【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包括多个晶体振子用的晶体振动片的晶体晶片。
技术介绍
1、随着晶体振子的小型化推进，晶体振子用的晶体振动片通过光刻(photolithography)技术以晶片的状态制造的情况不断增多。即，下述情况不断增多：使用光刻技术及成膜技术，使多个晶体振子用的晶体振动片在规定的切割的晶体晶片素板典型地形成为矩阵(matrix)状。
2、呈矩阵状包括多个晶体振子用的晶体振动片的晶体晶片的现有例例如记载于专利文献1、专利文献2等中。以下，着眼于专利文献2中所公开的晶体晶片，且参照图6的(a)～图6的(c)对现有的晶体晶片的概要进行说明。此处，图6的(a)是以连结于框架(frame)80b的状态形成有多个晶体振子用的晶体振动片80a的晶体晶片80的平面图。图6的(b)是着眼于图6的(a)中的一个晶体振动片80a及其附近的框架80b的放大平面图。图6的(c)是沿着图6的(b)中的虚线p或虚线q的局部剖面图。
3、在制造晶体振子的情况下，以图6的(b)中的虚线r为界线，从所完成的晶体晶片80折取各晶体振动片80a，并安装于晶体振子用的容器(未图示)，制造最终的晶体振子。但是，多数情况下，在进行晶体振动片80a的折取之前，以晶体晶片80的状态进行各晶体振动片80a的特性检查。因此，将测定用电极80c从各晶体振动片80a引绕到框架80b。具体而言，将测定用电极80c从晶体振动片80a的激振用电极80d经由引出电极80e引绕到框架80b。并且，使测定探针(probe)(未图示)接触于测定用电极80c而进行目标特性
4、而且，从晶体晶片80折取而单片化的晶体振动片80a在引出电极80e的位置通过导电性粘结剂等而连接固定于晶体振子用的容器(未图示)。
5、但是，在包括多个晶体振动片80a的晶体晶片中，有的包括利用厚度切变振动(thickness-shear vibration)进行振动的晶体振动片。在进行厚度切变振动的晶体振动片的情况下，随着晶体振动片的频率变高，晶体振动片的振动区域的厚度变薄，因此为了减轻因振动区域的厚度变薄所致的晶体晶片的破损等，有时采用下述结构：框架保持晶体晶片素板时的厚度t(参照图6的(c))不变，仅使晶体振动片80a的区域薄于框架80b的厚度而设为与振动频率对应的厚度t(＜t)(专利文献2)。
6、[现有技术文献]
7、[专利文献]
8、[专利文献1]日本专利特开2012-142909号公报
9、[专利文献2]日本专利特开2016-197778号公报
技术实现思路
1、[专利技术所要解决的问题]
2、然而，在具有晶体振动片的厚度薄于框架的厚度的结构的晶体晶片80的情况下，有时会产生如以下所说明的问题。
3、在包括多个晶体振子用的晶体振动片80a的晶体晶片80中，为了能够以晶片状态进行特性检查，如上所述，将特性检查用的测定用电极80c从各个晶体振动片80a引绕到框架80b。但是，在框架80b与晶体振动片80a的交界部分会产生起因于两者的厚度不同的阶差80f(参照图6的(c))。而且，所述阶差80f的棱线80fa从晶体的结晶性变为刀刃(knifeedge)状，因此难以利用测定用电极80d来覆盖(coverage)，在阶差80f的棱线80fa的部位容易发生测定用电极80c的断线。如果发生断线，则即便使测定用探针接触于框架80b上的测定用电极80c，也无法进行目标测定。因而，即便晶体振动片80a本身正常，也会被误测定为不良。
4、本申请是鉴于所述方面而完成的，因而，本专利技术的目的在于提供一种具有下述结构的晶体晶片，即，包括多个晶体振子用的晶体振动片，且在晶体振动片的厚度薄于框架的厚度的晶体晶片中，能够以晶片状态像所期望的那样进行晶体振动片的特性检查。
5、[解决问题的技术手段]
6、为了谋求达成所述目的，根据本专利技术，一种晶体晶片，包括：晶体振子用的多个晶体振动片；框架，连结这些晶体振动片且厚度厚于晶体振动片的厚度；以及测定用电极，从晶体振动片各者个别地引出到框架而用于晶体振动片的特性检查，所述晶体晶片的特征在于，
7、在框架的表背面的至少一面的接近晶体振动片各者的区域包括底面与晶体振动片的主面成为同一平面的凹部，且所述测定用电极设置于包含所述凹部的区域。
8、当实施所述晶体晶片的专利技术时，优选为，包括：狭缝(slit)，设置于晶体晶片的晶体振动片与框架的交界区域而用于从晶体晶片折取晶体振动片；以及连结部，在所述狭缝的两端连结有晶体振动片及框架，且所述测定用电极配线于所述连结部。
9、当实施所述晶体晶片的专利技术时，优选为，在所述框架的一面包括所述凹部。
10、当实施所述晶体晶片的专利技术时，优选为，在所述框架的两面包括所述凹部。
11、[专利技术的效果]
12、根据本专利技术的晶体晶片，在框架的规定区域包括底面与晶体振动片的主面成为同一平面的凹部，且在包含所述凹部的区域设置有测定用电极，因此测定用电极设置于从晶体振动片到框架的规定区域连续的平面。即，测定用电极成为从晶体振动片不经由阶差而引出到框架的结构。因而，在本专利技术中能够防止以往因在晶体振动片与框架的交界存在阶差而有可能产生的测定用电极的断线。进而，测定用电极、引出电极及激振用电极成为设置于同一平面的面的结构，因此将这些电极进行图案化(patterning)的精度也会提升。
13、而且，在晶体晶片的晶体振动片与框架的交界区域包括用于从晶体晶片折取晶体振动片的狭缝，且在所述狭缝的两端包括连结晶体振动片与框架的连结部的结构的情况下，能够良好地进行晶体振动片从晶体晶片的折取，并且也能够良好地进行晶体振动片与凹部的交界区域的配线引绕，因此优选。
14、而且，在将凹部设置于框架的表背面的一面的结构的情况下，框架的厚度变薄的部位仅为框架的一面的设置有凹部的部分，因此能够抑制框架的强度的降低，因此优选。
15、而且，在将凹部设置于框架的表背面的两面的结构的情况下，形成测定用电极的面增多，因此形成测定用电极的自由度增高，因此优选。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶体晶片，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体晶片，其特征在于，包括：
3.根据权利要求1或2所述的晶体晶片，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的晶体晶片，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种晶体晶片，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体晶片，其特征在于，包括：
3.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：桜庭肇，泷泽彩香，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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