晶体晶片以及晶体振子的制造方法技术

本发明专利技术提供一种晶体晶片以及晶体振子的制造方法，所述晶体晶片能够减轻操作及搬送时所产生的破裂，能够提升生产性。晶体晶片(10)在外周部(20)的一部分或全部包括双晶化区域(21)。双晶化区域是从晶体晶片的外周向中心至少2mm的区域，所述区域的80％以上经双晶化。在包括双晶化区域的晶体晶片以矩阵状形成用于形成多个晶体振子的外形的耐蚀刻掩模(13)，将所述晶体晶片浸渍于以氢氟酸为主的蚀刻液中而形成所述外形。而形成所述外形。而形成所述外形。

【技术实现步骤摘要】
晶体晶片以及晶体振子的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种在操作(handling)及搬送时难以产生破裂的晶体晶片以及晶体振子的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着电子机器的小型化及通信频率的高频化，对于晶体振子也要求小型且薄，利用机械加工式的制造方法难以制造晶体振子。因此，使用下述方法：通过光刻(photolithography)技术及湿式蚀刻(wet etching)技术，在晶体晶片将多个晶体振子形成为矩阵(matrix)状，从晶体晶片折取各晶体振子而进行单片化。因而，在光刻工序或单片化工序中，要屡屡进行晶体晶片的操作或搬送。
[0003]在湿式蚀刻工序中，典型的是使用以氢氟酸为主的蚀刻液。而且，专利文献1中公开了：相对于AT切割(振动区域)，成为双晶的BT切割(非振动区域)的蚀刻速度为2/7左右(专利文献1的、解决问题的技术手段等)。
[0004][现有技术文献][0005][专利文献][0006]专利文献1：日本专利特开2003
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技术实现思路

