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本发明提供了一种氮化物半导体光学元件及其制造方法。所述氮化物半导体光学元件具有：衬底；有源层（３周期多量子阱（ＭＱＷ）有源层）；至少设置所述有源层的发光端面上的第一保护膜；和设置在所述第一保护膜上的第二保护膜；其中所述第一保护膜设置在构成所...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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