一种等离子增强化学气相淀积工艺腔制造技术

本发明专利技术提供了一种等离子增强化学气相淀积工艺腔，通过在加热器电源线封装盒的外围还设置保护罩阻挡工艺腔内的气流，使得气流无法吹倒加热器电源线封装盒左右盒体中的任何一侧，可确保加热器电源线不会有接地短路、造成工艺腔停机的风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种等离子增强化学气相淀积工艺腔。
技术介绍
等离子增强化学气相淀积通常是用于在半导体晶片的基材上淀积 薄膜。等离子增 强化学气相淀积(PECVD) —般是通过将反应气体引入工艺腔并通过RF反应器使反应气体 产生等离子体而实现。请参看图1，图1为现有技术的等离子增强化学气相淀积工艺腔结构 示意图。如图1所示，现有技术中，等离子增强化学气相淀积工艺腔包括腔体101、位于所 述腔体101顶部的电极板102以及位于所述腔体101底部的加热支撑部件103 ；所述加热 支撑部件103用于放置半导体晶片100并对所述半导体晶片100进行加热，所述加热支撑 部件103包括加热器105以及支撑壁104，所述加热器105用于加热并支撑所述半导体晶 片100，所述支撑壁104固定于所述腔体101的底部并支撑固定所述加热器105 ；在所述加 热器105下、所述支撑壁104所围合的空间内还设置有加热器电源线封装盒106和排气泵 连接口 107，所述加热器105的电源线108连接位于腔体101外的电源并穿过所述腔体101 的底部进入所述腔体101内连接至所述加热器105上，所述排气泵连接口 107的一端连接 所述加热器105上的排气孔，另一端连接位于所述腔体101外的排气泵109 ；所述腔体101 的顶部具有反应气体进气口 110，所述电极板102连接于所述反应气体进气口 110上，所述 电极板102表面具有很多气体扩散孔，所述电极板102可以有多个，分别连接于所述反应其 他进气口 110上，所述电极板102同时还连接位于所述腔体101外的射频电源111。在所述工艺腔内进行化学气相淀积时，反应气体进入所述进气口 110，通过所述电 极板102扩散至所述腔体101内，所述射频电源111施加在所述电极板102上产生的射频 功率使所述腔体101内的反应气体被激发为等离子，被激发的气体反应后，在位于所述加 热支撑部件103上的所述半导体晶片100上形成淀积膜。在淀积膜的过程中，所述半导体 晶片100通过所述加热支撑部件103中的加热器105被加热，以促进表面反应并减少不希 望的杂质产生。所述加热支撑部件103通常为接地的，从而使所述射频电源111施加在所 述电极板102上产生射频功率。但若位于所述加热支撑部件103内的所述加热器105的电 源线108暴露在外的话极易导致所述电源线108接地发生短路，因此，在所述加热支撑部 件103内还设置有加热器电源线封装盒106，使所述电源线108从所述腔体101外通过所 述腔体101的底部进入所述腔体101后，位于所述加热器105与所述腔体101底部之间的 电源线108通过所述加热器电源封装盒106封装起来，以避免所述电源线108接地发生短 路。现有技术中所述加热器电源封装盒106的结构如图2a-图2b所示，包括底盘201、左盒 体202和右盒体203，所述左盒体202和右盒体203可对接闭合，所述左盒体202和所述右 盒体203的对接闭合处分别设置有方向相对的中空半圆形的缺口，当所述左盒体202和右 盒体203对接闭合时，所述相对的两个中空半圆形缺口闭合形成一圆形通孔204，所述底盘 201上也设置有一中空孔205 ；所述左右盒体闭合后放置于所述底盘201上形成所述加热器 电源封装盒106。所述电源线108从所述腔体101外通过所述腔体101的底部后进入所述底盘201上的中空孔205，然后再穿过所述左右盒体闭合形成的圆形通孔204，最终连接到 所述加热器105上。但由于在反应中产生的挥发性副产品会由所述排气泵109通过所述加热器105上 的排气孔和所述排气泵连接口 107抽出，从而使所述排气泵连接口 107处的气压低于腔体 101内的其他地方，因此会在所述腔体101内形成由所述腔体101四周向所述排气泵连接口 107处流动的较大气流，而靠近所述排气泵连接口 107的所述加热器电源线封装盒106上的 右盒体203较薄，经常会被上述气流吹倒，从而又会使所述电源线108暴露在外，造成所述 电源线108可能接地短路的危险。所述电源线108 —旦接地短路，将会造成整个工艺腔停 机。