太阳能电池制造技术

本申请提供了一种太阳能电池，包括硅基底、依次设置在所述硅基底背面的隧穿层与多晶硅层；所述硅基底的背面设置呈金字塔状，且所述硅基底背面的绒面高度设置为0.5～1.5μm。所述太阳能电池通过将硅基底背面设置呈具有既定绒面高度的金字塔结构，使得后续沉积制备的多晶硅层亦呈金字塔状，增大金属电极与多晶硅层的接触面积，改善金属电极与多晶硅层的接触性能，降低接触电阻，利于提高电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池
本申请涉及太阳能电池生产
，尤其涉及一种太阳能电池。
技术介绍
近年，随着光伏技术与市场的快速发展，业内对太阳能电池的转换效率也提出越来越高的需求。TOPCon(TunnelOxidePassivatedContact，隧穿氧化层钝化接触)电池通过在表面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层掺杂多晶硅层，提高表面钝化性能，有效提升电池的开路电压与短路电流。上述TOPCon电池生产过程中通常包括将硅基底表面清洗、抛光，再依次沉积制备上述隧穿氧化层与掺杂多晶硅层，所述硅基底的表面形态对其表面膜层性能影响较大。业内还公开一种POLO-IBC电池，将上述电池钝化结构与背电池设计相结合，以提高电池转换效率。但整体生产工艺较为复杂，工艺精度要求也比较严格，电池生产成本也较高，产业化应用较为困难。鉴于此，有必要提供一种新的太阳能电池。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种太阳能电池，能够改善金属电极的接触性能，提高电池转换效率。为实现上述技术目的，本申请提供了一种太阳能电池，包括硅基底、依次设置在所述硅基底背面的隧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，包括硅基底、依次设置在所述硅基底背面的隧穿层与多晶硅层，其特征在于：所述硅基底的背面设置呈金字塔状，且所述硅基底背面的绒面高度设置为0.5～1.5μm。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，包括硅基底、依次设置在所述硅基底背面的隧穿层与多晶硅层，其特征在于：所述硅基底的背面设置呈金字塔状，且所述硅基底背面的绒面高度设置为0.5～1.5μm。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述硅基底的正面同样设置呈金字塔状，且所述硅基底正面的绒面高度设置为2～4μm。


3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述硅基底具有第一区域与第二区域；所述多晶硅层包括设置在所述第一区域的第一掺杂多晶硅层、设置在所述第二区域的第二掺杂多晶硅层。


4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂多晶硅层设置为掺硼的P型多晶硅层；所述第二掺杂多晶硅层设置为掺磷的N型多晶硅层。


5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一区域包括若干第一条形区，所述第二区域包括若干第二条形区，所述第一条形区与第二条形区依次交替排布且呈相互间隔设置。


6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兵，邵亚辉，罗宇驰，邓伟伟，蒋方丹，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33