层压型晶体振子制造技术

本发明专利技术提供一种层压型晶体振子，其能够保持振动特性，并且以简易方法能够确保端面电极之间的电连接的晶体振子。该层压型晶体振子（１）包括：带框晶体板（２），框部（７）包围振动部（６），两者通过连接部（８ａ、８ｂ）连接；第一金属膜（１１）和第二金属膜（１３），形成于晶体板的框部的两个主表面；基板（３）和盖（４），层压于带框晶体板的两个主表面。其中，与第一金属膜（１１）电连接的晶体板端面电极与晶体板辅助电极电连接，晶体板辅助电极与基板辅助电极相对，并且通过共晶合金电连接，形成晶体板辅助电极的带框晶体板的一端侧的一边的框部的宽度至少与一个另一边的框部的宽度不同，在导电通路上设有截止共晶合金向激励电极流入的截止膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种表面安装用的晶体振子，特别是涉及一种在晶体板上层压基板和 盖的层压型晶体振子。
技术介绍
因为表面安装用的晶体振子是小型和轻量的，所以，特别是在携带型的电子设备 上作为频率或者时间的基准源广泛使用。最近，适应信息化社会，表面安装振子的消费量也 增加，因此，谋求生产率的提高。作为这种表面安装振子之一，有用基板和盖与由振动部和 包围振动部的框部构成的带框晶体板进行层压的层压型晶体振子。(现有技术)图12至图14为说明层压晶体振子的一个现有技术例的说明图。图12A为其立体 图，图12B为图12A所示的A方向所见的其侧面图，图12C为图12A所示的B-B剖面图，图 13A为在带框晶体板上的晶体板的一个主表面的平面图，图13B为在带框晶体板上的另一 主表面的平面图，图14A为在基板中的一个主表面的平面图，图14B为在基板中另一个主表 面的平面图。层压型晶体振子1在带框晶体板2的两个主表面上层压由陶瓷构成的基板3和金 属的盖4而形成(参照图12)。带框晶体板2由在其两个主表面上具有第一和第二激励电 极5 (a, b)的振动部6、包围振动部6的框部7、以及从在振动部6的一端部上的两侧延伸且 与振动部6和框部7连接的第一和第二连接部8 (a，b)构成(参照图13)。此外，在框部7 的四角上形成缺口部9 (a-d)。并且，振动部6、框部7和连接部8通过对晶体晶片进行蚀刻 而一体地形成。在与带框晶体板2上的盖4进行接合的一个主表面中，第一激励电极5a经过设在 第一连接部8a的表面的导电通路10a，与形成于框部7的全周的第一金属膜11电连接(参 照图13A)。第一金属膜11延伸至缺口部9 (a，b)，与跨接缺口部9 (a，b)的侧面部分而形成 的晶体板端面电极12电连接。另一方面，在与带框晶体板2上的基板3进行接合的另一个主表面中，第二激励电 极5b经过设在第二连接部8b的表面的导电通路10b，与形成于框部7的全周的第二金属膜 13电连接(参照图13B)。第二金属膜13从缺口部9 (a-d)分开而形成。下面，就基板3进行说明(参照图14)。在基板3的四角部形成与框部7的缺口部 9 (a-d)相对应的缺口部14(a_d)。并且，在与基板3上的带框晶体板2接合的一个主表面 上，形成与第二金属膜13相对，用共晶合金19进行接合的第三金属膜15 (参照图14A和图 12C)。第三金属膜15设在基板3的外周缘部，与形成于缺口部14(c，d)的侧面部分的第二 基板端面电极16电连接。并且，第二基板端面电极16与形成于基板3的另一个主表面上 的具有缺口部14(c，d)的角部的安装端子17 (c，d)电连接(参照图14B)。此外，第一基板端面电极18形成于缺口部14(a，b)侧面部分，并且通过共晶合金 19与晶体板端面电极12电连接。并且，第一基板端面电极18与形成于基板3的另一个主3表面上的具有缺口部14(a，b)的角部的安装端子17 (a，b)电连接(参照图14(A，C))。此外，盖4以科瓦缺镍钴合金为基材，用镍对其表面进行电镀，通过第一金属膜11 的表面的共晶合金19a与带框晶体板2接合(参照图12)。(参照专利文献1日本特开2001-267875号公报，以及专利文献2 日本特公昭 64-2288号公报)(现有技术的问题点)可是，在上述构成的现有技术例的层压型的晶体振子1中，通过共晶合金19a将基 板3和盖4与带框晶体板2接合。因为该接合是对共晶合金19a加热熔融而进行的，所以， 会有熔融的共晶合金19a通过导电通路10流入激励电极5(a，b)的情况。其结果是，晶体 阻抗降低或者假信号发生等，给晶体振子1的振动特性带来不良影响。此外，晶体板端面电极12和第一基板端面电极18之间的电连接是通过利用缺口 部9(a，b)和与该缺口部相对应的缺口部14 (a，b)之间的共晶合金19b (参照图12B)的接 合而进行的。因此，该共晶合金1%设在晶体振子1的侧面。但是，通过共晶合金19b连接 缺口部9(a，b)和与该缺口部相对应的缺口部14 (a，b)的方法不可靠，通常会导致晶体振子 1的制造工序的复杂化。再者，当共晶合金19b的量少时，在施加一些力时，共晶合金19b发生破损，会担心 晶体板端面电极12和第一基板端面电极18之间的电连接被切断。另一方面，当共晶合金 19b的量多时，会担心熔融的共晶合金19b流入至第二金属膜13而产生电短路。