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种等离子增强化学气相淀积工艺腔，以解决现 有技术的等离子增强化学气相淀积工艺腔中加热器电源线封装盒的一侧盒体容易被工艺 腔中的气流推倒，使工艺腔内的加热器电源线暴露于加热器电源线封装盒外，容易使加热 器电源线接地短路，造成整个工艺腔停机的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种等离子增强化学气相淀积工艺腔，包括腔 体、位于所述腔体顶部的电极板以及位于所述腔体底部的加热支撑部件，所述加热支撑部 件包括加热器以及支撑壁，所述加热器用于加热并支撑所述半导体晶片，所述支撑壁固定 于所述腔体的底部并支撑固定所述加热器，在所述加热器下、所述支撑壁所围合的空间内 还设置有加热器电源线封装盒，所述加热器电源封装盒包括底盘、左盒体和右盒体，所述左 盒体和右盒体可对接闭合或打开，所述左盒体和所述右盒体的对接闭合处分别设置有方向 相对的中空半圆形的缺口，所述左盒体和右盒体对接闭合时，所述相对的两个中空半圆形 缺口闭合形成一圆形通孔，所述底盘上也设置有一中空孔；所述左右盒体闭合后放置于所 述底盘上形成所述加热器电源封装盒，所述加热器的电源线连接位于腔体外的电源并穿过 所述腔体的底部进入所述腔体后进入所述底盘上的中空孔，然后再穿过所述左右盒体闭合 形成的圆形通孔，最终连接到所述加热器上，还包括一保护罩，所述保护罩包括左侧壁、右 侧壁以及固定于所述左侧壁和所述右侧壁之上的顶部，所述保护罩放置于所述加热器电源 封装盒的底盘上，罩于所述加热器电源封装盒的左右盒体之上，所述左侧壁位于所述左盒 体一侧，所述右侧壁位于所述右盒体一侧。可选的，所述加热器电源线封装盒的材质为陶瓷。可选的，所述陶瓷中Al2O3的纯度≥99. 5%。可选的，所述保护罩的材质为陶瓷。可选的，所述陶瓷中Al2O3的纯度≥99. 5%。本专利技术提供的等离子增强化学气相淀积工艺腔通过在加热器电源线封装盒的外 围还设置保护罩阻挡工艺腔内的气流，使得气流无法吹倒加热器电源线封装盒左右盒体中 的任何一侧，可确保加热器电源线不会有接地短路、造成工艺腔停机的风险。附图说明图1为现有技术的等离子增强化学气相淀积工艺腔结构示意图2a-图2b为现有技术的加热器电源封装盒的结构示意图；图3为本专利技术的等离子增强化学气相淀积工艺腔结构示意图；图4为现有技术的加热器结构示意图；图5为本专利技术的等离子增强化学气相淀积工艺腔中保护罩的结构示意图。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术 的具体实施方式做详细的说明。本专利技术提供的等离子增强化学气相淀积工艺腔可利用多种替换方式实现，下面是 通过较佳的实施例来加以说明，当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技 术人员所熟知的一般的替换无疑涵盖在本专利技术的保护范围内。其次，本专利技术利用示意图进行了详细描述，在详述本专利技术实施例时，为了便于说 明，示意图不依一般比例局部放大，不应以此作为对本专利技术的限定。请参看图3，图3为本专利技术的等离子增强化学气相淀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子增强化学气相淀积工艺腔，包括腔体、位于所述腔体顶部的电极板以及位于所述腔体底部的加热支撑部件，所述加热支撑部件包括加热器以及支撑壁，所述加热器用于加热并支撑半导体晶片，所述支撑壁固定于所述腔体的底部并支撑固定所述加热器，在所述加热器下、所述支撑壁所围合的空间内还设置有加热器电源线封装盒，所述加热器电源封装盒包括底盘、左盒体和右盒体，所述左盒体和右盒体可对接闭合或打开，所述左盒体和所述右盒体的对接闭合处分别设置有方向相对的中空半圆形的缺口，所述左盒体和右盒体对接闭合时，所述相对的两个中空半圆形缺口闭合形成一圆形通孔，所述底盘上也设置有一中空孔；所述左右盒体闭合后放置于所述底盘上形成所述加热器电源封装盒，所述加热器的电源线连接位于腔体外的电源并穿过所述腔体的底部进入所述腔体后进入所述底盘上的中空孔，然后再穿过所述左右盒体闭合形成的圆形通孔，最终连接到所述加热器上，其特征在于，还包括一保护罩，所述保护罩包括左侧壁、右侧壁以及固定于所述左侧壁和所述右侧壁之上的顶部，所述保护罩放置于所述加热器电源封装盒的底盘上，罩于所述加热器电源封装盒的左右盒体之上，所述左侧壁位于所述左盒体一侧，所述右侧壁位于所述右盒体一侧。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐李洁，张永刚，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]