氮化物半导体光学元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种氮化物半导体光学元件及其制造方法。所述氮化物半导体光学元件具有：衬底；有源层（３周期多量子阱（ＭＱＷ）有源层）；至少设置所述有源层的发光端面上的第一保护膜；和设置在所述第一保护膜上的第二保护膜；其中所述第一保护膜设置在构成所述发光端面的半导体与所述第二保护膜之间，且所述第一保护膜的与所述半导体直接接触的部分主要由具有金红石结构的ＴｉＯ２膜构成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
氮化镓所代表的III族氮化物半导体用作构成发光二极管(LED)和激光二极管 (LD)的材料，由于从其可以有效获得蓝紫光而引起了大量关注。其中，非常希望将LD作为 大容量光盘驱动器的光源。近年来，已经对高输出的LD进行了广泛研究，目的在于提供写 入光源。特开2007-59897号公报描述了一种氮化镓半导体激光器元件，所述激光器元件 在发光端面上形成有介电膜。如图6中所示，所述氮化镓半导体激光器元件具有作为氮化 物半导体层依次堆叠在衬底100上的η型氮化物半导体层200、有源层205和ρ型氮化物半 导体层210，其中对衬底100和所述氮化物半导体层进行排列以便将其解理面几乎在同一 平面上对准。发光端面上形成有Al2O3膜作为介电膜。如上所述，作为405nm蓝紫半导体激光器元件的端面保护膜，典型地，在发光端面 上使用由Al2O3单膜构成的低反射率(抗反射)膜(下文中称作“AR膜”)。所述公布文献 描述了，可以提高导致灾难性光学损伤(COD)的关键光学输出水平，由此可以确保高输出工作。然而，已知在AR膜侧形成Al2O3膜，使得在激光器元件连续工作期间半导体与 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体光学元件，包含：衬底；有源层，其由含有Ｇａ作为构成元素的Ⅲ族氮化物半导体构成，且设置在所述衬底上；第一保护膜，其至少设置在所述有源层的发光端面上；和第二保护膜，其设置在所述第一保护膜上，所述第一保护膜与构成所述发光端面的半导体接触，以及所述第一保护膜的与所述半导体接触的部分由具有金红石结构的ＴｉＯ↓［２］膜构成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：福田和久，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]