室绝缘部件和基底处理设备制造技术

提供了一种室绝缘部件和一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：室，具有用于用等离子体处理基底的处理空间；基底支撑件，用于在所述室中支撑所述基底；以及绝缘板，设置在所述基底支撑件下方，以将所述基底支撑件与所述室电绝缘，其中，所述绝缘板包括：基体材料体，由具有第一介电常数的陶瓷材料制成；以及介电常数控制件，分散在所述基体材料体中，并且具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数，以防止施加到所述基底支撑件的用来控制所述等离子体中的离子能量的射频(RF)偏置功率的损失。失。失。

【技术实现步骤摘要】
室绝缘部件和基底处理设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年6月15日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2022
‑
0072538号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入此处。


[0003]本专利技术涉及一种室绝缘部件和一种包括室绝缘部件的基底处理设备。

技术介绍

[0004]需要对基底上的材料层实施具有高蚀刻速率的蚀刻工艺以制造诸如半导体装置和显示装置的电子装置。在用于执行干法蚀刻工艺的基底处理设备中，当施加以产生等离子体的射频(RF)功率损失时，蚀刻速率降低。
[0005]在第10
‑
2007
‑
0062102A号韩国专利公开中公开了相关技术。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种能够在基底上实施具有高蚀刻速率的蚀刻工艺并且能够改善蚀刻均匀性的室绝缘部件以及一种包括室绝缘部件的基底处理设备。
[0007]然而，本专利技术的范围不限于此。
[0008]根据本专利技术的一方面，提供了一种室绝缘部件，所述室绝缘部件设置在用来在用于用等离子体处理基底的室中支撑所述基底的基底支撑件下方，以将所述基底支撑件与所述室电绝缘，所述室绝缘部件包括：基体材料体，由具有第一介电常数的陶瓷材料制成；以及介电常数控制件，分散在所述基体材料体中，并且具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数，以防止施加到所述基底支撑件的用来控制所述等离子体中的离子能量的射频(RF)偏置功率的损失。
[0009]所述介电常数控制件可以包括孔隙。
[0010]所述室绝缘部件可以具有2％至20％的孔隙率。
[0011]具有所述第一介电常数的所述材料可以包括氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化钇(Y2O3)、蓝宝石、氟氧化钇(YOF)和氧化铝(Al2O3)中的至少一种。
[0012]所述介电常数控制件可以包括具有低于所述第一介电常数的所述第二介电常数的颗粒。
[0013]根据本专利技术的另一方面，提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：室，具有用于用等离子体处理基底的处理空间；基底支撑件，用于在所述室中支撑所述基底；以及绝缘板，设置在所述基底支撑件下方，以将所述基底支撑件与所述室电绝缘，其中，所述绝缘板包括：基体材料体，由具有第一介电常数的陶瓷材料制成；以及介电常数控制件，分散在所述基体材料体中，并且具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数，以防止施加到所述基底支撑件的用来控制所述等离子体中的离子能量的射频(RF)偏置功率的损失。
[0014]所述基底支撑件可以包括介电板和电极板，所述介电板用于在所述介电板上放置
所述基底，所述电极板设置在所述介电板下方，并且所述绝缘板可以设置为与所述电极板的底表面接触，以防止施加到所述电极板的所述RF偏置功率的损失。
[0015]具有所述第一介电常数的所述材料可以包括氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化钇(Y2O3)、蓝宝石、氟氧化钇(YOF)和氧化铝(Al2O3)中的至少一种。
[0016]具有所述第二介电常数的所述介电常数控制件可以包括孔隙。
[0017]所述绝缘板的与所述基底的中心部分对应的中心区域中的孔隙率可以不同于所述绝缘板的与所述基底的边缘部分对应的边缘区域中的孔隙率。
[0018]所述绝缘板的所述中心区域中的所述孔隙率可以低于所述绝缘板的所述边缘区域中的所述孔隙率。
[0019]所述绝缘板的所述中心区域中的所述孔隙率可以高于所述绝缘板的所述边缘区域中的所述孔隙率。
[0020]所述绝缘板可以具有层叠结构，所述层叠结构具有不同的孔隙率，并且所述绝缘板的上层和下层中的孔隙率可以不同于介于所述上层和所述下层之间的中间层中的孔隙率。
[0021]所述上层和所述下层中的所述孔隙率可以低于所述中间层中的所述孔隙率。
[0022]所述上层和所述下层中的所述孔隙率可以高于所述中间层中的所述孔隙率。
[0023]具有所述第二介电常数的所述介电常数控制件可以包括具有低于所述第一介电常数的所述第二介电常数的颗粒。
[0024]具有所述第二介电常数的所述颗粒可以包括氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化钇(Y2O3)、蓝宝石、氟氧化钇(YOF)和氧化铝(Al2O3)中的至少一种。
