【技术实现步骤摘要】
本技术涉及芯片封装,特别涉及一种芯片封装结构及存储器。
技术介绍
1、随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展,电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展,芯片元件的封装形式也不断得到改进。
2、目前,基于wson8框架封装的存储芯片,其上用于外接电源的电源正引脚与flash芯片的多个接电引脚之间打线相连,打线跨度较大且与其它引脚打线交叉,容易产生干涉,影响信号的正常传输,导致芯片性能不稳定,并且制造生产也存在诸多不便。
技术实现思路
1、本技术的主要目的是提出一种芯片封装结构,旨在提升目前基于wson8框架封装的存储芯片性能的稳定性、制造生产的便利性。
2、为实现上述目的,本技术提出一种芯片封装结构,该芯片封装结构包括:
3、支架;
4、flash芯片,设于所述支架上,所述flash芯片的一侧设有引脚组,所述引脚组包括若干第一引脚;
5、主控芯片,设于所述flash芯片上且与所述flash芯片电连接;
6、第一外接引脚组,位于所述flash芯片的所述引脚组所在一侧的方向上,所述第一外接引脚组包括vcc引脚;
7、第二外接引脚组,位于与所述flash芯片的所述引脚组所在一侧相反的另一侧的方向上,且与所述第一外接引脚组相对设置;
8、第一导线架,设于所述支架上且位于所述flash芯片与所述第一外接引脚组之间,若干所述第一引脚和所述vcc引脚通过与所述第一导线架打线以进行电连接;
10、在一些实施例中,所述第一导线架为长条状导线架,所述第一导线架的延伸方向与所述引脚组的引脚排列方向相平行。
11、在一些实施例中,还包括:
12、第二导线架,设于所述支架上且位于所述flash芯片的周侧方向上,所述第一导线架位于所述第二导线架的一侧,所述第二导线架间隔所述flash芯片与所述第一导线架;
13、其中,所述引脚组还包括若干第二引脚,所述第二外接引脚组包括vss引脚,若干所述第二引脚和所述vss引脚通过与所述第二导线架打线以进行电连接。
14、在一些实施例中,所述第二导线架为环状导线架,所述第二导线架环绕所述flash芯片设置。
15、在一些实施例中,还包括:
16、绝缘层,封装于所述外壳中,所述绝缘层形成于所述第一外接引脚组中的各相邻外接引脚之间,以及形成于所述第二外接引脚组中的各相邻外接引脚之间。
17、在一些实施例中,所述支架背离所述flash芯片的一面凸设有焊接部,所述焊接部显露于所述外壳的外表面。
18、本技术还提出一种存储器,该存储器包括主板和前述记载的芯片封装结构,所述芯片封装结构设置在所述主板上。
19、本技术芯片封装结构中增设第一导线架,vcc引脚(即正电源引脚)和flash芯片上引脚组中的若干第一引脚通过与第一导线架打线以进行电连接,即vcc引脚与第一导线架之间打线相连,flash芯片上若干第一引脚与第一导线架之间打线相连,进而实现vcc引脚与flash芯片上若干第一引脚之间的电连接。flash芯片上若干第一引脚由原来的直接与vcc引脚打线连接,调整为与第一导线架打线连接,如此,可调整第一引脚的打线方向,减少与其他引脚打线的走线干涉,保证信号的正常传输,从而提升基于wson8框架封装的存储芯片的性能稳定性,并且,flash芯片上的若干第一引脚与第一导线架以及vcc引脚与第一导线架分段打线,跨度小、线程短,打线简易,方便制造生产。
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1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一导线架为长条状导线架,所述第一导线架的延伸方向与所述引脚组的引脚排列方向相平行。
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构,其特征在于,还包括:
4.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二导线架为环状导线架,所述第二导线架环绕所述Flash芯片设置。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,还包括:
6.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述支架背离所述Flash芯片的一面凸设有焊接部,所述焊接部显露于所述外壳的外表面。
7.一种存储器,其特征在于,包括主板和如权利要求1-6任一项所述的芯片封装结构,所述芯片封装结构设置在所述主板上。
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一导线架为长条状导线架,所述第一导线架的延伸方向与所述引脚组的引脚排列方向相平行。
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构,其特征在于,还包括:
4.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二导线架为环状导线架,所述第二导线架环...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘焱,
申请(专利权)人:联和存储科技江苏有限公司,
类型:新型
国别省市:
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