半导体激光器装置制造方法及图纸

半导体激光器装置，在至少一个激光器芯片的光出射面上，形成了反射率大于等于４０％的电介质多层膜，电介质多层膜包含由氧化钽（Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］）构成的电介质薄膜、以及由氧化铝（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］）、氧化硅（Ｓｉ）等电介质氧化物构成的其它电介质薄膜。氧化钽的光吸收系数小于硅（Ｓｉ）膜，由于伴随着发光的热稳定性比氧化钛（ＴｉＯ↓［２］）膜优秀，因此能够大幅改善ＣＯＤ恶化。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及形成有电介质多层膜的半导体激光器装置。
技术介绍
半导体激光器一般是通过晶片解理来形成谐振器端面，在该谐振器端面上形成电介质薄膜。通过任意选择在该端面上形成的该电介质的种类、膜厚以及层数，能够将其控制到所希望的反射率。这种反射膜不仅要求可任意控制反射率的特性，而且还要求不容易产生由于瞬间光学损伤(严重光学损伤以下简称为COD)而引起恶化的特性。所谓COD恶化是指激光被激光元件端面的膜所吸收而使膜发热，温度上升的结果是发生膜的熔解从而导致端面损毁。例如，在得到反射率40％以上的反射膜的情况下，一般而言，是使用了交替层叠低折射率膜和高折射率膜材料的电介质多层膜。举出以下文献作为相关的在先技术。(专利文献1)特开平10-247756号公报(专利文献2)特开2001-267677号公报(专利文献3)特开2002-305348号公报例如，特开2001-267677号公报是采用由Al2O3膜和含氧的Si膜构成的5层多层反射膜作为在半导体激光器的后端面上形成的高反射膜，通过在Si膜的成膜工艺中导入氧来降低Si的衰减系数，从而防止COD恶化。但是，随着激光的振荡波长的波长变短以及输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器装置，在激光器芯片的至少一个光出射面上形成有反射率大于等于４０％的电介质多层膜，其特征在于：电介质多层膜包含由氧化钽构成的电介质薄膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：国次恭宏，松岡裕益，中川康幸，西口晴美，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]