本发明专利技术提供一种半导体装置，即使水滴附着于引线框架也能够防止发生短路。布线保护部(35)包裹第一、第二引线框架(51、52)的一部分，并具备供第一、第二引线框架(51、52)突出的包裹面(35a)。包裹面(35a)与半导体芯片平行，并且在第一、第二引线框架(51、52)之间包括相对于包裹面(35a)突出的止水部(36)。在该情况下，即使顺着第一、第二引线框架(51、52)流动的水滴到达包裹面(35a)，在包裹面(35a)上水滴向对置的第一、第二引线框架(51、52)侧的移动被止水部(36)妨碍。因此，能够防止第一、第二引线框架(51、52)的短路，抑制半导体装置的可靠性的降低。降低。降低。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
[0002]半导体装置包括功率器件，例如被用作构成逆变器的电力转换装置。功率器件例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。半导体装置包括半导体芯片和多个绝缘电路基板，该半导体芯片包括功率器件。此外，半导体装置还包括与半导体芯片电连接的多个引线框架。主电流用的两个引线框架(主电流端子)的一部分被树脂包裹。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献1：国际公开第2021/029150号
技术实现思路
[0005]技术问题
[0006]根据利用环境，在这样的半导体装置会产生结露。特别是，若一部分被树脂包裹的两个引线框架发生结露，则因结露而产生的水滴顺着各引线框架流动。此时，水滴分别在包裹两个引线框架的一部分的树脂的包裹面流动，若流动的水滴在该包裹面上汇合，则两个引线框架会短路(short)。因此，发生故障，导致半导体装置的可靠性降低。
[0007]本专利技术是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于提供一种即使水滴附着于引线框架(主电流端子)也能够防止发生短路的半导体装置。
[0008]技术方案
[0009]根据本专利技术的一个观点，提供一种半导体装置，其包括：第一半导体芯片和第二半导体芯片；以及布线单元，其具有第一主电流端子、第二主电流端子以及布线保护部，所述第一主电流端子的第一下端部与所述第一半导体芯片电连接，所述第二主电流端子的第二下端部与所述第二半导体芯片电连接，所述布线保护部一并包裹所述第一主电流端子的一部分和所述第二主电流端子的一部分，并具备供所述第一主电流端子和所述第二主电流端子突出的包裹面，所述包裹面与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片平行，并且在所述第一主电流端子和所述第二主电流端子之间包括相对于所述包裹面突出的止水部。
[0010]专利技术效果
[0011]根据公开的技术，即使水滴附着于引线框架(主电流端子)，也能够防止短路的发生，能够预防半导体装置的破损，并能够抑制半导体装置的可靠性的降低。
附图说明
[0012]图1是第一实施方式的半导体装置的外观图。
[0013]图2是第一实施方式的半导体装置所包含的壳体的俯视图。
[0014]图3是第一实施方式的半导体装置的截面图。
[0015]图4是第一实施方式的半导体装置所包含的半导体单元的俯视图。
[0016]图5是第一实施方式的半导体装置所包含的引线框架的立体图。
[0017]图6是第一实施方式的半导体装置所包含的布线单元的截面图。
[0018]图7是第一实施方式的半导体装置所包含的布线单元的俯视图。
[0019]图8是参考例的半导体装置所包含的布线单元的截面图。
[0020]图9是第一实施方式(变形例1
‑
1)的半导体装置所包含的布线单元的截面图。
[0021]图10是第一实施方式(变形例1
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1)的半导体装置所包含的布线单元的俯视图。
[0022]图11是第一实施方式(变形例1
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2)的半导体装置所包含的布线单元的截面图。
[0023]图12是第一实施方式(变形例1
‑
2)的半导体装置所包含的布线单元的俯视图。
[0024]图13是第一实施方式(变形例1
‑
3)的半导体装置所包含的布线单元的截面图。
[0025]图14是第一实施方式(变形例1
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3)的半导体装置所包含的布线单元的俯视图。
[0026]图15是第二实施方式的半导体装置所包含的布线单元的截面图。
[0027]图16是第二实施方式的半导体装置所包含的布线单元的俯视图。
[0028]图17是第二实施方式(变形例2
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1)的半导体装置所包含的布线单元的截面图。
[0029]图18是第二实施方式(变形例2
‑
1)的半导体装置所包含的布线单元的俯视图。
[0030]符号说明
[0031]1：半导体装置
[0032]2a、2b：半导体单元
[0033]3：壳体
[0034]3a～3d：侧壁
[0035]4：盖
[0036]5：紧固孔
[0037]6：布线单元
[0038]10a、10b：绝缘电路基板
[0039]11a、11b：绝缘板
[0040]11a1、11a3、11b1、11b3：长边
[0041]11a2、11a4、11b2、11b4：短边
[0042]12a、12b：金属板
[0043]13a1～13a3、13b1～13b4：布线板
[0044]14a1～14a4、14b1～14b4、14c1、14c2：导线
[0045]15a、15b、16a、16b：半导体芯片
[0046]17：散热基底板
[0047]31：收纳区域
[0048]31a～31d：内壁
[0049]32a、32b：端子口
[0050]33a、33b、33c：纵梁
[0051]33a1、33c1：端子包裹部
[0052]34a、34b、34c：横梁
[0053]35：布线保护部
[0054]35a：包裹面
[0055]35a1：中间面
[0056]35a2：第一端面
[0057]35a3：第二端面
[0058]35b：前表面
[0059]35c：背面
[0060]35d：底面
[0061]35e：后表面
[0062]35f、35g：侧面
[0063]36：止水部
[0064]36a：凹陷
[0065]36a1：侧部
[0066]40：盖主体
[0067]41a、41b、41c：端子台
[0068]41a1、41b1、41c1：螺纹孔
[0069]51：第一引线框架
[0070]51a：第一水平部
[0071]51b：第一垂直部
[0072]51c：第一弯曲部
[0073]51d：第一腿部
[0074]51e：第一外部连接部
[0075]51f：连结部
[0076]52：第二引线框架
[0077]52a：第二水平部
[0078]52b：第二垂直部
[0079]52c：第二弯曲部
[0080]52d：第二腿部
[0081]52e：第二外部连接部
[0082]53：第三引线框架
[0083]54、55：控制端本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一半导体芯片和第二半导体芯片；以及布线单元，其具有第一主电流端子、第二主电流端子以及布线保护部，所述第一主电流端子的第一下端部与所述第一半导体芯片电连接，所述第二主电流端子的第二下端部与所述第二半导体芯片电连接，所述布线保护部一并包裹所述第一主电流端子的一部分和所述第二主电流端子的一部分，并具备供所述第一主电流端子和所述第二主电流端子突出的包裹面，所述包裹面与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片平行，并且在所述第一主电流端子和所述第二主电流端子之间包括相对于所述包裹面突出的止水部。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从所述包裹面突出的所述第一主电流端子和所述第二主电流端子在俯视时对置。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一主电流端子和所述第二主电流端子的从所述包裹面突出的部分呈柱状。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一主电流端子和所述第二主电流端子的从所述包裹面突出的部分呈平板状，且各自的平板面对置。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述止水部与所述第一主电流端子和所述第二主电流端子的宽度方向平行，且沿所述宽度方向横穿所述包裹面。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述止水部形成于...
【专利技术属性】
技术研发人员：丸山力宏，小田佳典，原田孝仁，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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