压电振子、压电振荡器以及压电振子制造方法技术

本发明专利技术提供能够抑制振动部的粘附的压电振子、压电振荡器以及压电振子制造方法。晶体振子(1)具备：晶体振动元件(10)，包括晶体片(11)、配置于晶体片(11)的振动部(11A)的第一激励电极(14a)及第二激励电极(14b)、设置在晶体片(11)的第一主面(12a)并与第一激励电极(14a)电连接的第一引出电极(15a)、以及设置于晶体片(11)的第二主面(12b)并与第二激励电极(14b)电连接的第二引出电极(15b)；和绝缘层(40)，包括与第二激励电极(14b)之间形成空间的空洞部(41)，第一引出电极(15a)的厚度大于第二引出电极(15b)的厚度，在俯视时，第一引出电极(15a)的端部相对于空洞部(41)的端部被配置在包含振动部(11A)的一侧。置在包含振动部(11A)的一侧。置在包含振动部(11A)的一侧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电振子、压电振荡器以及压电振子制造方法


[0001]本专利技术涉及压电振子、压电振荡器以及压电振子制造方法。

技术介绍

[0002]振子在移动通信终端、通信基站、家电等各种电子设备中，用于定时设备、传感器、振荡器等各种用途。伴随电子设备的高功能化，要求小型的振子。
[0003]例如，在专利文献1中公开了如下方法：在硅基板上应成为空隙的场所形成牺牲层，在牺牲层上设置结构层并蚀刻成需要的形状，通过气相蚀刻去除牺牲层，得到悬臂梁。
[0004]专利文献1：日本特开平5
‑
275401号公报
[0005]如专利文献1所公开的方法那样，在通过后面的工艺除去预先形成的牺牲层的情况下，结构层变成所谓的悬臂状态，因此可能产生结构层附着到基板的、所谓的粘附的问题。
[0006]对于该问题，在专利文献1所公开的方法中，通过在氟化氢气体以及含有微量的水蒸气的气体中进行气相蚀刻，试图降低粘附的可能性。
[0007]然而，在专利文献1所公开的方法中，例如，在结构层的材料为晶体单晶的情况下，不能在牺牲层使用氧化硅(SiO2)、牺牲层的除去被限制为使用规定比率的气体的气相蚀刻等在材料、工艺上存在制约。因此，对压电振子的应用(适用)被限定，在压电振子中，可能产生振动部附着到基板的粘附。

