本发明专利技术提供了一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构，属于半导体封装技术领域。该发明专利技术包括封装基板、封装盖板和半导体芯片，所述封装基板上设有限位槽和安装槽，所述封装基板侧壁固定连接有引脚整流桥；通过封装模块、抗干扰模块、压敏电阻器、电动伸缩杆和防尘膜之间的配合使用，当封装盖板与基板进行扣合时，压力块会对固定套筒内的密封胶进行挤压，密封胶会在气压的作用下由喷口喷向限位槽，这就实现了对芯片的自动密封，无需额外注胶处理，较为方便；此外，通风口和防尘膜的设置可以有效隔尘的同时也可以更好地传递半导体芯片产生的积热，当压敏电阻器感应到电压超出预设范围时，可通过控制电动伸缩杆降低屏蔽罩来保护敏感元件的正常工作。感元件的正常工作。感元件的正常工作。
【技术实现步骤摘要】
一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构
[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体而言，涉及一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构。
技术介绍
[0002]引脚整流桥是一种常见的电子元件，用于将交流电转换为直流电。它通常由四个半导体器件（二极管或晶体管）组成，通过适当的连接方式，可以实现电流的单向流动。这种结构可以有效地将交流电信号转换为直流电信号，并且具有抗干扰的特性。为了提高引脚整流桥的抗干扰能力，半导体封装结构起着重要的作用。半导体器件通常需要进行封装，以保护其内部结构，并提供适当的引脚连接。
[0003]现有半导体封装结构常常通过扣合方式来将封装盖板与封装底座进行平面叠加，封装盖板与封装底座之间的连接不够牢固，需要额外进行注胶处理，以实现内部密封，较为麻烦，在保证散热的前提下，无法有效的对灰尘进行有效遮挡，由外部进入到封装腔内的灰尘会积累在半导体的外壁，影响半导体元件正常工作的同时会增加其散热压力；此外，现有的半导体封装结构无法根据外部电压的变化对敏感处引脚进行屏蔽处理，如果引脚用于传输高速数字信号或高频模拟信号，由于高频信号具有更高的频率和更短的周期，引脚上的电压会随着信号的变化迅速而剧烈地变化，当某些引脚可能连接到对电压变化较为敏感的元件或传感器上，如放大器、传感器、模拟输入等，在这些应用中，即使微小的电压变化也可能导致较大的信号漂移或误差，引脚敏感性的增加可能导致电路或系统的可靠性下降。
[0004]如何专利技术一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构来改善这些问题，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]为了弥补以上不足，本专利技术提供了一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构，旨在改善现有装置封装需要额外注胶、无法散热防尘和当电压变化时无法对敏感处引脚进行屏蔽的问题。
[0006]本专利技术是这样实现的：本专利技术提供一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构，包括封装基板、封装盖板和半导体芯片，所述封装基板上设有限位槽和安装槽，所述封装基板侧壁固定连接有引脚整流桥，所述封装基板上设有压敏电阻器，其特征在于，还包括：散热模块，所述散热模块设置于封装盖板上端，加大了与外界的接触面积，且增加了热量传递时间，提高了对半导体芯片的散热效率；封装模块，所述封装模块设置在封装盖板下端面四周，用于实现对半导体芯片的自动密封；抗干扰模块，所述抗干扰模块设置于封装盖板两侧，所述抗干扰模块用于减少周围环境和其他设备对装置的干扰，保护敏感元件的正常工作。
[0007]优选的，所述封装模块包括封装盖板下侧壁固定连接的固定套筒，所述封装盖板与固定套筒内部均设有安装孔，位于封装盖板上的所述安装孔内设有限位卡槽，所述安装孔内滑动连接有压力块，位于所述封装盖板内部的所述压力块侧壁固定连接有限位卡块，所述限位卡块与限位卡槽滑动连接，所述固定套筒内壁底部固定连接有连接弹簧，位于固定套筒内部的所述压力块端部固定连接有增压块，所述增压块下壁与连接弹簧固定连接。
[0008]通过采用上述技术方案，能够保证对半导体芯片进行自动密封。
[0009]优选的，所述抗干扰模块包括连接板和连接板上侧壁固定连接的电动伸缩杆，所述连接板外侧壁设有滑动槽，所述滑动槽内滑动连接有连接滑块，所述连接滑块侧壁固定连接有屏蔽罩，所述电动伸缩杆输出端与屏蔽罩上壁固定连接，位于封装盖板上侧的所述压力块端部固定连接有连接套环，所述连接套环侧壁与连接板固定连接。
[0010]通过采用上述技术方案，能够减少周围环境和其他设备对装置的干扰，保护敏感元件的正常工作优选的，所述散热模块包括封装盖板上设有的通风口，多个所述通风口上均设有防尘膜，所述封装盖板内壁设有与半导体芯片对应的安装腔。
[0011]通过采用上述技术方案，可以保证装置在散热的同时兼顾防尘效果，还可以提高封装盖板与封装基板之间的密封性。
