晶体振荡器制造技术

本发明专利技术提供一种晶体振荡器，能够简化制造步骤而降低制造成本，减少制品的制造偏差。本发明专利技术的晶体振荡器是使用振荡电路部的振子(4)与后段的滤波器部的晶体滤波器(5)这两个晶体振动子的超低噪声的晶体振荡器，且使用将串联连接的电容器(C1、C2)(11、12)与电感器(L)(21)并联连接于振荡电路部的巴特勒(Butler)电路，简化制造步骤而提高制造品质，使基底噪声特性良好。

【技术实现步骤摘要】
晶体振荡器
本专利技术涉及一种使用两个晶体振动子的超低噪声的晶体振荡器，尤其涉及一种能够简化制造步骤而提高制造品质，使基底噪声(floornoise)特性良好的晶体振荡器。
技术介绍
[现有技术]现有的晶体振荡器，有使用振荡电路部的振子及后段的滤波器部的晶体滤波器这两个晶体振动子的超低噪声的晶体振荡器。[超低噪声晶体振荡器：图3]参照图3，来对超低噪声晶体振荡器进行说明。图3是超低噪声晶体振荡器的简略电路图。如图3所示，超低噪声晶体振荡器包括：振荡电路部、及后段的滤波器部。振荡电路部包括：放大器(Amp)1、及振子(X1)4。而且，Amp1与后段的滤波器部的放大器(Amp)2为串联连接，且Amp1与振子4为并联连接。振子4为晶体振动子，进行特定频率的振荡。Amp1将振子4的振荡频率放大。后段的滤波器部包括：放大器(Amp)2、晶体滤波器(X2)5、及放大器(Amp)3。而且，晶体滤波器5的一端连接于Amp2的输出侧，晶体滤波器5的另一端连接于Amp3的输入侧。<br>Amp2将来自本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体振荡器，其特征在于，包括：/n振荡电路部，包括第一晶体振动子作为振子；以及/n滤波器部，连接于所述振荡电路部的输出侧，且所述滤波器部包括第二晶体振动子作为晶体滤波器；/n其中，所述振荡电路部包括电容器及电感器。/n

【技术特征摘要】
20200131 JP 2020-0149551.一种晶体振荡器，其特征在于，包括：
振荡电路部，包括第一晶体振动子作为振子；以及
滤波器部，连接于所述振荡电路部的输出侧，且所述滤波器部包括第二晶体振动子作为晶体滤波器；
其中，所述振荡电路部包括电容器及电感器。


2.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，
所述第一晶体振动子与所述第二晶体振动子的共振频率的差设为半宽度以下。


3....

【专利技术属性】
技术研发人员：坂元克明，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP