提供了一种用于处理基底的设备和一种半导体制造设备，所述用于处理基底的设备包括：处理腔室，配置为提供处理空间；流体供应装置，配置为向所述处理腔室供应超临界流体；流体排放装置，配置为从所述处理腔室排放所述超临界流体；以及控制装置，配置为控制所述流体供应装置和所述流体排放装置的操作，其中，所述流体供应装置包括连接到所述处理腔室的上部部分的第一供应管线和连接到所述处理腔室的下部部分的第二供应管线，并且所述控制装置配置为执行多个第一循环，在所述多个第一循环中，所述超临界流体经由所述第一供应管线和所述第二供应管线交替地供应到所述处理空间中，以将所述处理空间中的压力升高到设定的压力。将所述处理空间中的压力升高到设定的压力。将所述处理空间中的压力升高到设定的压力。
【技术实现步骤摘要】
用于处理基底的设备和半导体制造设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于2022年5月16日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0059817号韩国专利申请，并要求该韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用的方式整体并入本文中。
[0003]本公开涉及一种用于处理基底的设备以及一种包括用于处理基底的设备的半导体制造设备。更具体地，本公开涉及一种其中可以防止由于残余物造成的污染并可以防止图案的坍塌的用于处理基底的设备，以及一种包括用于处理基底的设备的半导体制造设备。
技术介绍
[0004]随着半导体装置小型化的需求，已经提出了一种具有非常短的波长(大约13.5nm)的极紫外光(EUV)光刻方法。通过使用EUV光刻，可以形成具有小水平尺寸和高纵横比的光致抗蚀剂图案。同时，为了防止光致抗蚀剂图案在形成精细光致抗蚀剂图案的工艺中坍塌，已经提出了一种使用超临界流体的工艺，但是在半导体装置的制造工艺期间，基底可能被残余物污染。
技术实现思路
[0005]提供了一种其中可以防止由于残余物造成的污染并且可以防止图案的坍塌的用于处理基底的设备，以及一种包括用于处理基底的设备的半导体制造设备。
[0006]附加的方面将部分地在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中将是显而易见的，或者可以通过本公开的所呈现的实施例的实践获知。
[0007]根据本公开的方面，一种用于处理基底的设备包括：处理腔室，配置为提供处理空间，在处理空间中将处理基底；流体供应装置，配置为向处理腔室供应超临界流体；流体排放装置，配置为从处理腔室排放超临界流体；以及控制装置，配置为控制流体供应装置和流体排放装置的操作，其中，流体供应装置包括连接到处理腔室的上部部分的第一供应管线和连接到处理腔室的下部部分的第二供应管线，并且控制装置配置为执行多个第一循环，在多个第一循环中，超临界流体经由第一供应管线和第二供应管线交替地供应到处理空间中，以将处理空间中的压力升高到设定的压力。
[0008]设定的压力可以为80巴至150巴。
[0009]控制装置可以配置为交替地经由第一供应管线供应超临界流体持续第一时间和经由第二供应管线供应超临界流体持续第二时间，并且第一时间和第二时间可以独立地选自1秒至10秒的范围。
[0010]第一时间和第二时间可以是相同的。
[0011]控制装置还可以配置为在第一供应管线之前经由第二供应管线供应超临界流体。
[0012]第一循环可以被执行8次至16次。
[0013]控制装置还可以配置为在执行第一循环之后执行第二循环，在第二循环中，处理空间中的压力交替地减小和增加。
[0014]第二循环被执行1次至32次。
[0015]当执行第二循环时，在处理空间中产生的压力差可以选自5巴至75巴的范围。
[0016]第二循环可以以超临界流体经由第一供应管线交替地供应并且超临界流体经由流体排放装置排放的方式执行。
[0017]控制装置还可以配置为在执行第二循环之后，经由流体排放装置从处理腔室排放超临界流体。
[0018]根据本公开的另一方面，一种半导体制造设备包括：第一腔室模块，配置为将光致抗蚀剂涂覆到基底上；第二腔室模块，配置为烘烤基底上的光致抗蚀剂；第三腔室模块，配置为将极紫外光(EUV)经由曝光掩模照射到基底上的光致抗蚀剂上；第四腔室模块，配置为将显影溶液提供到曝光后的光致抗蚀剂；第五腔室模块，配置为将超临界流体供应到涂覆有被提供了显影溶液的光致抗蚀剂的基底；以及基底传送装置，配置为在第一腔室模块至第五腔室模块之间传送基底，其中，第五腔室模块包括：处理腔室，配置为提供处理空间，在处理空间中将处理基底；流体供应装置，配置为向处理腔室供应超临界流体；流体排放装置，配置为从处理腔室排放超临界流体；以及控制装置，配置为控制流体供应装置和流体排放装置的操作，并且流体供应装置包括连接到处理腔室的上部部分的第一供应管线和连接到处理腔室的下部部分的第二供应管线，并且控制装置配置为执行多个第一循环，在多个第一循环中，超临界流体经由第一供应管线和第二供应管线交替地供应到处理空间中，以将处理空间中的压力升高到设定的压力。
[0019]超临界流体可以是二氧化碳，并且显影溶液可以是负色调显影溶液。
[0020]控制装置还可以配置为在执行第一循环之后执行第二循环1次至32次，在第二循环中，处理空间中的压力交替地减小和增加。
[0021]当执行第二循环时，在处理空间中产生的压力差可以选自5巴至75巴的范围。
[0022]当经由第一供应管线供应超临界流体时，处理空间中的压力可以增加，并且当经由流体排放装置排放超临界流体时，处理空间中的压力可以减小。
