基于宽边耦合分布式电容器的片上谐振器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于宽边耦合分布式电容器的片上谐振器。该谐振器输入端与传输线一端相连，谐振器输出端与传输线的另一端相连；分布式电容采用宽边耦合结构，使用了预设层金属层最上面的三个金属层TM2、金属层TM1和金属层M5实现，且通过改变分布电容器的物理尺寸，可以在任意给定的频率上产生谐振；金属屏蔽采用金属层堆叠的方式对称分布在分布电容和传输线两侧，分布式电容和传输线通过耦合的方式进行能量传输。

【技术实现步骤摘要】
基于宽边耦合分布式电容器的片上谐振器
本技术涉及谐振器
，具体而言，涉及一种基于宽边耦合分布式电容器的片上谐振器。
技术介绍
从滤波器到耦合器，谐振器可能是所有无源器件最基本的组成部分之一。一般来说，谐振器可以使用分布式或集元方法来实现。在微波频率下工作的微型片上无源器件中，集中元件的方法是首选的。然而，分布单元法也有一些显著的特点，特别是工作频率增加到毫米波区域。薄膜微带传输线(TFMS)结构和共面波导(CPW)结构都已经被应用到谐振器中。而基于共面波导(CPW)的结构由于其在电路小型化方面的巨大潜力而成为首选。基于此，改进共面波导谐振器变得特别具有意义和挑战性。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。为此，本新型的目的在于提出一种基于宽边耦合分布式电容器的片上谐振器。为了实现上述目的，本新型的技术方案提供了一种基于宽边耦合分布式电容器的片上谐振器，采用预设层金属层刻画而成，所述预设层金属层包括：依次排列的金属层TM2、所述金属层TM1、金属层M5、金属层M4、金属层M3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于宽边耦合分布式电容器的片上谐振器，采用预设层金属层刻画而成，所述预设层金属层包括：依次排列的金属层TM2、所述金属层TM1、金属层M5、金属层M4、金属层M3、金属层M2、金属层M1和位于底部的硅基板层；所述金属层TM2和金属层TM1之间、金属层TM1和金属层M5之间、金属层M5和金属层M4之间、金属层M4和金属层M3之间、金属层M3和金属层M2之间、以及金属层M2和金属层M1之间均为二氧化硅层；所述金属层TM1、金属层M5和两者之间的二氧化硅层组成金属-绝缘体-金属层MIM，其特征在于，/n谐振器包括：传输线、分布式电容器和金属屏蔽层，所述金属屏蔽层分布在金属层TM2、所述金属层...

【技术特征摘要】
1.一种基于宽边耦合分布式电容器的片上谐振器，采用预设层金属层刻画而成，所述预设层金属层包括：依次排列的金属层TM2、所述金属层TM1、金属层M5、金属层M4、金属层M3、金属层M2、金属层M1和位于底部的硅基板层；所述金属层TM2和金属层TM1之间、金属层TM1和金属层M5之间、金属层M5和金属层M4之间、金属层M4和金属层M3之间、金属层M3和金属层M2之间、以及金属层M2和金属层M1之间均为二氧化硅层；所述金属层TM1、金属层M5和两者之间的二氧化硅层组成金属-绝缘体-金属层MIM，其特征在于，
谐振器包括：传输线、分布式电容器和金属屏蔽层，所述金属屏蔽层分布在金属层TM2、所述金属层TM1、金属层M5、金属层M4、金属层M3、金属层M2、以及金属层M1上，金属屏蔽层以传输线为对称轴呈对称结构；
其中，谐振器输入端与传输线的一端相连，谐振器输出端与传输线的另一端相连；分布式电容采用宽边耦合结构，使用了预设层金属层最上面的三个金属层：金属层TM2、金属层TM1和金属层M5；在金属层TM2、金属层TM1和金属层M5上的金属屏蔽层上分别设置两个宽边，三层宽边的位置相互对应形成分布式电容的宽边耦合结构，每层宽边以传输线为对称轴分为上下两部分，分布式电容和传输线通过耦合的方式进行能量传输。


2.按照权利要求1所述的谐振器，其特征在于，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：章振海，茹楷文，胡凯，吴柯桢，唐玉平，景峰，史俊霞，江樱，王玉娟，王东升，
申请(专利权)人：国网浙江省电力有限公司信息通信分公司，国网浙江德清县供电有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33