[0012]优选的，所述安装槽与半导体芯片适配，所述固定套筒的长度与限位槽的深度相等，所述半导体芯片上侧壁与安装腔相抵，所述半导体芯片上的接点与引脚整流桥之间通过导线连接，所述压敏电阻器与电动伸缩杆控制器和引脚整流桥之间通过电信号相连，所述压敏电阻器选用SMD塑封型贴片压敏电阻，所选型号为7S561K
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[0013]通过采用上述技术方案，可以通过压敏电阻器来控制电动伸缩杆运动进而实现对屏蔽罩的升降处理。
[0014]优选的，所述固定套筒与压力块之间密封设置，所述固定套筒内部设有密封胶，所述固定套筒内壁贯通设有喷口，所述喷口为压力式设置。
[0015]通过采用上述技术方案，可以保证装置的密封性和密封胶的自动挤出。
[0016]优选的，所述通风口为梯形体状设置，所述通风口端部贯穿于封装盖板下壁，多个所述通风口沿封装盖板边缘等距分布，多个所述喷口绕固定套筒圆心呈中心对称分布。
[0017]通过采用上述技术方案，提高了装置的密封可靠性的同时保证了散热均匀。
[0018]优选的，初始状态下的所述屏蔽罩下端位于封装盖板下壁上方，所述连接板为L形设置，所述屏蔽罩为TT形设置，所述屏蔽罩为镀锡铜材质设置，所述屏蔽罩的高度略大于封装基板的高度，所述防尘膜为多孔聚四氟乙烯材质设置。
[0019]通过采用上述技术方案，保证了可将引脚整流桥进行有效隔离，同时又加强了装置的通风防尘效果。
[0020]本专利技术的有益效果是：通过封装基板、安装槽和封装模块之间的配合使用，在对半导体芯片进行封装时，由于半导体芯片与安装槽适配且固定套筒的长度与限位槽的深度相等，半导体芯片上的接点与接线引脚之间可以通过安装槽内预留的导线进行有效连接，当封装盖板与封装基板进行扣合时，压力块会对固定套筒内的密封胶进行挤压，密封胶会在气压的作用下由喷口喷向限位槽，这就实现了对半导体芯片的自动密封，增强了连接稳定性的同时也避免了空气
中的杂质对芯片内部电路的腐蚀而造成电气性能下降的情况出现，无需额外注胶处理，较为方便；当压敏电阻器感应到电压超出预设范围时，控制系统可以接收到信号并触发电动伸缩杆的收缩或延伸动作，以实现对屏蔽罩的运动控制，在某些应用场景下，当压敏电阻器检测到异常的电压变化时，可以通过控制电动伸缩杆的动作来实现紧急停止或避免潜在的危险情况，通过降低屏蔽罩，可以将这些电磁辐射信号限制在屏蔽罩内部，减少其对周围环境和其他设备的干扰，保护敏感元件的正常工作；梯形体状设置的通风口加大了半导体芯片与外界的接触面积，且增加了热量传递时间，提高了对半导体芯片的散热效率，多孔设置的防尘膜可以透过空气和其他气体分子，由于孔径很小，灰尘和大部分颗粒难以渗透，达到隔尘过滤的效果，且PTFE本身具有很高的热导率，热量可以有效透过多孔膜，同时防尘膜具有的疏水、化学惰性和防粘性可以很好的适应工作环境，并赋予防渗和防鼓的能力。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构，包括封装基板（1）、封装盖板（2）和半导体芯片（12），所述封装基板（1）上设有限位槽（5）和安装槽（13），所述封装基板（1）侧壁固定连接有引脚整流桥（4），所述封装基板（1）上设有压敏电阻器（14），其特征在于，还包括：散热模块，所述散热模块设置于封装盖板（2）上端，加大了与外界的接触面积，且增加了热量传递时间，提高了对半导体芯片（12）的散热效率；封装模块，所述封装模块设置在封装盖板（2）下端面四周，用于实现对半导体芯片（12）的自动密封；抗干扰模块，所述抗干扰模块设置于封装盖板（2）两侧，所述抗干扰模块用于减少周围环境和其他设备对装置的干扰，保护敏感元件的正常工作。2.根据权利要求1所述的一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构，其特征在于，所述封装模块包括封装盖板（2）下侧壁固定连接的固定套筒（6），所述封装盖板（2）与固定套筒（6）内部均设有安装孔，位于封装盖板（2）上的所述安装孔内设有限位卡槽，所述安装孔内滑动连接有压力块（7），位于所述封装盖板（2）内部的所述压力块（7）侧壁固定连接有限位卡块（18），所述限位卡块（18）与限位卡槽滑动连接，所述固定套筒（6）内壁底部固定连接有连接弹簧（21），位于固定套筒（6）内部的所述压力块（7）端部固定连接有增压块（20），所述增压块（20）下壁与连接弹簧（21）固定连接。3.根据权利要求2所述的一种引脚整流桥抗干扰半导体封装结构，其特征在于，所述抗干扰模块包括连接板（9）和连接板（9）上侧壁固定连接的电动伸缩杆（10），所述连接板（9）外侧壁设有滑动槽（17），所述滑动槽（17）内滑动连接有连接滑块（16），所述连接滑块（16）侧壁固定连接有屏蔽罩（11），所述电动伸缩杆（10）输出端与屏蔽罩（11）上壁固定连接，位于封装盖板（2）上侧的所述压力块（7）端部固定...
【专利技术属性】
技术研发人员：王生辉，梁志明，王建国，方云，刘雪晴，孟晴，
申请(专利权)人：天津中宇通达半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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