[0023]根据本公开的另一方面，一种用于处理基底的设备包括：处理腔室，配置为提供处理空间，在处理空间中将处理基底，其中，基底包括暴露在极紫外光(EUV)中的EUV光致抗蚀剂层和用于显影EUV光致抗蚀剂层的显影溶液；基底支撑件，配置为支撑装载到处理腔室中的基底；流体供应装置，配置为向处理腔室供应超临界流体；流体排放装置，配置为从处理腔室排放超临界流体；以及控制装置，配置为控制流体供应装置和流体排放装置的操作，并且其中，流体供应装置包括连接到处理腔室的上部部分的第一供应管线和连接到处理腔室的下部部分的第二供应管线，并且控制装置配置为执行多个第一循环，在多个第一循环中，超临界流体经由第一供应管线和第二供应管线交替地供应到处理空间中，以将处理空间中的压力升高到设定的压力。
[0024]控制装置还可以配置为交替地经由第一供应管线供应超临界流体持续第一时间和经由第二供应管线供应超临界流体持续第二时间，并且第一时间和第二时间可以独立地选自1秒至10秒的范围并且可以是相同的。
[0025]控制装置还可以配置为在执行第一循环之后执行第二循环，在第二循环中，处理空间中的压力交替地减小和增加，并且当经由第一供应管线供应超临界流体时，处理空间中的压力可以增加，并且当经由流体排放装置排放超临界流体时，处理空间中的压力可以减小。
[0026]第二循环可以执行1次至32次。
附图说明
[0027]结合附图从以下的描述中，本公开的特定实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：
[0028]图1是示出根据实施例的半导体制造设备的平面图；
[0029]图2是示意性示出根据实施例的第五腔室模块的截面图；
[0030]图3是示出根据实施例的供应和排放超临界流体以清洁、去除和干燥基底上的显影溶液的方法的示意性图表；以及
[0031]图4A至图4C是示出了根据超临界流体的供应的在基底上的显影溶液的形状的视图。
具体实施方式
[0032]现在将详细参考实施例，在附图中示出实施例的示例，在附图中，同样的附图标记始终指示同样的元件。就此而言，本实施例可以具有不同的形式并且不应当本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于处理基底的设备，所述设备包括：处理腔室，配置为提供处理空间，在所述处理空间中将处理基底；流体供应装置，配置为向所述处理腔室供应超临界流体；流体排放装置，配置为从所述处理腔室排放所述超临界流体；以及控制装置，配置为控制所述流体供应装置和所述流体排放装置的操作，其中，所述流体供应装置包括连接到所述处理腔室的上部部分的第一供应管线和连接到所述处理腔室的下部部分的第二供应管线，并且所述控制装置配置为执行多个第一循环，在所述多个第一循环中，所述超临界流体经由所述第一供应管线和所述第二供应管线交替地供应到所述处理空间中，以将所述处理空间中的压力升高到设定的压力。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述设定的压力为80巴至150巴。3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述控制装置还配置为交替地经由所述第一供应管线供应所述超临界流体持续第一时间和经由所述第二供应管线供应所述超临界流体持续第二时间，并且所述第一时间和所述第二时间独立地选自1秒至10秒的范围。4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述第一时间和所述第二时间是相同的。5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述控制装置还配置为在所述第一供应管线之前经由所述第二供应管线供应所述超临界流体。6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多个第一循环被执行8次至16次。7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述控制装置还配置为在执行所述第一循环之后执行第二循环，在所述第二循环中，所述处理空间中的所述压力交替地减小和增加。8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述第二循环被执行1次至32次。9.根据权利要求7所述的设备，其中，通过执行所述第二循环，在所述处理空间中产生的压力差选自5巴至75巴的范围。10.根据权利要求7所述的设备，其中，所述第二循环以所述超临界流体经由所述第一供应管线交替地供应并且所述超临界流体经由所述流体排放装置排放的方式执行。11.根据权利要求7所述的设备，其中，所述控制装置还配置为在执行所述第二循环之后，经由所述流体排放装置从所述处理腔室排放所述超临界流体。12.一种半导体制造设备，包括：第一腔室模块，配置为将光致抗蚀剂涂覆到基底上；第二腔室模块，配置为烘烤所述基底上的所述光致抗蚀剂；第三腔室模块，配置为将极紫外光(EUV)经由曝光掩模照射到所述基底上的所述光致抗蚀剂上；第四腔室模块，配置为将显影溶液提供到曝光后的所述光致抗蚀剂；第五腔室模块，配置为将超临界流体供应到涂覆有被提供了所述显影溶液的所述光致抗蚀剂的所述基底；以及基底传送装置，配置为在所述第一腔室模块至所述第五腔室模块之间传送所述基底，其中，所述第五腔室模块包括：处理腔室，配置为提供处理空间，在所述处理空间中将处理基底；流体供应装置，配置为向所述处理腔室供应超临界流体；流体排放装置，配置为从所述处...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔海圆，A，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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