半导体器件和制造方法技术

本公开涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：布置在相应的第一载体和第二载体上的第一半导体裸片和第二半导体裸片，第一半导体裸片和第二半导体裸片各自包括布置在相应半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在相应半导体裸片的底部主表面上的第三接触；第一裸片连接部分和第二裸片连接部分，布置在相应的第一载体和第二载体上，所述第一载体和第二载体连接到相应的第一半导体裸片和第二半导体裸片的第三接触；以及第一接触连接构件，从第一半导体裸片的第一接触延伸到第二载体的裸片连接部分，第一半导体裸片的第一接触与第二半导体裸片的第三接触电连接。导体裸片的第三接触电连接。导体裸片的第三接触电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和制造方法
[0001]本申请是申请号为2018112359776、申请日为2018年10月23日、专利技术名称为“半导体器件和制造方法”的专利申请的分案申请。


[0002]本公开涉及一种半导体器件和制造方法。具体地，本公开涉及一种半导体器件封装件和制造方法，其包括至少两个半导体裸片。

技术介绍

[0003]与两个单独的半导体器件相比，将两个半导体裸片集成到单个封装好的半导体器件中可以显著减小器件占用面积。半导体裸片可以是例如以半桥配置布置的晶体管。
[0004]例如在晶体管是场效应晶体管的情况下，在半桥配置中，必须使用外部连接件将第一MOSFET的源极连接到第二场效应晶体管的漏极，所述外部连接件通常设置在附接有晶体管的载体或印刷电路板上。该连接件可以产生感应回路，这可以减慢器件的切换。
[0005]布置在半桥中的两个单独的晶体管器件可以占用宝贵的电路板空间，并且从源极到漏极的连接件也可以引起大的感应回路并且可以减慢器件的切换。

