晶片级微器件的封装方法技术

本发明专利技术提供了一种晶片级微器件的封装方法。该方法包括：在第一硅晶片的顶面上制备微器件；在第一硅晶片的顶面上沉积第一遮蔽碳膜层，覆盖微器件；通过第一遮蔽碳膜层来支撑第一硅晶片的顶面，由此从第一硅晶片的底面来完成晶片背面制备工艺；通过与碳进行选择性气体反应将第一遮蔽碳膜层移除；将封装晶片封装在第一硅晶片的顶面。本发明专利技术通过化学方法沉积和移除第一遮蔽碳膜层，从而在进行晶片背面制备工艺时对晶片顶面的微器件进行保护，避免了机械损伤和背面制备工艺带来的化学污染。对晶片顶面的保护无需在进行晶片背面制备工艺之前就使用封装晶片进行封装，使得在随后的晶片背面制备工艺过程中转移的晶片很轻薄，转移操作便捷。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶片级微器件的封装方法，其特征在于，包括：在第一硅晶片的顶面上制备微器件；在所述第一硅晶片的顶面上沉积第一遮蔽碳膜层，覆盖所述微器件；通过所述第一遮蔽碳膜层来支撑所述第一硅晶片的顶面，由此从所述第一硅晶片的底面来完成晶片背面制备工艺；通过与碳进行选择性气体反应将所述第一遮蔽碳膜层移除；将封装晶片封装在所述第一硅晶片的顶面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：河H黄，
申请(专利权)人：江苏丽恒电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]