【技术实现步骤摘要】
一种高效晶体硅太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
,具体涉及一种高效晶体硅太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
随着工业化进程的不断推进和人民生活水平的日益提高,人们对能源的需求越来越大,石油、煤炭等传统化石能源储量有限,可替代传统化石能源的绿色可再生能源逐渐进入研究者视野,太阳能作为一种取之不尽用之不竭的清洁能源受到极大关注。现阶段,对太阳能的研究主要集中在光热利用、光电利用和光化利用等领域。太阳能电池是太阳能光电利用的一种主要方式,其基本原理是利用光生伏特效应将太阳辐射能直接转换为电能。晶体硅是现阶段太阳能电池的主流材料,晶体硅的表面复合速率对太阳能电池的性能影响很大,必须通过表面钝化的方式降低复合速率。通过PECVD方法生长的SiNx:H薄膜是目前使用最多的钝化方法,SiNx:H薄膜中含有大量的氢,这些氢会在后续的热处理过程中从薄膜中扩散到晶体硅的表面,与晶体硅的悬挂键结合,起到钝化作用。但太阳能电池中氢含量也不宜过高,在一定的温度和光照下,这些氢又会以更快的速度释放,从而导致衰减。< ...
【技术保护点】
1.一种高效晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:/n(1)硅片前处理:将洁净的硅片置于碳氮共渗炉中,抽真空后通入甲烷和氨气的混合气体,温度为800~1200℃,时间为30~240min,甲烷的流量为0.8~1.0m
【技术特征摘要】
1.一种高效晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
(1)硅片前处理:将洁净的硅片置于碳氮共渗炉中,抽真空后通入甲烷和氨气的混合气体,温度为800~1200℃,时间为30~240min,甲烷的流量为0.8~1.0m3/h,氨气的流量为0.5~0.75m3/h,碳势为0.9%~1.2%;
(2)制绒:待硅片冷却后使用制绒液在硅片表面制绒;
(3)扩散:通过磷扩散,在硅片表面形成P-N结;
(4)刻蚀:刻蚀硅片边缘;
(5)钝化:在硅片的背面生长一层AlOx薄膜,然后采用PECVD方式分别在硅片两面沉积SiNx:H薄膜;
(6)丝网印刷:在硅片的正面印刷正电极,在硅片的背面印刷背电极和背电场;
(7)退火烧结:将硅片置于烧结炉中烧结。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)为将洁净的硅片置于碳氮共渗炉中,抽真空后通入甲烷和氨气的混合气体,温度为900℃,时间为180min,甲烷的流量为0.9m3/h,氨气的流量为0.6m3/h,碳势为1.0%。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)具体为:
在10~15℃下制绒,所述制绒液包括如下重量百分比的原料:
3%氢氧化钠、0.2%十二烷基苯磺酸钠、8%异丙醇,余量为水。
4....
【专利技术属性】
技术研发人员:任现坤,杨晓君,仲伟佳,葛永见,曹振,郭瑞静,陈冲,
申请(专利权)人:山东力诺太阳能电力股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山东;37
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