SPINAND闪存存储系统技术方案

本申请涉及半导体存储器技术领域，具体涉及一种SPI NAND闪存存储系统。SPI NAND闪存存储系统包括：NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和合封层；所述引线框架载体包括位于中部的载片区和位于所述载片区外周的引脚区，所述框架引脚区中设有多个框架引脚；所述NAND闪存芯片通过第一粘接层粘附在所述载片区的正面；所述SPI芯片通过第二粘接层粘附在所述NAND闪存芯片的正面；所述NAND闪存芯片通过多条第一引线连接所述SPI芯片，所述SPI芯片通过多条第二引线对应连接所述框架引脚；所述NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和第一引线、第二引线封装于所述合封层中。本申请提供的SPI NAND闪存存储系统，可以解决相关技术中数据的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
SPI NAND闪存存储系统


[0001]本申请涉及半导体存储器
，具体涉及一种SPI NAND闪存存储系统。

技术介绍

[0002]NAND闪存器件，以其低成本、容量大、改写速度快等性能优势，适用于大量数据的存储，在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
[0003]相关技术中NAND闪存裸片，其接口类型通常为并行接口，而该结构的NAND闪存在进行数据传输时各通道之间存在干扰，数据传输速度受限，并且由于该结构的NAND闪存具有较多的管脚，从而导致其与控制芯片合封后的产品面积较大，使得通信走线的长度和数量增加，进一步限制数据的传输速度。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种SPI NAND闪存存储系统，可以解决相关技术中数据的问题。
[0005]为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种SPI NAND闪存存储系统，所述SPI NAND闪存存储系统包括：NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和合封层；
[0006]所述引线框架载体包括位于中部的载片区和位于所述载片区外周的引脚区，所述框架引脚区中设有多个框架引脚；
[0007]所述NAND闪存芯片通过第一粘接层粘附在所述载片区的正面；
[0008]所述SPI芯片通过第二粘接层粘附在所述NAND闪存芯片的正面；
[0009]所述NAND闪存芯片通过多条第一引线连接所述SPI芯片，所述SPI芯片通过多条第二引线对应连接所述框架引脚；
[0010]所述NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和第一引线、第二引线封装于所述合封层中。
[0011]可选地，所述框架引脚包括焊接区，所述焊接区的一侧设有合封固定结构；
[0012]所述合封固定结构包括从所述焊接区的一侧延伸出的上固定片，以及与所述上固定片相对设置的下固定片；
[0013]所述上固定片中形成有合封固定孔，所述上固定片与所述下固定片之间形成有固定缝隙；
[0014]形成所述合封层的合封材料填充满所述合封固定孔和所述固定缝隙。
[0015]可选地，靠近所述固定缝隙的下固定片表面上形成颗粒区，所述颗粒区中形成若干突起状颗粒。
[0016]可选地，所述载片区的背面形成有散热层。
[0017]可选地，所述散热层的材质包括金属锡。
[0018]可选地，所述第二引线的跨接高度高于所述第一引线的跨接高度。
[0019]可选地，所述NAND闪存芯片上形成闪存引脚区，所述SPI芯片上形成SPI引脚区；
[0020]所述SPI芯片设置于所述NAND闪存芯片形成有所述闪存引脚区的一侧与所述NAND闪存芯片的中心之间。
[0021]可选地，所述SPI芯片形成有所述SPI引脚区的一侧朝向所述NAND闪存芯片的闪存引脚区。
[0022]可选地，所述第一粘接层包括若干个粘接区，相邻所述粘接区之间互相间隔。
[0023]可选地，所述第二粘接层包括若干个粘接区，相邻所述粘接区之间互相间隔。
[0024]本申请技术方案，至少包括如下优点：通过将NAND闪存芯片通过第一粘接层粘附在所述载片区的正面，将SPI芯片通过第二粘接层粘附在所述NAND闪存芯片的正面，NAND闪存芯片通过多条第一引线连接所述SPI芯片，所述SPI芯片通过多条第二引线对应连接所述框架引脚，NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和第一引线、第二引线封装于所述合封层中，能够将NAND闪存芯片的引脚的数量缩小为框架引脚的数量，且能够缩小器件的所占面积，缩短芯片之间的走线长度，从而能够提高通信速率。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1示出了本申请一实施例提供的SPI NAND闪存存储系统的俯视结构示意图；
[0027]图2示出了图1的仰视图；
[0028]图3图2中的A部分的仰视立体结构示意图；
[0029]图4示出了图1的B
‑
B向剖视结构示意图；
[0030]图5示出了本申请另一实施例提供的SPI NAND闪存存储系统的剖视结构示意图。
具体实施方式
[0031]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0032]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0034]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0035]图1示出了本申请一实施例提供的SPI NAND闪存存储系统的俯视结构示意图，图2示出了图1的仰视图，图3示出了图2中的A部分的仰视立体结构示意图，图4示出了图1的B
‑
B向剖视结构示意图，图5示出了本申请另一实施例提供的SPI NAND闪存存储系统的剖视结构示意图。
[0036]结合图1至图4可以看出，本实施例提供的SPI NAND闪存存储系统包括NAND闪存芯片100、SPI芯片200、引线框架载体300和合封层400。
[0037]其中，引线框架载体300包括位于中部的载片区310和位于所述载片区310外周的引脚区320，图1所示实施例中的框架引脚区320中设有九个框架引脚，即引线框架载体300的左侧有四个框架引脚，由上至下依次为CS（Chip Select，片选）引脚、DO（Digital Output，数字量输出）引脚、WP（Write Protect，写保护）引脚和VSS（电源地）引脚；引线框架载体300的右侧有四个框架引脚，由上之下依次为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SPI NAND闪存存储系统，其特征在于，所述SPI NAND闪存存储系统包括：NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和合封层；所述引线框架载体包括位于中部的载片区和位于所述载片区外周的引脚区，所述引脚区中设有多个框架引脚；所述NAND闪存芯片通过第一粘接层粘附在所述载片区的正面；所述SPI芯片通过第二粘接层粘附在所述NAND闪存芯片的正面；所述NAND闪存芯片通过多条第一引线连接所述SPI芯片，所述SPI芯片通过多条第二引线对应连接所述框架引脚；所述NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和第一引线、第二引线封装于所述合封层中。2.如权利要求1所述的SPI NAND闪存存储系统，其特征在于，所述框架引脚包括焊接区，所述焊接区的一侧设有合封固定结构；所述合封固定结构包括从所述焊接区的一侧延伸出的上固定片，以及与所述上固定片相对设置的下固定片；所述上固定片中形成有合封固定孔，所述上固定片与所述下固定片之间形成有固定缝隙；形成所述合封层的合封材料填充满所述合封固定孔和所述固定缝隙。3.如权利要求2所述的SPI NAND闪存存储系统，其特征在于，靠近所述固定缝隙的下固定片...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎江南，刘焱，
申请(专利权)人：联和存储科技江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：