铝基封装快恢复单相桥制造技术

本实用新型专利技术涉及一种铝基封装快恢复单相桥，具有覆铜铝基板，所述的铝基板与覆铜之间绝缘设置，所述的覆铜铝基板上焊接有４个快恢复二极管，４个快恢复二极管利用上电极作桥式连接后通过４个外电极作为功能端引出，所述的覆铜铝基板通过环氧树脂灌封嵌入在ＰＢＴ塑壳内。本实用新型专利技术适用功率远远大于同类产品，不仅热阻低，损耗小，而且生产工艺简单，周期短，成本低，并且可以使得功能电极与散热铝板直接保持绝缘状态。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种单相整流桥器件，尤其是一种铝基封装快恢复单相桥。
技术介绍
单相整流桥主要用于高频电源的初级全桥整流，在中小功率直流电源，变频设备 等使用相当广泛。但是，目前市场上这种封装的快恢复单相整流桥都采用套装内嵌结构， 通过外引线直接固定芯片组成单相桥式结构，然后放入带铝底板的外壳中，芯片不与作为 散热器的铝底板直接接触，因此热阻非常大，散热效果很不好，直接影响产品最终的使用功 率，而且生产工艺复杂，成本较高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种生产工艺简单，生产成本低，使用方便 的铝基封装快恢复单相桥。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种铝基封装快恢复单相桥， 具有覆铜铝基板，所述的铝基板与覆铜之间绝缘设置，所述的覆铜铝基板上焊接有4个快 恢复二极管，4个快恢复二极管利用上电极作桥式连接后通过4个外电极作为功能端引出， 所述的覆铜铝基板通过环氧树脂灌封嵌入在PBT塑壳内。进一步的说，为了使本技术安装方便，本技术所述的覆铜铝基板的近中 心设置有圆形安装孔。本技术的有益效果是，解决了
技术介绍
中存在的缺陷，作为相同类型的快恢 复三相整流桥来讲，本技术适用功率远远大于同类产品，不仅热阻低，损耗小，而且生 产工艺简单，周期短，成本低，并且可以使得功能电极与散热铝板直接保持绝缘状态。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。附图说明图1是本技术的优选实施例的结构示意图；图2是图1的主视图；图3是本技术的外形主视图；图4是图3的俯视图；图5是本技术快恢复二极管的电路连接图；图中1、覆铜铝基板；2、快恢复二极管；3、上电极；4、外电极；5、PBT塑壳；6、安装 孔。具体实施方式现在结合附图和优选实施例对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简 化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图1、2、3、4所示的一种铝基封装快恢复单相桥，具有覆铜铝基板1，所述的铝基 板与覆铜之间绝缘设置，所述的覆铜铝基板1上焊接有4个快恢复二极管2，4个快恢复二 极管2利用上电极3作桥式连接后通过4个外电极4作为功能端引出，所述的覆铜铝基板 1通过环氧树脂灌封嵌入在PBT塑壳5内。本技术所述的快恢复二极管2的电路连接如图5所示，技术所述的覆铜 铝基板1的近中心设置有圆形安装孔6。本技术在使用时通过中间的安装孔将此快恢复单相桥紧固于散热器上，将4 个电极分别与其他相应线路连接。其中两个电极作为整流线路输出的正极与负极，另外两 个电极作为交流输入端。以上说明书中描述的只是本技术的具体实施方式，各种举例说明不对本实用 新型的实质内容构成限制，所属
的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所 述的具体实施方式做修改或变形，而不背离技术的实质和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝基封装快恢复单相桥，其特征在于：具有覆铜铝基板（１），所述的铝基板与覆铜之间绝缘设置，所述的覆铜铝基板（１）上焊接有四个快恢复二极管（２），四个快恢复二极管（２）利用上电极（３）作桥式连接后通过四个外电极（４）作为功能端引出，所述的覆铜铝基板（１）通过环氧树脂灌封嵌入在ＰＢＴ塑壳（５）内。

【技术特征摘要】
一种铝基封装快恢复单相桥，其特征在于具有覆铜铝基板(1)，所述的铝基板与覆铜之间绝缘设置，所述的覆铜铝基板(1)上焊接有四个快恢复二极管(2)，四个快恢复二极管(2)利用上电极(3)作桥式连接后通过四个...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈富德，
申请(专利权)人：江苏矽莱克电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]