【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】大功率体声波谐振器滤波器装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月27日提交的、标题为“HIGHPOWERBULKACOUSTICWAVERESONATORFILTERDEVICES(大功率体声波谐振器滤波器装置)”的美国临时申请号62/723152的优先权，并且出于所有目的通过引用并入该申请。出于所有目的，本申请还通过引用并入了以下专利申请，这些专利申请均为共同所有：于2014年6月6日提交的、标题为“RESONANCECIRCUITWITHASINGLECRYSTALCAPACITORDIELECTRICMATERIAL(具有单晶电容器电介质材料的谐振电路)”的美国专利申请号14/298057，现为美国专利号9673384；于2014年6月6日提交的、标题为“METHODOFMANUFACTUREFORSINGLECRYSTALCAPACITORDIELECTRICFORARESONANCECIRCUIT(谐振电路的单晶电容电介质的制造方法)”的美国专利申请号14/298076，现为美国专利号9537465；于2014年6月6日提交的、标题...
【技术保护点】
1.一种声谐振器装置，所述装置包括：/n基板构件，所述基板构件具有基板表面区域和气腔区域；/n压电层，所述压电层被配置为位于所述基板构件和所述气腔区域上面，所述压电层实体耦合到所述基板表面区域，并且所述压电层具有顶部压电表面区域和底部压电表面区域；/n其中，所述压电层的特征在于：x射线摇摆曲线半峰全宽(FWHM)在0度到2度范围内；/n顶部电极，所述顶部电极被配置为位于所述压电层上面并且实体耦合到所述顶部压电表面区域；以及/n底部电极，所述底部电极被配置为位于所述压电层下面并且实体耦合到所述底部压电表面区域，所述底部电极被配置为位于所述气腔区域内。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20180827 US 62/723,1521.一种声谐振器装置，所述装置包括：
基板构件，所述基板构件具有基板表面区域和气腔区域；
压电层，所述压电层被配置为位于所述基板构件和所述气腔区域上面，所述压电层实体耦合到所述基板表面区域，并且所述压电层具有顶部压电表面区域和底部压电表面区域；
其中，所述压电层的特征在于：x射线摇摆曲线半峰全宽(FWHM)在0度到2度范围内；
顶部电极，所述顶部电极被配置为位于所述压电层上面并且实体耦合到所述顶部压电表面区域；以及
底部电极，所述底部电极被配置为位于所述压电层下面并且实体耦合到所述底部压电表面区域，所述底部电极被配置为位于所述气腔区域内。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基板构件包括硅材料、碳化硅材料或<111>取向硅材料。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述压电层包括氮化铝(AlN)。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述压电层包括单晶材料、基本上单晶的材料、混合单晶材料、或多晶材料。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述压电层的特征在于500nm的层厚度。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述压电层的特征在于：层厚度被配置为使得所述压电层的特征在于在0度到2度范围内的x射线摇摆曲线半峰全宽(FWHM)。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述压电层的特征在于：x射线摇摆曲线半峰全宽(FWHM)在0度到2度范围内以改进功率处理能力特性和功率耐久性特性。
8.一种声谐振器装置，该装置包括：
基板构件，所述基板构件具有基板表面区域；
实质上单晶的压电层，所述实质上单晶的压电层被配置为位于所述基板构件上面，所述压电层实体耦合到所述基板表面区域，并且所述压电层具有顶部压电表面区域和底部压电表面区域；
其中，所述实质上单晶的压电层的特征在于：x射线摇摆曲线半峰全宽(FWHM)在0度到2度范围内；
顶部电极，所述顶部电极被配置为位于所述实质上单晶的压电层上面并且实体耦合到所述顶部压电表面区域；以及
底部电极，所述底部电极被配置为位于所述实质上单晶的压电层上面并且实体耦合到所述底部压电表面区域。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述基板构件包括硅材料、碳化硅材料或<111>取向硅材料。
技术研发人员：杰弗里·B·希利，肖恩·R·吉布，罗恩·W·豪顿，乔尔·M·摩根，
申请(专利权)人：阿库斯蒂斯有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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