[0007][专利技术所要解决的问题][0008]但是，将晶体晶片进行湿式蚀刻时，在不想要进行蚀刻加工的部位，具体而言，在晶体晶片的外周部即外框部、或支撑晶体晶片内的各晶体振子的杆等的部位，成膜Au等金属膜或抗蚀剂膜(resist film)，从而保护外框部或杆免受蚀刻液侵蚀。但是，在进行金属膜或抗蚀剂膜的成膜时，必须利用夹具来保持晶体晶片的例如外周部的一部分，因此所述部分无法附着金属膜或抗蚀剂膜，因此无法利用金属膜或抗蚀剂膜来保护。因此，会在晶体晶片的外周部的一部分产生非意图的蚀刻。因而，例如会产生以下参照图16所说明的问题。
[0009]图16的(A)是现有的晶体晶片170的平面图。而且，图16的(B)是在现有的晶体晶片170中产生破裂190的一例的平面图。
[0010]在现有的晶体晶片170中，如图16的(A)那样，在湿式蚀刻工序时，有时晶体晶片170的外周部被蚀刻成非意图的状态，产生凹凸180。所述凹凸180会因在晶体晶片的操作及搬送时对晶体晶片所施加的力，而产生如图16的(B)图那样的破裂190。
[0011]本专利技术是鉴于所述问题而完成的，因而本申请的目的在于提供一种具有新颖结构的晶体晶片以及晶体振子的制造方法，在用于以矩阵状形成多个晶体振子的晶体晶片中，能够防止在外周部产生凹凸，由此能够减轻操作及搬送时所产生的破裂。
[0012][解决问题的技术手段][0013]为了谋求达成所述目的，根据本申请的晶体晶片的专利技术，一种晶体晶片，用于以矩阵状形成多个晶体振子，所述晶体晶片的特征在于，在晶体晶片的外周部的一部分或全部
包括双晶化区域。
[0014]而且，根据作为本申请的另一专利技术的晶体振子的制造方法，一种晶体振子的制造方法，是使用光刻技术及以氢氟酸为主的蚀刻液，在晶体晶片以矩阵状形成多个晶体振子的外形，所述晶体振子的制造方法的特征在于包括下述工序：在所述晶体晶片的至少外周部的一部分或全部形成双晶化区域的工序；以及将形成有所述双晶化区域的晶体晶片浸渍于所述蚀刻液中而形成所述外形的工序。
[0015]此处，在所述的各专利技术中，所谓双晶化区域，是指有其他结晶进入第一结晶中的区域、即所谓的渗入双晶的区域。即，在晶体晶片使用右旋晶体的情况下，双晶化区域是左旋晶体的区域，反之，在晶体晶片使用左旋晶体的情况下，双晶化区域是右旋晶体的区域。若进一步利用具体例来进行说明，则在晶体晶片为AT切割的晶体晶片的情况下，双晶化区域是成为接近相当于BT切割的切割区域的区域。
[0016][专利技术的效果][0017]根据本专利技术的晶体晶片，在晶体晶片的外周部包括双晶化区域，因此能够防止(减少)在湿式蚀刻工序时外周部从与晶体晶片的主面垂直的方向被蚀刻成非意图的状态，因此能够减轻在晶体晶片的外周部产生凹凸的现象。因而，能够减轻晶体晶片的操作及搬送时所产生的破裂，因此能够提升生产性，例如减少制造晶体振子时的破损不良等。而且，在不想要进行蚀刻的部位成膜金属膜或抗蚀剂膜时，即便因固定夹具的影响而在所述外周部产生无法保护的区域，只要在所述外周部设置所述双晶化区域，则也能够防止或减轻被蚀刻成非意图的状态的现象。因此，能够提升生产性，例如减少制造晶体振子时的破损不良等，并且不需要考虑固定夹具所造成的影响，因而能够提升固定夹具的形状的自由度。
[0018]而且，根据本专利技术的晶体振子的制造方法，在使用以氢氟酸为主的蚀刻液的工序之前，在晶体晶片的规定部分形成双晶化区域，然后进行利用所述蚀刻液的加工，因此能够防止在湿式蚀刻工序时外周部被蚀刻成非意图的状态的现象。因而，能够减轻晶体晶片的操作及搬送时所产生的破裂，因此能够高生产性地制造晶体振子。
附图说明
[0019]图1是第一实施方式的晶体晶片的平面图。
[0020]图2是第一实施方式的晶体晶片的一例的平面图。
[0021]图3是第一实施方式的晶体晶片的一例的平面图。
[0022]图4是第一实施方式的晶体晶片的一例的平面图。
[0023]图5是第一实施方式的晶体晶片的一例的平面图。
[0024]图6是第二实施方式的晶体晶片的平面图。
[0025]图7是第三实施方式的晶体晶片的平面图。
[0026]图8是说明本专利技术的晶体振子的制造方法的实施方式的说明图。
[0027]图9是接着图8的制法例的说明图。
[0028]图10是接着图9的制法例的说明图。
[0029]图11是接着图10的制法例的说明图。
[0030]图12是接着图11的制法例的说明图。
[0031]图13是接着图12的制法例的说明图。
[0032]图14是接着图13的制法例的说明图。
[0033]图15是接着图14的制法例的说明图。
[0034]图16中，图16的(A)图是现有的晶体晶片的平面图。图16的(B)图是在现有的晶片产生破裂的一例的平面图。
[0035][符号的说明][0036]10：第一实施方式的晶体晶片
[0037]11：晶体晶片
[0038]12：晶体片
[0039]13：耐蚀刻掩模
[0040]14：连结部
[0041]15：电极
[0042]15a：激振电极
[0043]15b：引出电极
[0044]16：晶体振子
[0045]20：框架形成预定区域
[0046]20a：外框
[0047]20b：杆
[0048]20aa：一部分区域
[0049]21：双晶化区域
[0050]30：非双晶化区域
[0051]40：第二实施方式的晶体晶片
[0052]50：双晶化区域
[0053]60：晶体振子
[0054]70：双晶化区域
[0055]80：第三实施方式的晶体晶片
[0056]90：双晶化区域<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体晶片，用于以矩阵状形成多个晶体振子，所述晶体晶片的特征在于，在晶体晶片的外周部的一部分或全部包括双晶化区域。2.根据权利要求1所述的晶体晶片，其特征在于，所述晶体晶片的外周部的一部分是下述区域，即，因将所述晶体晶片进行湿式蚀刻时的耐蚀刻膜的成膜时所使用的固定夹具而无法成膜所述耐蚀刻膜的区域。3.根据权利要求1或2所述的晶体晶片，其特征在于，所述双晶化区域是从晶体晶片的外周向中心具有至少2mm的宽度的区域。4.根据权利要求1或2所述的晶体晶片，其特征在于，所述双晶化区域是从晶体晶片的外周向中心具有直径的2％～12％的宽度的区域。5.根据权利要求1或2所述的晶体晶片，其特征在于，所述双晶化区域内的双晶化率为80％以上。6.根据权利要求1所述的晶体晶片，其特征在于，包括用于连结所述多个晶体振子的杆，...

【专利技术属性】
技术研发人员：波夛野真，岩井悠，菊池贤一，岛尾宪治，渡邉彻也，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：