[0025]所述绝缘板可以包括与所述基底的中心部分对应的中心区域以及与所述基底的边缘部分对应的边缘区域，并且所述中心区域中的具有所述第二介电常数的所述颗粒的分散密度可以不同于所述边缘区域中的具有所述第二介电常数的所述颗粒的分散密度。
[0026]所述绝缘板可以具有层叠结构，所述层叠结构具有不同分散密度的具有所述第二介电常数的所述颗粒，并且所述绝缘板的上层和下层中的具有所述第二介电常数的所述颗粒的分散密度可以不同于介于所述上层和所述下层之间的中间层中的具有所述第二介电常数的所述颗粒的分散密度。
[0027]根据本专利技术的另一方面，提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：室，具有用于用等离子体处理基底的处理空间；基底支撑件，用于在所述室中支撑所述基底；以及绝缘板，设置在所述基底支撑件下方，以将所述基底支撑件与所述室电绝缘，其中，所述绝缘板包括：基体材料体，由具有第一介电常数的陶瓷材料制成；以及孔隙，分散在所述基体材料体中，以防止施加到所述基底支撑件的用来控制所述等离子体中的离子能量的射频(RF)偏置功率的损失，其中，具有所述第一介电常数的所述材料包括氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化钇(Y2O3)、蓝宝石、氟氧化钇(YOF)和氧化铝(Al2O3)中的至少一种，并且其中，所述绝缘板具有2％至20％的孔隙率。
附图说明
[0028]通过参照附图详细地描述本专利技术的实施例，本专利技术的上述和其他特征以及优点将变得更加明显，在附图中：
[0029]图1是根据本专利技术的实施例的基底处理设备的截面图；
[0030]图2是根据本专利技术的实施例的基底处理设备的绝缘板的透视图；
[0031]图3至图8是根据本专利技术的各种实施例的沿图2的线A
‑
A'截取的绝缘板的截面图；
[0032]图9是根据本专利技术的其他实施例的基底处理设备的绝缘板的透视图；
[0033]图10至图15是根据本专利技术的各种实施例的沿图9的线A
‑
A'截取的绝缘板的截面图；以及
[0034]图16是示出根据本专利技术的实施例的基于基底处理设备中的绝缘板的电抗分量的蚀刻速率的曲线图。
具体实施方式
[0035]在下文中，将通过参照附图说明本专利技术的实施例来详细描述本专利技术。
[0036]然而，本专利技术可以以许多不同的形式来实施，并且不应当被解释为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且这些实施例将向本领域的普通技术人员充分传达本专利技术的概念。在附图中，为了清晰或便于解释，夸大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种室绝缘部件，设置在用来在用于用等离子体处理基底的室中支撑所述基底的基底支撑件下方，以将所述基底支撑件与所述室电绝缘，所述室绝缘部件包括：基体材料体，由具有第一介电常数的陶瓷材料制成；以及介电常数控制件，分散在所述基体材料体中，并且具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数，以防止施加到所述基底支撑件的用来控制所述等离子体中的离子能量的射频偏置功率的损失。2.根据权利要求1所述的室绝缘部件，其中，所述介电常数控制件包括孔隙。3.根据权利要求2所述的室绝缘部件，其中，所述室绝缘部件具有2％至20％的孔隙率。4.根据权利要求1所述的室绝缘部件，其中，具有所述第一介电常数的所述材料包括氮化铝、碳化硅、氧化钇、蓝宝石、氟氧化钇和氧化铝中的至少一种。5.根据权利要求1所述的室绝缘部件，其中，所述介电常数控制件包括具有低于所述第一介电常数的所述第二介电常数的颗粒。6.一种基底处理设备，包括：室，具有用于用等离子体处理基底的处理空间；基底支撑件，用于在所述室中支撑所述基底；以及绝缘板，设置在所述基底支撑件下方，以将所述基底支撑件与所述室电绝缘，其中，所述绝缘板包括：基体材料体，由具有第一介电常数的陶瓷材料制成；以及介电常数控制件，分散在所述基体材料体中，并且具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数，以防止施加到所述基底支撑件的用来控制所述等离子体中的离子能量的射频偏置功率的损失。7.根据权利要求6所述的基底处理设备，其中，所述基底支撑件包括介电板和电极板，所述介电板用于在所述介电板上放置所述基底，所述电极板设置在所述介电板下方，并且其中，所述绝缘板设置为与所述电极板的底表面接触，以防止施加到所述电极板的所述射频偏置功率的损失。8.根据权利要求6所述的基底处理设备，其中，具有所述第一介电常数的所述材料包括氮化铝、碳化硅、氧化钇、蓝宝石、氟氧化钇和氧化铝中的至少一种。9.根据权利要求6所述的基底处理设备，其中，具有所述第二介电常数的所述介电常数控制件包括孔隙。10.根据权利要求9所述的基底处理设备，其中，所述绝缘板的与所述基底的中心部分对应的中心区域中的孔隙率不同于所述绝缘板的与所述基底的边缘部分对应的边缘区域中的孔隙率。11.根据权利要求10所述的基底处理设备，其中，所述绝缘板的所述中心区域中的所述孔隙率低于所述绝缘板的所述边缘区...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东穆，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：