【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶体硅太阳电池的制作
，具体涉及一种
技术介绍
随着化石能源的枯竭，太阳电池作为一种绿色能源，得到快速的发展。晶体硅太阳电池成为目前太阳电池领域的主流，如何降低太阳电池的成本，提高太阳电池的效率成为国内外晶体硅太阳电池研究的重点。发射极作为太阳电池的关键组成部分，其表面掺杂浓度，直接影响太阳电池的效率。因为当表面发射极的掺杂浓度大于102°/cm3时，将成为死层区，因此，通过降低发射极表面的掺杂浓度，提高电池片对短波段的响应，以及降低暗电流，提高开路电压，成为目前提高电池效率的主要方法。然而传统的发射极的制备，硅片表面的掺杂浓度都高于102°/cm3，因此表面会形成几十纳米的死层区，影响电池的效率。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述存在的缺陷，提供一种，该专利技术先采用传统扩散，然后在硅片表面印刷腐蚀性浆料，将掺杂浓度较高的死层发射极区腐蚀掉的方法，制备具有优良性能的无死层发射极，本专利技术可以有效地去除电池片表面的死层发射极区，提闻太阳电池的短波响应，减小暗电流，有效提闻电池片的开路电压，并且易于工业化生产。本专利技术的技术方案为一种...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程亮，张黎明，刘鹏，姜言森，贾河顺，任现坤，姚增辉，张春艳，
申请(专利权)人：山东力诺太阳能电力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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