用于光半导体封装的片制造技术

本发明专利技术涉及用于光半导体封装的片，其具有剥离片和层压在剥离片上的封装树脂层，其中所述剥离片在与所述封装树脂层界面处包含具有凹形状和／或凸形状的凹凸部形成层，并且所述封装树脂层在与所述剥离片的界面处具有与所述剥离片的凹形状嵌合的凸形状和／或与所述剥离片的凸形状嵌合的凹形状。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于光半导体封装的片。更具体地，本专利技术涉及用于封装发光元件如 发光二极管或半导体激光器的封装体(package)，并且涉及用于光半导体封装的片，该片易 于安装并且可在其表面上形成凹凸形状，以及用所述片封装的光半导体装置。
技术介绍
替代白炽灯和荧光灯的光半导体发光装置(发光二极管)得到广泛应用。该发光 装置具有包括发光元件和位于该元件上的半透明封装树脂的结构，并且输出通过该半透明 封装树脂的光。通过散射，从发光元件发出的光按其原样通过半透明封装树脂，而当光以临界角 以上的入射角到达半透明封装树脂的表面时，其被完全反射而被树脂吸收，从而导致发光 装置的亮度相应降低。关于此，JP-A-11-204840公开了使封装树脂表面位于发光元件上的部分平滑并且 使剩余部分粗糙化的技术，从而输出光，而与临界角无关。在JP-A-2005-166941的发光装置中，使用形成有凹凸部的金属基底作为模具，形 成半透明材料，以在该半透明材料的表面上形成具有近似棱锥形状或近似圆锥形状的凹凸 部，从而提高光提取效率。JP-A-2007-110053公开了由多个树脂层构成的光半导体，其中至少一个树脂层是 形成有凹凸部的凹凸形状层，并且将该凹凸形状层进行层压以便成为其它树脂层之间的界面。
技术实现思路
在将发光元件封装之后，通过使用其中预先形成凹凸形状的模具，将 JP-A-11-204840和JP-A-2005-166941中封装树脂层表面的凹凸形状转印成形。一般模具 是金属材料并具有平面结构。此外，根据发光元件或安装有发光元件的装置的形状，形成封 装树脂层，使得其在许多情形下不具有平坦表面。因此，封装后在树脂层上不易于形成凹凸 形状，并且模具的凹凸形状没有按原样被转印，从而还导致复杂的过程。此外，在封装树脂层上形成凹凸形状后，安装发光装置。在该情形下，凹凸形状处 于暴露状态，使得在安装操作期间表面被刮伤或失去凹凸形状，从而不能保持模具的凹凸 形状，因而降低光提取效率。JP-A-2007-110053中所示的用于光半导体封装的片能够提高封装树脂层中的反 射效率。然而，所述片与空气接触的界面是平的，使得临界角由于与空气反射率的差异而受 到限制，从而导致由菲涅耳反射引起的内反射，从而不能获得足够的光提取效率。本专利技术的目的是提供具有优异光提取效率的用于光半导体封装的片，和用该片封 装的光半导体装置。此外，本专利技术的另一个目的是提供用于光半导体封装的片，其中模具的 凹凸形状令人满意地得到转印并且在封装加工后还保持所述凹凸形状，以及用该片封装的光半导体装置。此外，本专利技术的又一个目的是提供具有优异的光提取效率的用于光半导体 封装的片，其中剥离片和封装树脂层的凹凸形状彼此嵌合，在它们之间没有空隙，在封装加 工后还保持所述凹凸形状，以及用该片封装的光半导体装置。换言之，本专利技术涉及以下(1) (6)。(1)用于光半导体封装的片，包含剥离片和层压在剥离片上的封装树脂层，其中所述剥离片在与所述封装树脂层的界面处包含具有凹形状和/或凸形状的 凹凸部形成层，并且所述封装树脂层在与所述剥离片的界面处具有与所述剥离片的凹形状 嵌合的凸形状和/或与所述剥离片凸形状嵌合的凹形状。(2)根据(1)的用于光半导体封装的片，其中所述剥离片在150°C下具有10 1, OOOMPa的储能模量，且在150°C下具有5. 00%以下的片伸长率。(3)根据(1)的用于光半导体封装的片，其中所述封装树脂层包含具有与所述剥 离片的凹形状嵌合的凸形状和/或与所述剥离片的凸形状嵌合的凹形状的凹凸部形成层； 以及能够包埋光半导体元件的元件包埋层，其中所述封装树脂层的凹凸部形成层在20°C下具有6 1，500MPa的储能模量；(4)根据⑴ (3)中任一项的用于光半导体封装的片，其中所述封装树脂层中凸 形状的凸部的高度和/或凹形状的凹部的深度为IOOnm 10 μ m。