一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种非真空条件下制备柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法，包括衬底上依次形成底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极，其中在衬底上形成底电极和吸收层的步骤为：（１）制备聚酰亚胺薄膜衬底；（２）利用溅射的方法在衬底两面形成钼层；（３）将沉积有钼层的衬底，在氢气和氮气的混合气体氛围中，梯度升温至４５０～５００℃，进行铜－铟－镓元素涂层，然后在Ｈ２Ｓｅ和Ｎ２气氛中，４５０～５００℃温度条件下进行硒化反应，硒化反应完成后制备得到柔性铜铟镓硒太阳能电池吸收层。利用本发明专利技术方法制备的太阳能电池适应范围广，稳定性、耐高温很透光率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池
，尤其涉及一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池的 制备方法。
技术介绍
过去的30 40年里，太阳能作为一种来源丰富，无污染的能源一直是工业界和科 研机构研究和推广的可再生能源的热点。这其中利用光伏效应将太阳能转化成电能的太阳 能电池是太阳能利用的最主要形式。近几年来，一些新型的太阳能电池不断的开发与利用， 根据太阳电池的厚度，太阳能电池可分为晶体硅(单晶或多晶)电池和薄膜太阳能电池。 和晶体硅太阳能电池不同的是，薄膜太阳能电池中工作部件(半导体材料)可以是无定形 (非晶)硅(A-Si)，碲化镉 /硫化镉(CdTe)，CGIS (Copper Indium Gallium Diselenide-铜 铟镓二硒醚)，有机染料和有机半导体。以硅太阳能电池为例，基于非晶硅的电池的厚度不 足晶体硅太阳电池厚度的1/100。这既有助于大大降低了制造成本又可以降低电池的使用 重量。同时，薄膜太阳能电池的加工温度和条件远低于晶体硅太阳电池。这使得薄膜太阳 电池具有更低的制造和使用成本和更易于实现大面积安装使用等优点。因而，薄膜太阳电 池在太阳电池的研究和工业推广中占据越来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，包括在衬底上依次形成底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜和上电极，其特征在于，在衬底上形成底电极和吸收层的步骤为：（１）利用溅射的方法在衬底两面形成钼层；（２）将沉积有钼层的衬底在氢气和氮气的混合气体氛围中，梯度升温至４５０～５００℃，进行铜－铟－镓元素涂层，然后在Ｈ↓［２］Ｓｅ和Ｎ↓［２］气氛中，４５０～５００℃温度条件下进行硒化反应，硒化反应完成后制备得到柔性铜铟镓硒太阳能电池吸收层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：霍平，胡杰，张林，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]