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提供了一种用于处理基底的设备和一种半导体制造设备，所述用于处理基底的设备包括：处理腔室，配置为提供处理空间；流体供应装置，配置为向所述处理腔室供应超临界流体；流体排放装置，配置为从所述处理腔室排放所述超临界流体；以及控制装置，配置为控制所述...
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