技术实现思路

[0008]本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其目的之一在于提供能够抑制振动部的粘附的压电振子、压电振荡器以及压电振子制造方法。
[0009]本专利技术的一个方面所涉及的压电振子具备：压电振动元件，包括压电片、配置于压电片的振动部的第一激励电极及第二激励电极、设置在压电片的第一主面并与第一激励电极电连接的第一引出电极、以及设置在压电片的第二主面并与第二激励电极电连接的第二引出电极；和绝缘层，包括与第二激励电极之间形成空间的空洞部，第一引出电极的厚度大于第二引出电极的厚度，在俯视时，第一引出电极的端部相对于空洞部的端部被配置在包含振动部的一侧。
[0010]本专利技术的另一方面所涉及的压电振荡器具备上述的压电振子和盖体。
[0011]本专利技术的另一方面所涉及的压电振子制造方法包括：准备压电振动元件的工序，该压电振动元件包含压电片、配置于压电片的振动部的第一激励电极及第二激励电极、设置在压电片的第二主面并与第二激励电极电连接的第二引出电极；形成覆盖第二激励电极及第二引出电极的绝缘层的工序；在压电片的第一主面设置与第一激励电极电连接的第一引出电极的工序；以及除去绝缘层的一部分来形成空洞部的工序，其中，空洞部与第二激励电极之间形成空间，第一引出电极的厚度大于第二引出电极的厚度，在俯视时，第一引出电极的端部相对于空洞部的端部被配置在包含振动部的一侧。
[0012]根据本专利技术，能够抑制振动部的粘附。
附图说明
[0013]图1是示意性地表示一个实施方式中的晶体振荡器的结构的剖视图。
[0014]图2是示意性地表示一个实施方式中的晶体振子的结构的剖视图。
[0015]图3是示意性地表示一个实施方式中的晶体振动元件的结构的俯视图。
[0016]图4是示意性地表示一个实施方式中的晶体振子的结构的剖视图。
[0017]图5是示意性地表示一个实施方式的第一变形例中的晶体振动元件的结构的俯视图。
[0018]图6是示意性地表示一个实施方式的第二变形例中的晶体振动元件的结构的俯视图。
[0019]图7是示意性地表示一个实施方式的第三变形例中的晶体振动元件的结构的俯视图。
[0020]图8是示意性地表示一个实施方式的第四变形例中的晶体振动元件的结构的俯视图。
[0021]图9是示意性地表示一个实施方式的第五变形例中的晶体振动元件的结构的俯视图。
[0022]图10是示意性地表示一个实施方式的第六变形例中的晶体振动元件的结构的俯视图。
[0023]图11是示意性地表示一个实施方式的第七变形例中的晶体振动元件的结构的俯视图。
[0024]图12是表示一个实施方式中的晶体振子的制造方法的流程图。
具体实施方式
[0025]以下对本专利技术的实施方式进行说明。在以下的附图的记载中，用相同或者类似的附图标记表示相同或者类似的构成要素。附图是例示，各部的尺寸、形状是示意性的，不应将本专利技术的技术范围限定于该实施方式来解释。
[0026]＜实施方式＞
[0027]在各附图中，为了明确各附图的相互的关系，帮助理解各构件的位置关系，为了方便，有时标注由X轴、Y
’
轴以及Z
’
轴构成的正交坐标系。X轴、Y
’
轴以及Z
’
轴在各附图中相互对应。X轴、Y
’
轴以及Z
’
轴分别与后述的晶体片11的结晶轴(Crystallographic Axes)对应。X轴相当于晶体的电轴(极轴)，Y轴相当于晶体的机械轴，Z轴相当于晶体的光轴。Y
’
轴以及Z
’
轴分别是使Y轴以及Z轴绕X轴从Y轴向Z轴的方向旋转35度15分
±
1分30秒后的轴。
[0028]在以下的说明中，将与X轴平行的方向称为“X轴方向”，将与Y
’
轴平行的方向称为“Y
’
轴方向”，将与Z
’
轴平行的方向称为“Z
’
轴方向”。另外，将X轴、Y
’
轴以及Z
’
轴的箭头的前端方向称为“正”或者“+(正)”，将与箭头相反的方向称为“负”或者“－(负)”。此外，为了方便起见，将+Y
’
轴方向作为上方向、将－Y
’
轴方向作为下方向进行说明，但晶体振动元件10、晶体振子1以及晶体振荡器100的上下的朝向并不受限定。另外，将由X轴以及Z
’
轴确定的面设为Z
’
X面，对于由其它轴确定的面也是同样的。
[0029]首先，参照图1，对根据一个实施方式的晶体振荡器的示意结构进行说明。图1是示意性地表示一个实施方式中的晶体振荡器100的结构的剖视图。
[0030]在以下的说明中，作为压电振荡器，以具备晶体振子(Quartz Crystal Resonator Unit)的晶体振荡器(XO：Crystal Oscillator)为例进行说明。另外，作为压电振子，以具备晶体振动元件(Quartz Crystal Resonator)的晶体振子(Quartz Crystal Resonator Unit)为例进行说明。另外，作为压电振动元件，以具备晶体片(Quartz Crystal Blank)的晶体振动元件为例进行说明。晶体片是根据施加电压而振动的压电体(压电片)的一种。此外，压电振荡器并不限定于晶体振子，也可以利用陶瓷等其它压电体。同样地，压电振子并不限定于晶体振子，也可以利用陶瓷等其它压电体。另外，同样地，压电振动元件并不限定于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压电振子，具备：压电振动元件，包括压电片、配置于上述压电片的振动部的第一激励电极及第二激励电极、设置在上述压电片的第一主面并与上述第一激励电极电连接的第一引出电极、以及设置在上述压电片的第二主面并与上述第二激励电极电连接的第二引出电极；和绝缘层，包括与上述第二激励电极之间形成空间的空洞部，上述第一引出电极的厚度大于上述第二引出电极的厚度，在俯视时，上述第一引出电极的端部相对于上述空洞部的端部被配置在包含上述振动部的一侧。2.根据权利要求1所述的压电振子，其中，在俯视时，上述第二引出电极的端部相对于上述空洞部的端部被配置在另一侧。3.根据权利要求1或2所述的压电振子，其中，上述压电振动元件还包括：设置在上述第一主面且未与上述第一激励电极电连接的导电体，上述导电体的厚度大于上述第二引出电极的厚度，在俯视时，上述导电体的端部相对于上述空洞部的端部被配置在上述一侧。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的压电振子，其中，上述压电振动元件还包括：形成在上述振动部的周围并与上述空间连通的开口部，在俯视时，上述开口部相对于上述空洞部的端部被配置在上述一侧。5.根据权利要求1～4中任意一项所述的压电振子，其中，上述压电振动元件还包括：形成在上述振动部与保持上述振动部的一端的保持部之间的狭缝。6.根据权利要求1～5中任意一项所述的压电振子，其中，还具备支承基板，上述支承基板支承上述压电振动元件以及上述绝缘层。7.根据权利要求6所述的压电振子，其中，上述绝缘层将上述压电振动元件和上述支承基板接合，上述绝缘层的材料是二氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村俊雄，大井友贵，与田直，大川忠行，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：