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本申请提供了一种太阳能电池，包括硅基底、依次设置在所述硅基底背面的隧穿层与多晶硅层；所述硅基底的背面设置呈金字塔状，且所述硅基底背面的绒面高度设置为0.5～1.5μm。所述太阳能电池通过将硅基底背面设置呈具有既定绒面高度的金字塔结构，使得后...
该专利属于嘉兴阿特斯光伏技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴阿特斯光伏技术有限公司授权不得商用。

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