【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路芯片测试，特别是涉及一种崩应测试装置以及测试设备。
技术介绍
1、崩应测试是用来测试产品可靠性的一个环节。崩应测试通过对芯片施加高温高压的环境，加速其老化，使其在较短时间度过早期失效期，进入平稳的偶然失效期。崩应测试时间较久，加上测试设备必须的升降温时间，整体测试时间通常较长。
2、同时，崩应测试阶段，采用传统量测单元对芯片上的电压电流信号进行量测，会进一步降低测试效率。
技术实现思路
1、基于此，本申请实施例提供一种能够提高崩应测试效率的崩应测试装置以及测试设备。
2、一种崩应测试装置，包括：
3、测试板，用于放置芯片；
4、测试电路，包括模数转换模块，所述模数转换模块输入端用于连接所述芯片的芯片管脚，输出端用于连接上位机。
5、在其中一个实施例中，所述测试电路位于所述测试板上。
6、在其中一个实施例中，所述测试电路还包括：
7、控制模块，用于接受所述上位机的命令，控制所述测试电路进行测试。
8、在其中一个实施例中，所述芯片管脚包括数据通道管脚，所述模数转换模块包括：
9、第一模数转换单元，输入端用于连接所述数据通道管脚，输出端用于连接上位机。
10、在其中一个实施例中，
11、所述测试板包括：
12、连接模块，用于连接所述数据通道管脚与测试设备；
13、所述测试电路还包括：
14、第一开关模块，
15、在其中一个实施例中，所述第一开关模块包括单刀双掷开关。
16、在其中一个实施例中，所述芯片管脚还包括芯片电源管脚，所述测试电路还包括：
17、第二开关模块，连接所述第一模数转换单元、所述数据通道管脚以及所述芯片电源管脚，用于使得所述第一模数转换单元在所述数据通道管脚与所述芯片电源管脚之间切换连接。
18、在其中一个实施例中，
19、所述芯片电源管脚包括芯片供电电压管脚以及字线供电电压管脚，所述芯片供电电压管脚与所述字线供电电压管脚均与所述第二开关模块连接，
20、所述第二开关模块用于使得所述第一模数转换单元在所述数据通道管脚、所述芯片供电电压管脚以及所述字线供电电压管脚之间切换连接。
21、在其中一个实施例中，所述第二开关模块包括单刀三掷开关。
22、在其中一个实施例中，所述第一模数转换单元包括单端输入模数转换器。
23、在其中一个实施例中，所述芯片管脚包括芯片供电电压管脚，
24、所述测试电路包括：
25、第一采样电阻，一端用于连接所述芯片供电电压管脚，另一端用于接入所述测试设备的第一测试电压；
26、所述模数转换模块包括：
27、第二模数转换单元，包括第一差分输入端、第二差分输入端以及第一输出端，所述第一差分输入端连接所述第一采样电阻的一端，所述第二差分输入端连接所述第一采样电阻的另一端，所述输出端用于连接上位机。
28、在其中一个实施例中，所述芯片管脚还包括字线供电电压管脚，
29、所述测试电路还包括：
30、第二采样电阻，一端用于连接所述字线供电电压管脚，另一端用于接入所述测试设备的第二测试电压；
31、所述模数转换模块包括：
32、第三模数转换单元，包括第三输入端、第四输入端以及第二输出端，所述第三输入端连接所述第二采样电阻的一端，所述第四输入端连接所述第二采样电阻的另一端，所述第二输出端用于连接上位机。
33、在其中一个实施例中，所述测试电路还包括：
34、译码模块，连接所述模数转换模块的输出端，用于向所述上位机发送数字信号；
35、稳压模块，输入端用于接入所述测试设备的第一测试电压，输出端用于为所述模数转换模块以及所述译码模块提供电压。
36、一种测试设备，包括：
37、测试腔体；
38、上述任一项所述的崩应测试装置，位于所述测试腔体内。
39、在其中一个实施例中，测试设备还包括：
40、上位机，连接所述模数转换模块的输出端。
41、上述崩应测试装置以及测试设备，通过设置包括模数转换模块的测试电路，将芯片管脚上模拟信号转化成数字信号，从而可以对芯片管脚上的电压和/或电流进行快速高效的测试。因此，本申请实施例可以有效提高测试效率。
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1.一种崩应测试装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的崩应测试装置，其特征在于，所述测试电路位于所述测试板上。
3.根据权利要求1所述的崩应测试装置，其特征在于，所述测试电路还包括：
4.根据权利要求1所述的崩应测试装置，其特征在于，所述芯片管脚包括数据通道管脚，所述模数转换模块包括：
5.根据权利要求4所述的崩应测试装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的崩应测试装置，其特征在于，所述第一开关模块包括单刀双掷开关。
7.根据权利要求4所述的崩应测试装置，其特征在于，所述芯片管脚还包括芯片电源管脚，所述测试电路还包括：
8.根据权利要求7所述的崩应测试装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的崩应测试装置，其特征在于，所述第二开关模块包括单刀三掷开关。
10.根据权利要求4所述的崩应测试装置，其特征在于，所述第一模数转换单元包括单端输入模数转换器。
11.根据权利要求1-10任一项所述的崩应测试装置，其特征在于，所述芯片管脚包括芯片供电电压管脚
12.根据权利要求1-10任一项所述的崩应测试装置，其特征在于，所述芯片管脚还包括字线供电电压管脚，
13.根据权利要求11所述的崩应测试装置，其特征在于，所述测试电路还包括：
14.根据权利要求1所述的崩应测试装置，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的崩应测试装置，其特征在于，
16.根据权利要求1所述的崩应测试装置，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的崩应测试装置，其特征在于，所述芯片管脚包括数据通道管脚、芯片供电电压管脚以及字线供电电压管脚，
18.一种测试设备，其特征在于，包括：
19.根据权利要求18所述的测试设备，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种崩应测试装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的崩应测试装置，其特征在于，所述测试电路位于所述测试板上。
3.根据权利要求1所述的崩应测试装置，其特征在于，所述测试电路还包括：
4.根据权利要求1所述的崩应测试装置，其特征在于，所述芯片管脚包括数据通道管脚，所述模数转换模块包括：
5.根据权利要求4所述的崩应测试装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的崩应测试装置，其特征在于，所述第一开关模块包括单刀双掷开关。
7.根据权利要求4所述的崩应测试装置，其特征在于，所述芯片管脚还包括芯片电源管脚，所述测试电路还包括：
8.根据权利要求7所述的崩应测试装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的崩应测试装置，其特征在于，所述第二开关模块包括单刀三掷开关。
10.根据权利要求4所述的崩应测试装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵凯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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