技术实现思路

[0006]根据实施例，提供一种半导体器件，包括：第一半导体裸片和第二半导体裸片，其布置在相应的第一载体和第二载体上，所述第一半导体裸片和第二半导体裸片分别包括布置在相应的所述半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在相应的所述半导体裸片的底部主表面上的第三接触；第一裸片连接部分和第二裸片连接部分，其布置在相应的所述第一载体和第二载体上，所述第一载体和第二载体连接到相应的所述第一半导体裸片和第二半导体裸片的所述第三接触；以及第一接触连接构件，其从所述第一半导体裸片的所述第一接触延伸到第二载体的所述裸片连接部分，使得所述第一半导体裸片的所述第一接触电连接到所述第二半导体裸片的所述第三接触。
[0007]根据实施例，所述第一接触连接构件可以从所述第一半导体裸片的所述第一接触延伸，以形成所述半导体器件的外部引线。所述第一接触连接构件可以与所述半导体器件的外部引线一体形成。
[0008]可选地，第三连接构件可以从所述第二半导体裸片的所述第一接触延伸，以形成半导体器件的相应的外部引线。
[0009]可选地，至少一个连接部分可以从所述第一载体和第二载体中的每一个延伸，以形成所述半导体器件的相应的外部引线。
[0010]根据实施例，所述第一接触连接构件可以是引线夹，所述引线夹包括：第一部分，其用于连接至所述第一半导体裸片的所述第一接触；第二部分，其用于连接至第二载体的所述裸片连接部分；以及导电部分，其将所述第一部分和所述第二部分连接。所述导电部分可以相对于所述第一部分和所述第二部分升高。
[0011]根据实施例，所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片可以被布置为半桥电路。所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片可以是场效应晶体管，并且所述第一接触可以是源极接触；所述第二接触可以是栅极接触；以及所述第三接触可以是漏极接触。所述第一半导体裸片可以是高侧场效应晶体管，并且所述第二半导体裸片可以是低侧场效应晶体管。
[0012]根据实施例，所述第三接触连接构件可以是分叉的。
[0013]根据实施例，提供一种制造半导体器件的方法，包括：将第一半导体裸片和第二半导体裸片安装在相应的第一载体和第二载体上，所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片分别包括布置在相应的所述半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在相应的所述半导体裸片的底部主表面上的第三接触；将在相应的所述第一载体和第二载体上的第一裸片连接部分和第二裸片连接部分连接，所述第一载体和第二载体接到相应的所述第一半导体裸片和第二半导体裸片的所述第三接触；连接第一接触连接构件以从所述第一半导体裸片的所述第一接触延伸到第二载体的所述裸片连接部分，所述第一半导体裸片的所述第一接触与所述第二半导体裸片的所述第三接触电连接。
[0014]所述第一接触连接构件可以被连接为从所述第一半导体裸片的所述第一接触延伸，并且所述第一接触连接构件可以与所述半导体器件的外部引线一体形成。
[0015]所述第一接触连接构件和所述半导体器件的所述外部引线与夹式框架一体形成。
附图说明
[0016]在附图和以下描述中，相同的附图标记表示相同的特征。
[0017]在下文中仅参考附图通过示例进一步描述本专利技术，其中：
[0018]图1示出了根据实施例的半导体器件；
[0019]图2a示出了根据实施例的以半桥配置布置的半导体器件的平面图；
[0020]图2b示出了图2a的半桥配置的等效电路图；
[0021]图3a示出了连接构件的示例实施例；
[0022]图3b示出了连接构件的另一示例实施例；
[0023]图4a示出了半导体器件的外部引线布置的示例实施例；
[0024]图4b示出了半导体器件的外部引线布置的另一示例实施例，
[0025]图5a至图5j示出了根据实施例的用于制造半导体器件的处理流程；以及
[0026]图6示出了安装在框架上并连接到两个半导体裸片的夹式布置。
具体实施方式
[0027]在图1中示出根据实施例的半导体器件100。半导体器件100包括布置在第一载体106上的第一半导体裸片102和布置在第二载体108上的第二半导体裸片104。第一半导体裸片102和第二半导体裸片104可以分别包括布置在其顶部主表面上的第一器件接触110、112和第二器件接触114、116。第一半导体裸片102和第二半导体裸片104可以分别包括布置在其底部主表面上的第三器件接触118、120。第一半导体裸片102和第二半导体裸片104的顶部主表面与相应的底部主表面相对。半导体裸片102、104可以具有基本相同的尺寸。
[0028]第一半导体裸片102和第二半导体裸片104可以使用诸如粘合剂、导电粘合剂或焊
料的任何适当的方式固定地布置或安装在相应的第一载体106和第二载体108上，以允许第三器件接触118、120与相应的第一载体106和第二载体108之间的电连接。
[0029]载体106、108可以是由例如铜形成的导电载体，并且可以分别包括裸片附接或连接部分，例如适于将第一半导体裸片102和第二半导体裸片104固定地安装到相应载体106、108的裸片焊盘。
[0030]连接构件134可以布置为将第一半导体裸片102的第一器件接触110电连接到第二载体108。如上所述，第二半导体裸片104的第三接触120可以使用导电粘合剂或焊料而电连接到第二载体108，由于该电连接，第三电接触120将通过连接构件134电连接到第一半导体裸片102的第一器件接触110。
[0031]连接构件134可以通过诸如导电粘合剂或焊料或焊接的任何适当的方式在第一端处固定地附接到第二载体108。连接构件134可以通过诸如导电粘合剂或焊料的任何适当的方式在远离第一端的第二端处固定地附接到第一半导体裸片102的第一接触110。连接构件134在连接至第二载体108的第一端与连接至第一半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一半导体裸片和第二半导体裸片，其布置在相应的第一载体和第二载体上，所述第一半导体裸片包括布置在所述第一半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在所述第一半导体裸片的底部主表面上的第三接触；所述第二半导体裸片包括布置在所述第二半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在所述第二半导体裸片的底部主表面上的第三接触；第一裸片连接部分和第二裸片连接部分，其布置在所述第一载体和所述第二载体上，所述第一载体和所述第二载体分别连接到所述第一半导体裸片和第二半导体裸片的所述第三接触；以及第一接触连接构件，其从所述第一半导体裸片的所述第一接触延伸到第二载体的所述第二裸片连接部分，使得所述第一半导体裸片的所述第一接触电连接到所述第二半导体裸片的所述第三接触，所述第一接触连接构件包括：第一部分，其用于连接至所述第一半导体裸片的所述第一接触；第二部分，其用于连接至第二载体的所述第二裸片连接部分；以及导电部分，其将所述第一部分和所述第二部分连接，其中所述导电部分具有顶表面，所述顶表面相对于所述第一部分的顶表面和所述第二部分的顶面升高。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触连接构件从所述第一半导体裸片的所述第一接触延伸，以形成所述半导体器件的外部引线。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一接触连接构件与所述半导体器件的所述外部引线一体形成。4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括第二接触连接构件，所述第二接触连接构件从所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的相应的所述第二接触中的每一个延伸，以形成所述半导体器件的相应的外部引线。5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括第三接触连接构件，所述第三接触连接构件从所述第二半导体裸片的所述第一接触延伸，以形成所述半导体器件的相应的外部引线。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第三接触连接构件是分叉的。7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括至少一个连接部分，所述至少一个连接部分从所述第一载体和所述第二载体中的每一个延伸，以形成所述半导体器件的相应的外部引...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚当，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：