【技术实现步骤摘要】
气体分配装置、等离子体处理装置及方法
[0001]本专利技术涉及等离子体处理
,特别涉及气体分配装置
、
等离子体处理装置及方法
。
技术介绍
[0002]在半导体器件的制造工艺中,需要对反应气体进行离子化以产生等离子体,进而对位于处理室内的晶圆表面的膜层产生刻蚀
。
在等离子体刻蚀工艺中,半导体刻蚀机台的气体分配装置中的气体源提供的工艺气体从气体管道流出,汇集到气体分流器中,经由气体扩散器划分的不同区域将工艺气体扩散到晶圆表面
。
[0003]然而,传统的等离子体刻蚀机台气体分配装置中,长时间蚀刻过程容易导致晶圆单边缺陷,降低半导体产品边缘区域的利用率,增加生产成本
。
技术实现思路
[0004]基于此,有必要针对
技术介绍
中问题,提供一种气体分配装置
、
等离子体处理装置及方法,提高工艺气体混合的均一性,提高晶圆边缘蚀刻速率,延长靶材使用时长,以提升良率,降低成本
。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的,本公开的一方面提供一种气体分配装置,包括若干个缓冲部
、
若干个可控阀及控制器,缓冲部被配置为:出口与喷头中气体分配区域对应设置,第一入口经由第一输气管道与第一工艺气体相连,第二入口经由第二输气管道与第二工艺气体相连;若干个可控阀对应设置于第二输气管道,用于控制第二输气管道与相连的缓冲部的连通状态;控制器与各可控阀电连接,用于通过控制各可控阀的开关状态来调整各缓冲部内第一工艺气 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种气体分配装置,其特征在于,包括:若干个缓冲部,所述缓冲部被配置为:出口与喷头中气体分配区域对应设置,第一入口经由第一输气管道与第一工艺气体相连,第二入口经由第二输气管道与第二工艺气体相连;若干个可控阀,对应设置于所述第二输气管道,用于控制所述第二输气管道与相连的所述缓冲部的连通状态;控制器,与各所述可控阀电连接,用于通过控制各所述可控阀的开关状态来调整各所述缓冲部内所述第一工艺气体与所述第二工艺气体混合的均一性,并调整与所述缓冲部连通的气体分配区域内的气体浓度
。2.
根据权利要求1所述的气体分配装置,其特征在于,所述气体分配区域包括中部气体分配区域,及环绕所述中部气体分配区域的第一气体分配区域
、
第二气体分配区域,所述第二气体分配区域环绕所述第一气体分配区域;所述缓冲部包括第一缓冲部
、
第二缓冲部;所述第一缓冲部被配置为:出口与所述第一气体分配区域连通,第一入口经由所述第一输气管道的第二分支与所述第一工艺气体相连,第二入口经由所述第二输气管道的第二分支与所述第二工艺气体相连;所述第二缓冲部被配置为:出口与所述第二气体分配区域对应设置,第一入口经由所述第一输气管道的第三分支与所述第一工艺气体相连,第二入口经由所述第二输气管道的第三分支与所述第二工艺气体相连
。3.
根据权利要求2所述的气体分配装置,其特征在于:所述第一缓冲部包括第一容置腔,所述第一容置腔被配置为:出口与所述第一气体分配区域连通,第一入口经由所述第一输气管道的第二分支与所述第一工艺气体相连,第二入口经由所述第二输气管道的第二分支与所述第二工艺气体相连;所述第二缓冲部包括第二容置腔,所述第二容置腔被配置为:出口与所述第二气体分配区域连通,第一入口经由所述第一输气管道的第三分支与所述第一工艺气体相连,第二入口经由所述第二输气管道的第三分支与所述第二工艺气体相连;所述第一输气管道的第二分支和所述第一输气管道的第三分支的入口连接到分流器
。4.
根据权利要求2所述的气体分配装置,其特征在于:所述第一输气管道的第一分支和所述第二输气管道的第一分支直接与所述中部气体分配区域相连;所述第一输气管道的第一分支的入口连接到分流器
。5.
根据权利要求1‑4任一项所述的气体分配装置,其特征在于,还包括:若干个温控部,与所述缓冲部对应设置,且与所述控制器电连接,用于根据接收的所述控制器的温度控制信号,调节对应的所述缓冲部内气体温度
。6.
根据权利要求5所述的气体分配装置,其特征在于,所述温度控制信号包括第一温度控制信号
、
第二温度控制信号;所述温控部包括:第一加热部,与所述控制器电连接,用于根据接收的所述第一温度控制信号调节第一缓冲部内气体温度;第二加热部,与所述控制器电连接,用于根据接收的所述第二温度控制信号调节第二
缓冲部内气体温度
。7.
根据权利要求6所述的气体分配装置,其特征在于:所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:齐博岳,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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