(5)根据⑴ (4)中任一项的用于光半导体封装的片，其中所述剥离片还包含支承层。(6) 一种光半导体装置，其中，通过将根据(1) (5)中任一项的用于光半导体 封装的片以封装树脂层面向基底的方式层压至安装有光半导体元件的基底上；进行加压成 形；然后将剥离片剥离，从而在表面上形成凸形状和/或凹形状。本专利技术用于光半导体封装的片取得了光提取效率优异的优异效果。此外，根据本 专利技术用于光半导体封装的片，模具的凹凸形状令人满意地得到转印，并且该凹凸形状在封 装加工后还得到保持。因此，其取得了光提取效率优异的优异效果。此外，根据本专利技术用于 光半导体封装的片，剥离片和封装树脂层的凹凸形状彼此嵌合，在它们之间没有空隙，并且 该凹凸形状在封装加工后还得到保持，从而使其获得光提取效率优异的优异效果。附图说明图1是显示在剥离片(具有单层结构)上形成凹部的一个实施方案的图。左边的 图显示了凹部形成之前的状态，中间的图显示了模具转印时的状态，右边的图显示了凹部 形成之后的状态。图2是显示在剥离片(具有多层结构)上形成凹部的一个实施方案的图。左边的 图显示了凹部形成之前的状态，中间的图显示了模具转印时的状态，右边的图显示了凹部 形成之后的状态。图3是显示用本专利技术实施例的用于光半导体封装的片封装光半导体元件的一个 实施方案的图。左边的图显示了封装之前的状态，中间的图显示了压缩成形时的状态，右边 的图显示了封装之后的状态。图4是显示用比较例的用于光半导体封装的片封装光半导体元件的一个实施方 案的图。左边的图显示了封装之前的状态，中间的图显示了压缩成形时的状态，右边的图显示了封装之后的状态。 图5是显示在剥离片上形成封装树脂层的一个实施方案的图。左边的图显示了 正在施用用于构建凹部形成层的树脂溶液的状态，中间的图显示了已形成凹部形成层的状 态，右边的图显示了形成元件包埋层之后的状态。图6是显示在剥离片上形成封装树脂层的另一个实施方案的图。左边的图显示了 将凹部形成层进行层压之前的状态，中间的图显示了已形成凹部形成层的状态，右边的图 显示了形成元件包埋层之后的状态。图7是显示用本专利技术实施例的用于光半导体封装的片封装光半导体元件的一个 实施方案的图。左边的图显示了封装之前的状态，中间的图显示了压缩成形时的状态，右边 的图显示了封装之后的状态。图8是显示在本专利技术实施例的用于光半导体封装的片中封装树脂层凹凸形状的 一个实施方案的图。图9是显示在比较例的用于光半导体封装的片中封装树脂层凹凸形状的一个实 施方案的图。附图标记说明1-1用于在剥离片上形成凹部的模具1-2剥离片的凹部形成层1-3剥离片的支承层1剥离片2-1封装树脂层的凹凸部形成层2-2封装树脂层的元件包埋层2封装树脂层3光半导体元件4 基底5用于压缩成形的模具 具体实施例方式本专利技术用于光半导体封装的片包含剥离片和层压在剥离片上的封装树脂层，其中 所述剥离片在与所述封装树脂层的界面处包含具有凹形状和/或凸形状的凹凸部形成层， 所述封装树脂层在与所述剥离片的界面处具有与该剥离片凹形状嵌合的凸形状和/或与 该剥离片凸形状嵌合的凹形状。下文将更具体地描述本专利技术用于光半导体封装的片的结 构。在剥离片和封装树脂层之间的界面处，封装树脂层的凸形状与剥离片的凹形状嵌合， 和/或封装树脂层的凹形状与剥离片的凸形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光半导体封装的片，包含剥离片和层压在剥离片上的封装树脂层，其中所述剥离片在与所述封装树脂层的界面处包含具有凹形状和／或凸形状的凹凸部形成层，并且所述封装树脂层在与所述剥离片的界面处具有与所述剥离片的凹形状嵌合的凸形状和／或与所述剥离片的凸形状嵌合的凹形状。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：末广一郎，藤冈和也，松田广和，赤泽光治，木村龙一，薄井英之，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]