【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种根据权利要求1前序部分的半导体模块。
技术介绍
例如由DE 10 2004 021 927 Al公知一种如下的半导体模块。在此,用电绝缘的 浇铸料将与衬底连接的半导体元件包铸(umgieii en)。由此,半导体元件和半导体元件的连 接部被保护免于与灰尘或者湿气相接触。已知的、例如基于硅制备而成的浇铸料具有0. 2至0. 3ff/mK的相对低的热导率λ。 在半导体元件运行时产生的热量散发效果相对不良。这限制了半导体模块的功率。
技术实现思路
本专利技术的任务在于,消除现有技术的缺点。尤其应当提供具有改善的散热能力的 半导体模块。根据本专利技术的另一目标应提高半导体模块的功率。本专利技术的任务通过权利要求1的特征来解决。本专利技术的适当构造方案由权利要求 2至9的特征得出。根据本专利技术的措施而设置为浇铸料具有由陶瓷前驱体聚合物形成的基质 (Matrix) 0这种浇铸料是电绝缘的。该浇铸料具有出色的热导率λ。所提出的浇铸料的另 一个优点是该浇铸料的很高的温度耐受能力,该浇铸料承受得住高达300°C的工作温度。在本专利技术的范围内,“衬底”这一概念被 ...
【技术保护点】
半导体模块,特别是功率半导体模块,其中,与衬底(1)连接的半导体元件(2)被以电绝缘浇铸料(4)包铸,其特征在于,所述浇铸料(4)具有由陶瓷前驱体聚合物形成的基质。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:克里斯蒂安约布尔,海科布拉姆尔,乌尔里希赫尔曼,托比亚斯非,
申请(专利权)人:赛米控电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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