...
【技术保护点】
一种双向双极型结晶体管(BJT)，包含：一p型衬底；一N+掺杂埋层，邻近于该衬底而被设置；一第一P型阱区，邻近于该N+掺杂埋层而被设置；一第二P型阱区，邻近于该N+掺杂埋层而被设置；一N型阱区，邻近于该N+掺杂埋层，且围绕该第一和该第二P型阱区，从而使该N型阱区的至少一部分被安插于该第一和该第二P型阱区之间；第一、第二和第三场氧化物(FOX)部分，邻近于该N型阱区而被设置；以及第一、第二、第三和第四场板，该第一场板邻近于该第一FOX部分而被设置，该第二和该第三场板邻近于该第二FOX部分的各自部分而被设置，且该第四场板邻近于该第三FOX部分而被设置；其中该第一和该第二P型阱的...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈信良，洪志临，杜硕伦，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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