电子元件及其制造方法技术

提供一种能够简化制造工序的电子元件及其制造方法。把磁性体构成的绝缘体层（１６）和非磁性体构成的绝缘体层（１８）层叠起来形成叠层体（１２）。线圈（Ｌ）是在叠层体（１２）内用多个通路孔导体（ｂ１～ｂ１３）将多个线圈导体（２０）连接起来构成的螺旋状的线圈，从层叠方向俯视时，与绝缘体层（１８）重合。全部绝缘体层（１８）被设置在从层叠方向俯视时沿层叠方向形成线圈（Ｌ）的轨道（Ｒ）上和轨道（Ｒ）的外侧，并且不与通路孔导体（ｂ１～ｂ１３）重合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更特定于涉及由内藏线圈的叠层体构成的电 子元件及其制造方法。
技术介绍
作为现有的电子元件，如图10所示的电子元件500已为人所知。图10是现有的电 子元件500的断面结构图。电子元件500具备叠层体502、线圈L和外部电极508a、508b。 叠层体502由长方形的磁性体层层叠而成。通路孔导体把线圈导体504a 504i连接起来 构成线圈L，线圈L内藏在叠层体502内。外部电极508a、508b设置在叠层体502的侧面， 并且连接在线圈L的两端。这里，在电子元件500中，为了提高直流重叠特性，而把非磁性体层506a 506c 设置在叠层体502内。图11是从叠层方向看非磁性体层506a 506c的示图。在线圈导 体504c与线圈导体504d之间，非磁性体层506a被设置在与线圈导体504c、504d重合的区 域和线圈L的外部的区域。在线圈导体504d与线圈导体504e之间，非磁性体层506b被设 置在与线圈导体504d、504e重合的区域和线圈L的外部的区域。在线圈导体504e与线圈 导体504ef之间，非磁性体层506c被设置在与线圈导体504e、504f重合的区域和线圈L的 外部的区域。在以上那样的电子元件500中，用非磁性体层506a、506b、506c来防止磁通密 度在叠层体502内过高。结果，电子元件500中就抑制了磁饱和的发生，提高了直流重叠特 性。但是，如以下说明的那样，现有的电子元件500存在制造工序复杂的问题。更详细 地说，线圈导体504a 504i用通路孔导体连接起来，因此，在非磁性体层506a 506c中 必须有用来设置通路孔导体的通路孔hi h3。但是，如图11所示，通路孔hi h3的位置 各异，所以在经掩模把非磁性体层506a 506c印刷在线圈导体504d 504f和磁性体层 上的情况下，就必须有三种掩膜。结果，电子元件500的制造工序复杂。作为现有的电子元件，如专利文献1中记载的叠层电感器已为人所知。虽然在专 利文献1中记载着为了提高直流重叠特性而在叠层体中设置非磁性体层，但是专利文献1 中并不存在简化电子元件500的制造工序的记载。专利文献1特开2006-318946号公报
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种能够简化制造工序的。本专利技术的一种实施方式的电子元件具备具有第一导磁率的多层第一绝缘体层和 具有低于第一导磁率的第二导磁率的多层第二绝缘体层层叠起来构成的叠层体、在所述叠 层体内由多个通路孔导体连接多个线圈导体而构成的螺旋状的线圈即从叠层方向俯视时 与所述第二绝缘体层重合的线圈；其中，全部所述第二绝缘体层设置在叠层方向上设有所 述线圈的区域内，并且从叠层方向俯视时具有相同的形状，且不与所述通路孔导体重合。从叠层方向俯视时，所述第二绝缘体层被设置在所述叠层体的一部分内。从叠层方向俯视时，所述线圈形成环状轨道；从叠层方向俯视时，所述第二绝缘体 层与所述轨道重合并被设置在该轨道的外侧。从叠层方向俯视时，所述线圈形成环状轨道；从叠层方向俯视时，所述第二绝缘体 层与所述轨道重合并被设置在该轨道的内侧。从叠层方向俯视时，所述线圈形成环状轨道；所述第二绝缘体层仅设置在与所述 轨道重合的区域。本专利技术的一种实施方式的电子元件的制造方法包含如下工序形成设置通路孔且 具有第一导磁率的多层第一绝缘体层；在所述多层第一绝缘体层的其中一部分上形成形状 完全相同而从层叠方向俯视时不与所述多个通路孔重合的第二绝缘体层，该第二绝缘体层 具有低于第一导磁率的第二导磁率；在所述通路孔中填充导电性材料形成通路孔导体；在 所述第一绝缘体层和所述第二绝缘体层上形成线圈导体；把所述第一绝缘体层和所述第二 绝缘体层层叠起来得到内藏有由所述线圈导体和所述通路孔导体构成的螺旋状的线圈的 叠层体；其中，在得到所述叠层体的工序中，把所述第一绝缘体层和所述第二绝缘体层层叠 起来，使所述第二绝缘体层在叠层方向上位于设置有所述线圈的区域内。