【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池的制造工艺，尤其涉及晶体硅太阳能电池片的表面 掺杂制选择性发射级的制造方法。
技术介绍
随着对再生绿色能源的需求的增长，晶体硅的太阳能电池技术得到了极大的促进 与发展。晶体硅太阳能电池片在制造过程中包括表面制绒、表面掺杂制结、减反射膜沉积、 正负电极的形成等工序。在已产业化的制造方法中，硅片表面掺杂制结方案是限制电池片 转换效率提高的主要步骤。目前，采用丝网印刷工艺的太阳能电池片其现行的表面掺杂制 结工艺如下硅片在完成表面制绒后直接对电极表面进行掺杂，方块电阻一般控制在 40Ω/ □ 60Ω/ □之间。这种掺杂制结方法虽然使太阳能电池片能采用成熟的丝网印刷 工艺技术，达到工业化大批量生产的要求，但是，由于表面掺杂制结后电池片栅极面不具备 选择性发射级，因此电池片的转换效率受到限制，难以进一步提高。随着太阳能电池的广泛应用，人们对太阳能电池的转换效率提出更高要求。要提 高晶体硅电池片的转换效率，对电池片表面进行选择性掺杂是提高电池片的转换效率的一 种有效方法。即在硅片的电极栅槽处要求重掺杂，为了使电极接触的地方形成良好的低欧 姆接触，...
【技术保护点】
一种对晶体硅电池片表面选择性掺杂制发射级的方法，其特征是：它包括如下工艺步骤：第一步，干法掩膜：将制绒后硅片（１）置入８００℃－１１００℃的氧化炉内，通入氧气进行干法氧化，氧化时间为１０～２０分钟，在硅片表面外延生成致密的二氧化硅掩膜（２），其厚度约为５～５０纳米；第二步，湿法掩膜：干法掩膜结束后向氧化炉内通入水蒸气，再对干法氧化后的硅片（１）进行湿法氧化，氧化时间为２５～３０分钟，使得硅片表面的二氧化硅掩膜（２）快速增厚，经湿法氧化后硅片表面的二氧化硅掩膜（２）的厚度约为１微米左右；第三步，激光刻浅槽：采用激光刻蚀方法对掩膜后的硅片（１）表面进行刮刻，形成栅极浅槽（３），...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙剑波，孙铁囤，叶庆好，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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