一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法技术

本发明专利技术公开了一种红外焦平面列阵器件原位集成红外微凸镜列阵工艺所需的掩模用光刻胶微凸镜列阵的成形方法，它涉及光电探测器件的制造技术。本发明专利技术采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体（ＩＣＰ）增强反应离子刻蚀（ＲＩＥ）方法，仅对红外焦平面探测器表面光刻胶进行局部的等离子体轰击回流的掩模用光刻胶微凸镜列阵成形的技术方案。基于高密度、低能量氧等离子体的光刻胶微凸镜列阵成形方法，只在氧等离子体与光刻胶发生反应的局部区域产生温升回流，解决了采用常规热熔回流进行红外焦平面探测器掩模用光刻胶微凸镜成形时必须经受高温过程的缺点。因而，本发明专利技术具有操作简单、可控性好和无需经受高温过程的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电探测器件的制造工艺技术，具体是指红外焦平面列阵器件原位集 成红外微凸镜列阵工艺所需的掩模用光刻胶微凸镜列阵的成形方法。
技术介绍
红外焦平面列阵器件是既具有红外信息获取又具有信息处理功能的先进的成像 传感器，在空间对地观测、光电对抗、机器人视觉、搜索与跟踪、医用和工业热成像、以及导 弹精确制导等军、民用领域有重要而广泛的应用。由于其不可替代的地位和作用，世界上的 主要工业大国都将红外焦平面列阵器件制备技术列为重点发展的高技术项目。在高级红外应用系统的大力驱动下，红外探测器已进入了以大面阵、小型化和多 色化等为特点的发展阶段，见 S. Horn,P. Norton, Τ. Cincotta，A. Stoltz, etal,"Challenges for third-generation cooled imagers，，，proceeding of SPIE, Vol. 5074, 2003, P44-51。 高分辨率始终是红外探测器发展所不懈追求的目标，新一代红外焦平面探测器已由单像元 发展到4096 X 4096的凝视大面阵，预计到2010年红外焦平面探测器规模将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法，其特征在于包括以下步骤：Ａ．采用传统的光刻技术，在由读出电路（４０１）、光敏感芯片（４０２）和背面衬底（４０３）三部分组成红外焦平面探测器（４）的背面衬底（４０３）表面制作用于原位集成微凸镜列阵掩模用的光刻胶图形９，掩蔽膜厚度为４－８μｍ，掩蔽膜图形开口宽度为１－５μｍ；Ｂ．将红外焦平面探测器（４）通过导热胶固定在ＩＣＰ增强ＲＩＥ设备的制冷样品台（３）上，而后进行腔体（５）的抽真空，直至真空度达到设定值２－４×１０↑［－５］Ｔｏｒｒ；Ｃ．启动等离子体程序，进行红外焦平面探测器（４）背面衬底（４０３）上的光刻胶掩模图形（９）的等离子体（１０）轰击...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶振华，黄建，胡伟达，尹文婷，马伟平，陈昱，林春，胡晓宁，丁瑞军，何力，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]