此外，在本专利技术的电子元件制作方法中，在形成所述第二绝缘体层的工序中，在所 述第一绝缘体层上涂覆浆液来制作所述第二绝缘体层。如果采用本专利技术，能够简化制造工序。附图说明图1是本专利技术的实施方式的电子元件的外观立体图。图2是图1的电子元件的叠层体的分解立体图。图3是图1的电子元件的A-A剖面的断面结构图。图4是比较例的电子元件的叠层体的分解立体图。图5是比较例的电子元件的断面结构图。图6是表示实验结果的曲线图。图7是第一变形例的绝缘体层的立体图。图8是第二变形例的绝缘体层的立体图。图9是第三变形例的绝缘体层的立体图。图10是现有的电子元件的断面结构图。图11是从叠层方向俯视非磁性体层的示图。符号的说明B,B'、B1 B8、B11 B18…空白部L…线圈R…轨道bl bl3…通路孔导体10…电子元件12…叠层体14a、14b···外部电极16a 16t、18i 18k、58i 58k、68i 68k、78i 78k...绝缘体层20a 20η…线圈导体具体实施例方式以下说明本专利技术的一种实施方式的。(电子元件的构成)图1是本专利技术的实施方式的电子元件10的外观立体图，图2是电子元件10的叠 层体12的分解立体图。图3是图1的电子元件10的A-A剖面的断面结构图。以下把电子 元件10的叠层方向定义为ζ轴方向；把沿电子元件10的短边的方向定义为χ轴方向；把沿 电子元件10的长边的方向定义为y轴方向。如图1所示，电子元件10具备叠层体12、外部电极(14a、14b)以及线圈L。叠层 体12呈长方体状，内藏有线圈L。外部电极14形成在位于y轴方向的两端的叠层体12的 侧面(表面)。如图2所示，把绝缘体层16(16a 16t)、18(18i 18k)层叠起来构成叠层体12。 绝缘体层16是由具有第一导磁率的磁性体材料(如Ni-Cu-Zn系铁氧体)构成的长方形的 层。绝缘体层18是具有比第一导磁率低的导磁率的层，从ζ轴方向俯视时，绝缘体层18设 置在叠层体12的一部分内。在本实施方式中，绝缘体层18是由非磁性体材料(如Cu-Zn 系铁氧体)构成的层。绝缘体层18i 18k分别设置在绝缘体层16i 16k上，覆盖该绝 缘体层16i 16k的一部分。如上所述，将绝缘体层18i 18k设置在绝缘体层16i 16k 上且把绝缘体层16a 16t从ζ轴方向的正方向侧开始按该顺序层叠起来构成叠层体12。 后面将描述绝缘体层18的细节。如图2所示，线圈L由线圈导体20 (20a 20η)及通路孔导体bl bl3构成。更 详细地说，在叠层体12内，通路孔导体bl bl3把线圈导体20a 20η连接起来构成线圈 L，线圈L是具有平行于ζ轴方向的线圈轴的螺旋状线圈。从ζ轴方向俯视时，线圈L形成 长方形的环状的轨道R，在该轨道上，与绝缘体层18重合。线圈导体20a 20η被分别设置在绝缘体层16d 16h、18i 18k、161 16q的 ζ轴方向的正方向侧的主面上。实际上，线圈导体20f 20h被设置在绝缘体层18i 18k 上，但是在图2中，为了表示绝缘体层18i 18k的结构，线圈导体20f 20h从绝缘体层 18 18k上分离开。线圈导体20分别是具有7/8匝的匝数的线状导体，分别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件，具备：具有第一导磁率的多层第一绝缘体层和具有比第一导磁率低的第二导磁率的多层第二绝缘体层层叠起来构成的叠层体、在所述叠层体内由多个通路孔导体连接多个线圈导体而构成的螺旋状的线圈即从叠层方向俯视时与所述第二绝缘体层重合的线圈；其中，全部所述第二绝缘体层设置在叠层方向上设有所述线圈的区域内，并且从叠层方向俯视时具有相同的形状，且不与所述通路孔导体重合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：坂野好子，中辻阳一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]