一种制造半导体装置的方法，可包括提供电联接到半导体晶圆上的金属化焊盘的集成电路，该集成电路和该金属化焊盘由盖结构覆盖。可使用具有尖端表面和斜切侧表面的切割工具在盖结构的覆盖金属化焊盘的一部分中切割通道，以暴露在第一方向上延伸的通道中的金属化焊盘的上表面；可在通道中沉积导电材料以与通道中的金属化焊盘的上表面欧姆接触。的金属化焊盘的上表面欧姆接触。的金属化焊盘的上表面欧姆接触。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过盖结构和相关切割装置利用切割工具暴露金属化焊盘以形成集成电路装置的方法
技术介绍
[0001]本专利技术通常涉及电子装置。更具体地，本专利技术提供与用于体声波谐振器装置、单晶体声波谐振器装置、单晶滤波器和谐振器装置等的制造方法和结构相关的技术。仅仅作为示例，本专利技术已经被应用于用于通信装置、移动装置、计算装置等的单晶谐振器装置。
[0002]无线数据通信可利用在5GHz左右和更高频率下操作的RF滤波器。已知将结合了多晶压电薄膜的体声波谐振器(BAWR)用于一些应用。虽然一些多晶基压电薄膜BAWR对于操作在约1
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3GHz的频率的滤波器可以是足够的，但是由于与这类薄的多晶基膜(thinpoly
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based film)相关联的结晶度降低，因此在5GHz左右及以上的频率上的应用可能存在障碍。
技术实现思路
[0003]一种制造半导体装置的方法可包括提供集成电路，该集成电路电联接到半导体晶圆上的金属化焊盘，该集成电路和该金属化焊盘由盖结构覆盖。通道，该通道可使用具有尖端表面和斜切侧表面的切割工具在覆盖金属化焊盘的盖结构的一部分中切割而成，以暴露通道中的金属化焊盘的在第一方向上延伸的上表面；以及导电材料，可在通道中沉积该导电材料以与通道中的金属化焊盘的上表面欧姆接触。
附图说明
[0004]图1A是在根据本专利技术一些实施例中的晶圆的示意性代表图，该晶圆具有在其上形成的半导体装置A和B，该晶圆位于适用于单体化布置中以便将装置彼此分离以用于晶圆级集成格式中。
[0005]图1B是根据本专利技术一些实施例中的图1A的晶圆的截面图，该晶圆位于使用具有斜切侧表面的切割工具来暴露与装置A和B相联接的金属化焊盘的位置。
[0006]图1C是根据本专利技术一些实施例中的图1B的切割工具的截面视图，示出了相对于该切割工具的尖端表面的斜切侧表面以及在它们之间形成的角度的详细视图。
[0007]图1D是根据本专利技术一些实施例中的装置A和B的金属化焊盘的截面视图，这些金属化焊盘是使用图1B的切割工具暴露的，以便在晶圆盖结构中形成具有第一斜切侧壁和第二斜切侧壁的通道，其中，每个斜切侧壁与装置A或B中的一个相联接。
[0008]图2是根据本专利技术的一些实施例中的装置A的金属化焊盘的截面视图，该金属化焊盘使用切割工具暴露，以在晶圆盖结构中形成通道从而形成斜切侧壁，该斜切侧壁被定位成暴露出该金属化焊盘的上表面的至少20％。
[0009]图3是根据本专利技术一些实施例中的装置A的金属化焊盘的截面视图，该金属化焊盘使用切割工具暴露，以在具有斜切侧壁的晶圆盖结构中形成通道，该斜切侧壁包括各自形成不同角度的至少两个部分。
[0010]图4A是根据本专利技术一些实施例中的图1A和1B的装置A和B的示意性俯视图，该装置已经用切割工具处理，以形成暴露装置A和B的对应金属化焊盘的通道。
[0011]图4B是根据本专利技术一些实施例中的图1A和1B的装置A和B的示意性截面图，该装置已经用切割工具处理，以形成暴露相应金属化焊盘的通道，这些金属化焊盘具有在其上形成的导电材料。
[0012]图5是根据本专利技术一些实施例中的装置A的示意性平面图，该装置已经用切割工具处理，以形成暴露装置A的金属化焊盘的第一通道和第二通道。
[0013]图6是根据本专利技术一些实施例中图5的装置A的示意性截面图，该装置A已经被处理以在暴露的金属化焊盘上的通道中形成导电材料。
[0014]图7
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12是根据本专利技术一些实施例中的装置A的示意性平面图，该装置已经用切割工具处理，以形成暴露装置A的金属化焊盘的通道。
具体实施方式
[0015]根据本专利技术，提供总体与电子装置相关的技术。更具体地，本专利技术提供与例如体声波谐振器装置、单晶谐振器装置、单晶滤波器和谐振器装置等的制造方法和结构相关的技术。这些类型的设备已经被应用于用于通信装置、移动装置和计算装置等单晶谐振器装置。然而，将理解，无论技术或应用如何，根据本专利技术的实施例可以应用于涉及在晶圆上制备的装置的单体化的任何制造工艺。
[0016]如本专利技术人所了解，切割工具可用以暴露位于晶圆上的集成电路装置的金属化焊盘。在一些实施例中，该切割工具可被成形为切割穿过晶圆盖结构的通道，该通道被配置为在将导电材料沉积在该通道中暴露的这些金属化焊盘上时，减小形成空洞的可能性。例如，在根据本专利技术的一些实施例中，切割工具具有斜切侧表面和平坦的尖端表面，当切割晶圆盖时，该斜切侧表面和平坦的尖端表面可形成通道以暴露金属化焊盘的上表面。因此，通道可形成为具有向外呈锥形的斜切侧壁，使得通道在顶部比在底部更宽。如由本专利技术人进一步了解的，当导电材料被沉积在这些焊盘上时，这种锥形通道形状可允许所沉积的导电材料与金属化焊盘之间的改善的接触。
