【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种防止磷掺杂硅氧化膜表面产生晶体状缺陷的方法，包括：提供一表面形成有磷掺杂硅氧化膜的晶圆；以及采用pH值介于5～7的弱酸对该晶圆执行一清洗步骤。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周硕，李伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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