技术实现思路
(专利技术目的)本专利技术的目的在于得到一种能够保持振动特性，并且能够以简易的方法确保端面 电极之间的电连接的晶体振子。(着眼点及其问题点)上述的专利文献2中公开了下述的构成，对晶片的表面以铬膜、金膜(或者银膜) 的顺序进行层压，形成从激励电极延伸的导电通路，通过除去导电通路的一部分的金膜 (或者银膜)，从而使铬膜露出晶片的表面。并且，公开了即使在导电通路的表面涂覆钎料， 露出的铬膜为钎料的“阻流”，能够防止钎料流入激励电极。本专利技术是着眼于该“阻流”作出 的。但是，为了充分地得到“阻流”的效果，使铬膜氧化，或者根据情况，会有铬膜无意 图地发生氧化，铬膜的表面成为氧化铬的情况。此时，导电通路上形成氧化铬的区域的截面 因为铬的面积变小，导电通路的电阻值变大。因此，产生给晶体振子的振动特性带来不良影 响这一问题。随着铬的氧化进展，该问题变得显著。(专利技术要点)本专利技术的晶体振子包括包括带框晶体板，框部包围在两个主表面上具有第一 和第二激励电极的振动部，通过第一和第二连接部连接所述振动部和所述框部；第一和第 二金属膜，形成于所述框部的两个主表面的一个主表面和另一个主表面的全周，从所述第 一和第二激励电极延伸的导电通路经所述第一和第二连接部进行连接；基板和盖，层压于 所述带框晶体板的两个主表面，外周部通过共晶合金与所述框部接合，密闭封装所述振动部；设在所述带框晶体板的一个主表面上的所述第一金属膜通过形成于设在所述带框晶体 板的外侧面的缺口部内的晶体板端面电极、以及形成于设在所述基板的外侧面的缺口部内 的第一基板端面电极，与设在所述基板的一个主表面的相对面即另一个主表面的一端侧的 成对安装端子的一个电连接，设在所述带框晶体板的另一个主表面上的所述第二金属膜通 过设在由所述共晶合金全面地接合的所述基板的一个主表面的外周的第三金属膜、以及与 所述第三金属膜连接并且形成于设在所述基板的外侧面的缺口部内的第二基板端面电极， 与设在所述基板的另一个主表面上的另一端侧的另一个安装端子电连接，其中，与所述带 框晶体板的一个主表面的所述第一金属膜电连接的所述晶体板端面电极，与设在所述带框 晶体板的缺口部的外周的另一个主表面上并且和第二金属膜分开的晶体板辅助电极电连 接，所述晶体板辅助电极与设在所述基板的一个主表面的基板辅助电极相对，通过所述共 晶合金电连接，形成有所述晶体板辅助电极的所述带框晶体板的一端侧上的一边的框部的 宽度，至少与一个另一边的框部的宽度不同，在所述导电通路上设有截止所述共晶合金向 所述激励电极流入的截止膜。(专利技术的效果)根据这样构成，因为在导电通路上设置截止膜，所以，熔融的共晶合金不会流入至 第一和第二激励电极。因此，不产生晶体阻抗降低或者假信号发生等，保持晶体振子的振动 特性。此外，晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层压型晶体振子，包括：带框晶体板，框部包围在两个主表面上具有第一和第二激励电极的振动部，通过第一和第二连接部连接所述振动部和所述框部；第一和第二金属膜，形成于所述框部的两个主表面的一个主表面和另一个主表面的全周，从所述第一和第二激励电极延伸的导电通路经所述第一和第二连接部进行连接；基板和盖，层压于所述带框晶体板的两个主表面，外周部通过共晶合金与所述框部接合，密闭封装所述振动部；设在所述带框晶体板的一个主表面上的所述第一金属膜通过形成于设在所述带框晶体板的外侧面的缺口部内的晶体板端面电极、以及形成于设在所述基板的外侧面的缺口部内的第一基板端面电极，与设在所述基板的一个主表面的相对面即另一个主表面的一端侧的成对安装端子的一个电连接，设在所述带框晶体板的另一个主表面上的所述第二金属膜通过设在由所述共晶合金全面地接合的所述基板的一个主表面的外周的第三金属膜、以及与所述第三金属膜连接并且形成于设在所述基板的外侧面的缺口部内的第二基板端面电极，与设在所述基板的另一个主表面上的另一端侧的另一个安装端子电连接，所述层压型晶体振子的特征在于：与所述带框晶体板的一个主表面的所述第一金属膜电连接的所述晶体板端面电极，与设在所述带框晶体板的缺口部的外周的另一个主表面上并且和第二金属膜分开的晶体板辅助电极电连接，所述晶体板辅助电极与设在所述基板的一个主表面的基板辅助电极相对，通过所述共晶合金电连接，形成有所述晶体板辅助电极的所述带框晶体板的一端侧上的一边的框部的宽度，至少与一个另一边的框部的宽度不同，在所述导电通路上设有截止所述共晶合金向所述激励电极流入的截止膜。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：水沢周一，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]