[0017]在一些实施方式中，切割工具的斜切侧表面可与尖端表面形成约60度至约85度之间范围内的角度。在一些实施例中，切割工具足够宽以在单次通过中暴露晶圆上的两个相邻装置的金属化焊盘，并且具有相对的斜切侧表面以为与每个装置相邻的通道的每一侧赋予对应的斜切侧壁表面。在一些实施例中，切割工具足够宽以在单次通过中暴露装置的单行金属化焊盘中的金属化焊盘，并且具有相对的斜切侧表面以针对该单行的通道的每一侧赋予对应的斜切侧壁表面。
[0018]在一些实施方式中，切割工具的斜切侧表面可是单个斜切表面。例如，在一些实施例中，斜切侧表面可具有约等于切割工具将切割到晶圆盖结构中的深度的高度。在一些实施例中，该切割工具的斜切侧表面包括两个或更多个斜切侧表面。在一些实施例中，斜切侧表面可具有下部，该下部的高度为切割工具将切割到晶圆盖结构中的深度的约50％。在另外的实施例中，斜切侧表面可具有以第一角度斜切的第一斜切部分和以第二角斜切的第二斜切部分。
[0019]在一些实施例中，该切割工具可用于切割在晶圆上沿第一方向设置的多个装置的晶圆盖结构。在一些实施例中，该切割工具可用于切割在晶圆上沿第一方向和第二方向设置的多个装置的晶圆盖结构。在一些实施例中，该切割工具可包括多于一个的切割部分，其
中，每个部分被配置为用于切割通道以暴露用于该晶圆上的不同装置的金属化焊盘。
[0020]图1A是在根据本专利技术一些实施例中的晶圆100的示意性代表图，晶圆100具有在其上形成的多个半导体装置，该半导体装置位于配置用于单体化(singulation)布置中以将装置彼此分离以用于晶圆级集成格式中。如图1A所示，半导体晶圆100包括在X和Y维度中的二维图案中的多个集成电路装置。集成电路装置在x和y维度上通过横跨晶圆延伸的划线区域彼此分开。划线区域可以允许划片机(dicing saw)或切割装置将晶圆切割成片，使得该装置可以彼此分离且以晶圆级格式组装。划线区域一般无有源装置，例如本文所述的那些。
[0021]然而，在根据本专利技术的一些实施例中，可使用切割装置来切割覆盖集成电路装置的晶圆盖结构以暴露装置的金属化焊盘，而不是切穿晶圆。换言之，可用于通过沿划线区域切割以单体本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供电联接到半导体晶圆上的金属化焊盘的集成电路，所述集成电路和所述金属化焊盘由盖结构覆盖；使用具有尖端表面和斜切侧表面的切割工具在所述盖结构的覆盖所述金属化焊盘的一部分中切割通道，以暴露在第一方向上延伸的所述通道中的所述金属化焊盘的上表面；以及在所述通道中沉积导电材料以与所述通道中的所述金属化焊盘的上表面欧姆接触。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述尖端表面和所述斜切侧表面的与所述尖端表面邻近的一部分形成在约60度至约85度之间范围内的角度。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属化焊盘具有在约1.5微米至约2微米之间范围内的厚度。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述斜切侧表面在所述通道中相对于所述金属化焊盘的上表面形成斜切侧壁。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述斜切侧表面的高度是所述盖结构的厚度的至少约50％。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述切割工具的在所述斜切侧表面上方的侧表面与所述尖端表面形成在约60度至约90度之间范围内的角度。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述通道具有暴露所述金属化焊盘的上表面的至少约20％的宽度。8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述盖结构的所述一部分中切割所述通道包括：在所述盖结构内跨所述半导体晶圆移动所述切割工具，以形成暴露所述金属化焊盘的上表面的所述通道。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切割工具包括旋转刀片或旋转线。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述盖结构的厚度在约50μm至约100μm之间范围内。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述盖结构包括玻璃或聚合物材料。12.根据权利要求1所述的方法，其中，提供电联接至所述半导体晶圆上的所述金属化焊盘的所述集成电路包括：提供电联接到所述半导体晶圆上的第一金属化焊盘的集成电路和电联接到所述集成电路的第二金属化焊盘；以及其中，在所述盖结构的所述一部分中切割所述通道包括：在所述盖结构内沿所述第一方向跨所述半导体晶圆移动所述切割工具，以形成所述通道，所述通道暴露所述第一金属化焊盘的上表面和所述第二金属化焊盘的上表面。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述集成电路包括第一集成电路，所述方法进一步包括：第二集成电路，所述第二集成电路在所述半导体晶圆上沿所述第一方向与所述第一集成电路分离，所述第二集成电路电联接至所述半导体晶圆上的第三金属化焊盘，所述第三金属化焊盘在所述第一方向上与所述第一金属化焊盘和所述第二金属化焊盘对准并且由所述盖结构覆盖；以及
其中，在所述盖结构的所述一部分中切割所述通道包括：在所述盖...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特，
申请(专利权)人：阿库斯蒂斯有限公司，
类型：发明
国别省市：
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