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一种对晶体硅电池片表面选择性掺杂制发射级的方法，包括干法掩膜、湿法掩膜、激光刻浅槽、酸洗栅极浅槽、对栅极浅槽进行重掺杂、清磷去膜、表面轻掺杂和酸洗步骤，由于将现行的一步法制掩膜改为干法和湿法二步制掩膜，满足了后序重掺杂和轻掺杂的两个基本要求...
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